约瑟夫森结的制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110148664A

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201910394198.9

    申请日:2019-05-13

    IPC分类号: H01L39/24 H01L39/22

    摘要: 本发明提供一种约瑟夫森结的制备方法,包括:于基底上外延生长第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构;刻蚀三层薄膜结构定义出底电极,刻蚀第一绝缘材料层及第二超导材料层定义出结区;于器件表面沉积第二绝缘材料层,第二绝缘材料层的厚度大于三层薄膜结构的厚度,去除结区上表面凸起的第二绝缘材料层;平坦化第二绝缘材料层,使其上表面与结区的上表面平齐;于第二绝缘材料层表面生长金属薄膜,并刻蚀形成旁路电阻;于器件表面生长第三超导材料层,并刻蚀形成电极引出结构。本发明通过缩小结区和其它位置减薄速率的差别,提升器件表面的平坦度;通过化学机械抛光避免弱连接;大大提高器件质量。

    约瑟夫森结的制备方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110148664B

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN201910394198.9

    申请日:2019-05-13

    IPC分类号: H01L39/24 H01L39/22

    摘要: 本发明提供一种约瑟夫森结的制备方法,包括:于基底上外延生长第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构;刻蚀三层薄膜结构定义出底电极,刻蚀第一绝缘材料层及第二超导材料层定义出结区;于器件表面沉积第二绝缘材料层,第二绝缘材料层的厚度大于三层薄膜结构的厚度,去除结区上表面凸起的第二绝缘材料层;平坦化第二绝缘材料层,使其上表面与结区的上表面平齐;于第二绝缘材料层表面生长金属薄膜,并刻蚀形成旁路电阻;于器件表面生长第三超导材料层,并刻蚀形成电极引出结构。本发明通过缩小结区和其它位置减薄速率的差别,提升器件表面的平坦度;通过化学机械抛光避免弱连接;大大提高器件质量。

    约瑟夫森结寄生电感的测量方法

    公开(公告)号:CN110133379B

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN201910506053.3

    申请日:2019-06-12

    IPC分类号: G01R27/26 G01R33/035

    摘要: 本发明提供一种约瑟夫森结寄生电感的测量方法,包括:提供第一测试结构,得到第一电感;提供第二测试结构,得到第二电感;提供第三测试结构,得到第三电感;提供第四测试结构,得到第四电感;基于第一测试结构及第二测试结构中导线的电感之和与第三测试结构及第四测试结构中导线的电感之和相同,计算得到单个约瑟夫森结的寄生电感。本发明采用SQUID电压‑磁通调制技术获取各测试结构的电感,再基于各测试结构之间的差异计算得到单个约瑟夫森结的寄生电感,是一种直接测量电感的方法,相比间接法将提升寄生电感的测量效率和准确性,为在超导数字电路设计中减小寄生电感影响提供依据。

    约瑟夫森结寄生电感的测量方法

    公开(公告)号:CN110133379A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910506053.3

    申请日:2019-06-12

    IPC分类号: G01R27/26 G01R33/035

    摘要: 本发明提供一种约瑟夫森结寄生电感的测量方法,包括:提供第一测试结构,得到第一电感;提供第二测试结构,得到第二电感;提供第三测试结构,得到第三电感;提供第四测试结构,得到第四电感;基于第一测试结构及第二测试结构中导线的电感之和与第三测试结构及第四测试结构中导线的电感之和相同,计算得到单个约瑟夫森结的寄生电感。本发明采用SQUID电压-磁通调制技术获取各测试结构的电感,再基于各测试结构之间的差异计算得到单个约瑟夫森结的寄生电感,是一种直接测量电感的方法,相比间接法将提升寄生电感的测量效率和准确性,为在超导数字电路设计中减小寄生电感影响提供依据。

    超导量子干涉器件及制备方法

    公开(公告)号:CN109597004A

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201811611264.5

    申请日:2018-12-27

    IPC分类号: G01R33/035 G01R33/00

    摘要: 本发明提供一种超导量子干涉器件及制备方法,包括:欠阻尼SQUID及串联电阻,欠阻尼SQUID与串联电阻串联,欠阻尼SQUID及串联电阻串联后的两端连接偏置电压。依次沉积第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层,并刻蚀形成超导环路及底电极结构;刻蚀第二超导材料层以形成约瑟夫森结;沉积并刻蚀第二绝缘材料层,于约瑟夫森结顶部形成电极开口;沉积并刻蚀电阻材料层形成旁路电阻及串联电阻;沉积并刻蚀第三超导材料层顶电极。本发明将欠阻尼SQUID与电阻串联在一起构成Series Resistance SQUID器件,在电压偏置模式下工作,具有噪声更低、灵敏度更高的特点;而且其制备工艺与普通SQUID制备工艺相同,不增加制备难度。