公开(公告)号：CN103021818A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210593568.X

申请日：2012-12-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  郭庆磊 ,  张苗 ,  魏星 ,  薛忠营 ,  母志强 ,  戴佳赟

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种微结构保角性转移方法，至少包括以下步骤：提供一自下而上依次为底层硅、埋氧层及顶层X纳米薄膜的XOI衬底，在所述顶层X纳米薄膜上涂覆哑铃状的光刻胶作为掩膜，进行刻蚀得到哑铃状的微结构；然后利用氢氟酸溶液或者BOE溶液将所述埋氧层进行腐蚀，直至所述微结构中间图形微米带部分完全悬空，且所述两端区域以下仍有部分未被完全腐蚀掉的埋氧层，形成固定结，最后提供一基板与所述微结构相接触，并迅速提起基板以将所述微结构转移到所述基板上。本发明的微结构保角性转移方法利用简易的端点固定图形化设计，对微结构纳米薄膜进行固定，实现完全保角性转移，大大的降低了保角性转移工艺的复杂度，降低了工艺成本。

公开(公告)号：CN103021818B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201210593568.X

申请日：2012-12-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  郭庆磊 ,  张苗 ,  魏星 ,  薛忠营 ,  母志强 ,  戴佳赟

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种微结构保角性转移方法，至少包括以下步骤：提供一自下而上依次为底层硅、埋氧层及顶层X纳米薄膜的XOI衬底，在所述顶层X纳米薄膜上涂覆哑铃状的光刻胶作为掩膜，进行刻蚀得到哑铃状的微结构；然后利用氢氟酸溶液或者BOE溶液将所述埋氧层进行腐蚀，直至所述微结构中间图形微米带部分完全悬空，且所述两端区域以下仍有部分未被完全腐蚀掉的埋氧层，形成固定结，最后提供一基板与所述微结构相接触，并迅速提起基板以将所述微结构转移到所述基板上。本发明的微结构保角性转移方法利用简易的端点固定图形化设计，对微结构纳米薄膜进行固定，实现完全保角性转移，大大的降低了保角性转移工艺的复杂度，降低了工艺成本。