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公开(公告)号：CN1349241A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01132287.X
申请日：2001-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法,属于场发射显示器领域。其特点是移植法制备的CNT薄膜阴极采用热处理工艺与等离子体积表面处理工艺;而直接生长法制备的CNT薄膜阴极仅采用等离子体表面处理工艺,等离子体表面处理的工艺参数是功率密度0.1－3W/cm3,处理时间5－60分钟,采用H2或含氢的化合物,经本发明提供的方法处理,可使CNT薄膜的电流密度提高3倍,阈值强度降低3倍多,电子发射点密度可提高3个数量级以上且均匀性明显提高,对移植法生长的薄膜阴极通过二种处理工艺有机结合,全面提高CNT薄膜阴极的场发射性能。
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公开(公告)号：CN100564583C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200710046884.4
申请日：2007-10-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明采用离子束辅助沉积技术沉积铂-碳混合膜，即在溅射沉积铂-碳混合膜的同时，由于利用碳原子的溅射率随辅助轰击氩离子的能量的增大而迅速增大的特点，通过调节辅助轰击氩离和剂量，精确控制铂-碳混合膜的铂/碳成份比。本发明易在普通离子束辅助沉积设备上实现，工艺简单、成本低，特别适合在实验室条件下制备少量的实验样品用。
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公开(公告)号：CN1808670A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510111620.3
申请日：2005-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种提高印刷法制备的碳纳米管(CNT)薄膜阴极的场致电子发射性能的处理方法，通过二次热处理工艺与表面提拉工艺，除去CNT薄膜中所含的杂质，在CNT与衬底间形成良好的机械接触和电接触，并使表面CNT垂直于衬底表面，从而使CNT薄膜的场致电子发射性能得到显著改善，即使电子发射的阈值场强降低了2倍多，发射电流密度提高25～30倍左右，电子发射的点密度提高3个数量级以上且均匀性明显提高。
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公开(公告)号：CN1790589A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510111624.1
申请日：2005-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种简单而有效的方法来实现印刷法制备的CNT薄膜阴极的图形化场致发射显示，其特征在于首先将直接印刷整片的碳纳米管薄膜，通过热处理工艺去除印刷过程中的有机添加物得到整片的碳纳米管薄膜阴极，然后通过机械的表面图形转移法使需要显示的图形转移到碳纳米管薄膜阴极表面，从而实现印刷法制备的碳纳米管阴极图形化场致发射显示；本发明提供的方法不需图形化的印刷模版，也不需要复杂的后处理工艺，大大减少了工艺步骤和工艺成本，通过一次机械的表面图形转移就可以实现印刷法制备的CNT薄膜阴极的图形化显示。
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公开(公告)号：CN1547236A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310109479.4
申请日：2003-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种将晶体管和碳纳米管场发射显示阵列集成在一起的结构，以及实现这种结构的方法。其特征在于将晶体管的漏同时作为碳纳米管场发射显示阵列的阴极，再在该漏上制作碳纳米管场发射显示阵列，以达到利用晶体管优良的电流控制特性来控制碳纳米管场发射显示阵列发射电流的目的。制备晶体管控制碳纳米管场发射显示阵列的方法，依次包括在基板上形成晶体管，然后在晶体管漏沉积发射阵列栅绝缘层和发射阵列的栅电极并刻蚀栅孔，最后沉积碳纳米管。采用本发明提供的方法所制作的场发射显示阵列能够使场发射显示器的发射电流稳定、均匀显示，并且发射电流可由晶体管精确控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1135588C
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN01132287.X
申请日：2001-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法，属于场发射显示器领域。其特点是移植法制备的CNT薄膜阴极采用热处理工艺与等离子体积表面处理工艺；而直接生长法制备的CNT薄膜阴极仅采用等离子体表面处理工艺，等离子体表面处理的工艺参数是功率密度0.1-3W/cm3，处理时间5-60分钟，采用H2或含氢的化合物，经本发明提供的方法处理，可使CNT薄膜的电流密度提高3倍，阈值强度降低3倍多，电子发射点密度可提高3个数量级以上且均匀性明显提高，对移植法生长的薄膜阴极通过二种处理工艺有机结合，全面提高CNT薄膜阴极的场发射性能。
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公开(公告)号：CN106950516A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710183694.0
申请日：2017-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微弱涡流磁场测量装置及方法，用于测量被测对象的涡流磁场，其中，该装置包括一屏蔽室，所述屏蔽室内设有一亥姆霍兹线圈、一被测对象托台和一磁传感器，所述屏蔽室外设有一数据同步源、一信号源、一功率放大器和一数据采集组件；其中，所述被测对象托台位于所述亥姆霍兹线圈的磁场均匀区，所述信号源和所述功率放大器依次串联在所述数据同步源与所述亥姆霍兹线圈之间；所述数据采集组件连接在所述数据同步源与所述磁传感器之间。本发明不仅提高涡流磁场的测量精度、简化涡流磁场的测量步骤，而且能整体对大尺寸系统的涡流磁场进行精确测量。
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公开(公告)号：CN101130856A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710046884.4
申请日：2007-10-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明采用离子束辅助沉积技术沉积铂－碳混合膜，即在溅射沉积铂－碳混合膜的同时，由于利用碳原子的溅射率随辅助轰击氩离子的能量的增大而迅速增大的特点，通过调节辅助轰击氩离和剂量，精确控制铂－碳混合膜的铂/碳成份比。本发明易在普通离子束辅助沉积设备上实现，工艺简单、成本低，特别适合在实验室条件下制备少量的实验样品用。
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公开(公告)号：CN106950516B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201710183694.0
申请日：2017-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01V3/40
Abstract: 本发明提供一种微弱涡流磁场测量装置及方法，用于测量被测对象的涡流磁场，其中，该装置包括一屏蔽室，所述屏蔽室内设有一亥姆霍兹线圈、一被测对象托台和一磁传感器，所述屏蔽室外设有一数据同步源、一信号源、一功率放大器和一数据采集组件；其中，所述被测对象托台位于所述亥姆霍兹线圈的磁场均匀区，所述信号源和所述功率放大器依次串联在所述数据同步源与所述亥姆霍兹线圈之间；所述数据采集组件连接在所述数据同步源与所述磁传感器之间。本发明不仅提高涡流磁场的测量精度、简化涡流磁场的测量步骤，而且能整体对大尺寸系统的涡流磁场进行精确测量。
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公开(公告)号：CN100446158C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200510111624.1
申请日：2005-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种简单而有效的方法来实现印刷法制备的CNT薄膜阴极的图形化场致发射显示，其特征在于首先将直接印刷整片的碳纳米管薄膜，通过热处理工艺去除印刷过程中的有机添加物得到整片的碳纳米管薄膜阴极，然后通过机械的表面图形转移法使需要显示的图形转移到碳纳米管薄膜阴极表面，从而实现印刷法制备的碳纳米管阴极图形化场致发射显示；本发明提供的方法不需图形化的印刷模版，也不需要复杂的后处理工艺，大大减少了工艺步骤和工艺成本，通过一次机械的表面图形转移就可以实现印刷法制备的CNT薄膜阴极的图形化显示。
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