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发明公开
一种防护阵列及超导芯片审中-实审

公开(公告)号：CN116322284A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211681716.3

申请日：2022-12-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈垒 , 吴光庭 , 潘银萍 , 任洁

IPC: H10N60/81 , H01L23/552 , H01L23/495

Abstract: 本发明提供一种防护阵列及超导芯片，包括：设置于超导电路区域的外围的第一防护子阵列及第二防护子阵列，第一防护子阵列设置于第二防护子阵列内侧；第一防护子阵列与第二防护子阵列均包括若干个防护结构，第一防护子阵列与第二防护子阵列中的防护结构均间隔排列，且第一防护子阵列中的防护结构与第二防护子阵列中的防护结构交错排布。本发明在现有的单层方角形防护阵列基础上使用圆角结构以及双层结构，增加了可俘获的磁通涡旋数，降低了中心超导器件对非样品信号磁通俘获的概率，有效阻止了磁通进入到超导电路中。

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