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发明公开
一种磁电复合材料、其制备方法和存储器件审中-实审

公开(公告)号：CN115332434A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210734575.0

申请日：2022-06-27

申请人： 中国科学技术大学

发明人： 初宝进 , 潘琪 , 张晓燕

IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/20 , H01L41/37 , H01L41/47 , H01L27/20

摘要： 本发明提供了一种磁电复合材料，包括：交替设置的BaFe12O19铁磁相层和Pb(Zr,Ti)O3压电相层。本发明复合材料的磁电耦合响应还可通过电场或磁场进行双重调控。其中，BaFe12O19作为铁磁相，Pb(Zr,Ti)O3作为压电相。该复合材料磁电耦合响应随偏置磁场的变化呈蝴蝶曲线状，磁电耦合系数在偏置磁场降到零的过程中仍能保持稳定不变，具有大自偏置效应，且其磁电耦合系数最大值和最小值具有很好的时间稳定性，在存储器件上有较大的应用前景。同时，该复合材料在电场作用下，其铁电相极化状态的转变对复合材料铁磁相的磁性也存在着调控作用。