一种Au-ZnIn2S4纳米阵列电极光催化固氮材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110508291B

    公开(公告)日:2020-10-13

    申请号:CN201910823580.7

    申请日:2019-09-02

    摘要: 一种Au‑ZnIn2S4纳米阵列电极光催化固氮材料的制备方法,属于光电化学催化材料制备与改性的方法。制备方法:基于ZnIn2S4纳米阵列电极在其表面光沉积纳米Au颗粒,提高ZnIn2S4的光催化固氮性能;首先采用水热法在FTO导电玻璃上生长一层ZnIn2S4纳米片阵列,通过光沉积的方法在其表面沉积Au颗粒制得Au‑ZnIn2S4电极;Au‑ZnIn2S4电极片固定放进甲醇水溶液中,持续通入高纯氮气,在氙灯光照下将N2转化为NH3,进而转化为NH4+;取反应溶液与纳氏试剂混合显色,确定反应溶液中NH4+浓度,进而确定材料光催化固氮性能。优点:制备简单,制备条件宽松,无毒,材料应用过程中易于回收,能够循环利用;以ZnIn2S4禁带宽度较窄,能吸收更大范围的可见光,Au在可见光范围能也有很强的吸收,提高了材料对可见光的综合利用率。

    一种有着可见光响应的TiO2分级结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN106882840B

    公开(公告)日:2019-03-22

    申请号:CN201710055593.5

    申请日:2017-01-25

    摘要: 一种有着可见光响应的TiO2分级结构的制备方法,属于半导体光催化、光电化学材料的制备方法。首先将氟盐溶解于水中,往氟盐水溶液中滴加入乙酸,持续搅拌;再将钛酸四正丁酯逐滴加入到混合溶液中,并持续搅拌;将混合溶液置于水热反应釜中,升温至140~180℃,使其反应8~16h;将反应釜自然冷却后,取出沉淀物,离心或过滤、洗涤、干燥;在空气气氛下升温至300~550℃,保温烧结0.5~3h。制备出的TiO2分级纳米结构具有比表面积大、可见光响应、单晶结构等优点,适合应用于光催化降解污染物、光电催化分解水制氢等领域。具有方法简单、无毒,且易于操作的优点。且成本低,适合进行工业化生产。

    一种制备纳米级四氧化三钴材料的方法

    公开(公告)号:CN103950995B

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201410202893.8

    申请日:2014-05-14

    IPC分类号: C01G51/04 B82Y30/00

    摘要: 本发明公开了一种制备纳米级四氧化三钴材料的方法,包括以下步骤:将四水乙酸钴和聚乙烯吡咯烷酮K-30溶解于乙二醇中形成溶液;在还原气氛中,将溶液加热搅拌,随后冷却到室温,得到粉色絮状产物;用无水乙醇对粉色絮状产物进行萃取分离;将粉色产物进行离心处理,保留下层沉淀;将下层沉淀放入真空干燥箱中烘干,得到的四氧化三钴前驱体,将四氧化三钴前驱体煅烧,即得到纳米级四氧化三钴。通过该方法可以制备出具有较大比表面积且形貌可控的纳米级四氧化三钴材料;该方法原料廉价易得,生产设备简单,易于实现控制;该方法制得的四氧化三钴纯度高,可在锂离子电池、超级电容器、气敏、生物传感和催化等诸多领域得到广泛应用。

    一种染料敏化太阳能电池用Cu3SnS4纳米材料对电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN103714976A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201310732866.7

    申请日:2013-12-26

    IPC分类号: H01G9/20 B82Y30/00

    CPC分类号: Y02E10/542

    摘要: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池用Cu3SnS4纳米材料对电极及其制备方法。其制备方法包括如下步骤:(1)采用热溶剂法合成直径范围在200~300纳米的Cu3SnS4纳米颗粒;(2)将Cu3SnS4纳米颗粒溶解在去离子水中并通过超声处理形成“墨水”;(3)将黑色“墨水”涂覆在导电基底上,然后在450~550℃下退火0.5~2h即可得到介孔Cu3SnS4对电极。该方法采用有良好耐腐蚀性能的介孔Cu3SnS4作为染料敏化太阳能电池对电极,其比表面积大,催化性能高,生产成本低;该方法制备的电池光电转换效率与基于传统的Pt电极的电池相当,适合在染料敏化太阳能电池中应用并有利于其产业化发展。

    一种富含表面S空位ZnIn2S4纳米片阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN111298809A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010095688.1

    申请日:2020-02-17

    摘要: 一种富含表面S空位ZnIn2S4纳米片阵列的制备方法,属于半导体光电催化材料的制备方法。制备方法,首先制备ZnIn2S4纳米片阵列,ZnIn2S4纳米片阵列垂直生长在衬底上;然后通过等离子体清洗在其表面产生大量的S空位,调节等离子清洗功率来实现引入不同量的S空位。引入的S空位在ZnIn2S4导带下侧形成一个局域能级,降低带隙宽度,提高ZnIn2S4纳米阵列电极片的吸光性能。S空位也可作为光生电子陷阱,提高光生电荷的寿命,进而提高其光催化性能。优点:富含S空位的ZnIn2S4纳米片阵列具有比表面积大、光吸收性能好,制备条件宽松,无毒,材料应用过程中易于回收,能够循环利用。

    一种Au-ZnIn2S4纳米阵列电极光催化固氮材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110508291A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201910823580.7

    申请日:2019-09-02

    摘要: 一种Au-ZnIn2S4纳米阵列电极光催化固氮材料的制备方法,属于光电化学催化材料制备与改性的方法。制备方法:基于ZnIn2S4纳米阵列电极在其表面光沉积纳米Au颗粒,提高ZnIn2S4的光催化固氮性能;首先采用水热法在FTO导电玻璃上生长一层ZnIn2S4纳米片阵列,通过光沉积的方法在其表面沉积Au颗粒制得Au-ZnIn2S4电极;Au-ZnIn2S4电极片固定放进甲醇水溶液中,持续通入高纯氮气,在氙灯光照下将N2转化为NH3,进而转化为NH4+;取反应溶液与纳氏试剂混合显色,确定反应溶液中NH4+浓度,进而确定材料光催化固氮性能。优点:制备简单,制备条件宽松,无毒,材料应用过程中易于回收,能够循环利用;以ZnIn2S4禁带宽度较窄,能吸收更大范围的可见光,Au在可见光范围能也有很强的吸收,提高了材料对可见光的综合利用率。

    一种ZnIn2S4纳米薄片阵列结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN108409157A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201810226667.1

    申请日:2018-03-19

    发明人: 仇亮 顾修全

    摘要: 一种ZnIn2S4纳米薄片阵列结构及其制备方法,属于可见光响应的光电极材料的制备方法。配制水热反应前驱体溶液,往水中依次加入可溶性的二价锌盐、三价铟盐、硫脲以及适量的盐酸,充分搅拌均匀至澄清溶液状态,无任何沉淀不溶物存在;再将前驱体溶液及衬底转移至水热反应釜中,保持导电面朝下放置,升温至200~250℃,使其反应2~6h;反应釜自然冷却后,取出反应产物,洗涤、干燥。制备出的ZnIn2S4纳米薄片阵列具有比表面积大、可见光响应、单晶有序结构、附着力强、耐腐蚀等优点,能够生长在各种类型的衬底上,应用于光电催化分解水制氢、污水处理、生物传感、太阳能电池等领域;方法简单、无毒,且易于操作、制备工艺参数窗口宽,制备成本低,适合工业化生产。