公开(公告)号：CN119932703A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510118366.7

申请日：2025-01-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴禹 ,  范云 ,  李清剑 ,  林志荣

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  H01B12/00 ,  H10N60/01 ,  H10N60/85 ,  G06N10/40

Abstract: 本发明提供一种基于种子层的α相钽超导薄膜、制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：S1、提供衬底；S2、采用直流磁控溅射法，于所述衬底上表面生长铌金属种子层；S3、采用直流磁控溅射法，于所述铌金属种子层远离所述衬底的一面生长α相钽超导薄膜。本发明采用直流磁控溅射工艺依次在衬底上生长铌金属种子层、α相钽超导薄膜，通过引入铌金属种子层，能达到减小α相钽超导薄膜的层间晶格失配，实现室温下制备单一(110)晶相生长的α相钽超导薄膜；本发明还可使用多溅射镀膜腔室的直流磁控溅射设备，采用直流磁控溅射工艺在室温下依次进行溅射，大大降低了设备成本，工艺稳定性高，为超导量子计算的发展提供更为可靠的材料基础。