公开(公告)号：CN112824555B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201911146193.0

申请日：2019-11-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 冯嘉鑫 ,  王玲玲 ,  李卓君 ,  宋叶凯 ,  彭炜 ,  牟刚 ,  谢晓明

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  C30B1/02 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明涉及材料合成技术领域，具体是一种钛氧化物超导薄膜的制备方法，所述方法包括：S1、通过固相方法制备出钛氧化物的多晶靶材；S2、制备出待生产钛氧化物超导薄膜的衬底；S3、通过脉冲激光沉积系统烧蚀所述S1步骤的所述靶材，使将烧蚀后的所述靶材在所述S2步骤中衬底外延，制备出钛氧化物超导薄膜；本发明能够无需在生长过程中控制氧分压，进行制备钛氧化物超导薄膜材料，简化了钛氧化物超导薄膜材料生长工艺，提高超导转变温度。

公开(公告)号：CN112824555A

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：CN201911146193.0

申请日：2019-11-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 冯嘉鑫 ,  王玲玲 ,  李卓君 ,  宋叶凯 ,  彭炜 ,  牟刚 ,  谢晓明

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  C30B1/02 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明涉及材料合成技术领域，具体是一种钛氧化物超导薄膜的制备方法，所述方法包括：S1、通过固相方法制备出钛氧化物的多晶靶材；S2、制备出待生产钛氧化物超导薄膜的衬底；S3、通过脉冲激光沉积系统烧蚀所述S1步骤的所述靶材，使将烧蚀后的所述靶材在所述S2步骤中衬底外延，制备出钛氧化物超导薄膜；本发明能够无需在生长过程中控制氧分压，进行制备钛氧化物超导薄膜材料，简化了钛氧化物超导薄膜材料生长工艺，提高超导转变温度。