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公开(公告)号：CN111969100A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010871234.9
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于TaN的约瑟夫森结及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，形成NbN底层膜、金属TaN势垒层以及NbN顶层膜，刻蚀定义底电极和结区，形成隔离层和配线层。本发明通过离子氮化工艺形成金属TaN势垒层，得到SNS结构约瑟夫森结，可以提高势垒层电阻率的稳定性，无需并联电阻，解决了SIS约瑟夫森结磁通噪声及集成度的问题，提高了工艺重复性以及稳定性，势垒层材料的电阻率及厚度等可通过离子氮化时间及功率等参数自由调控，有效避免了S/N界面处绝缘层的形成，表面平整度高及氮化均匀性好，改善了SNS结的特征电压IcRn很小，限制了器件的高频应用的缺陷，有利于高质量NbN SNS约瑟夫森结的研发。
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公开(公告)号：CN111969100B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010871234.9
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于TaN的约瑟夫森结及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，形成NbN底层膜、金属TaN势垒层以及NbN顶层膜，刻蚀定义底电极和结区，形成隔离层和配线层。本发明通过离子氮化工艺形成金属TaN势垒层，得到SNS结构约瑟夫森结，可以提高势垒层电阻率的稳定性，无需并联电阻，解决了SIS约瑟夫森结磁通噪声及集成度的问题，提高了工艺重复性以及稳定性，势垒层材料的电阻率及厚度等可通过离子氮化时间及功率等参数自由调控，有效避免了S/N界面处绝缘层的形成，表面平整度高及氮化均匀性好，改善了SNS结的特征电压IcRn很小，限制了器件的高频应用的缺陷，有利于高质量NbN SNS约瑟夫森结的研发。
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公开(公告)号：CN111969101A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010871236.8
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于NbN的约瑟夫森结及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，形成NbN底层膜、金属NbNx势垒层以及NbN顶层膜，刻蚀定义底电极和结区，形成隔离层和配线层。本发明通过离子氮化工艺形成金属NbNx势垒层，得到SNS结构约瑟夫森结，无需并联电阻，解决了SIS结构约瑟夫森结磁通噪声及集成度的问题，提高了工艺重复性以及稳定性，势垒层材料的电阻率及厚度等可通过离子氮化时间及功率等参数自由调控，有效避免了S/N界面处绝缘层的形成，具有表面平整度高以及氮化均匀性好等特点，改善了SNS结的特征电压IcRn很小，限制了器件的高频应用的缺陷，有利于高质量NbN SNS约瑟夫森结的研发。
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公开(公告)号：CN111969099A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010871230.0
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种堆栈结构SNS约瑟夫森结的制备方法，堆栈结构SNS约瑟夫森结的制备包括提供衬底，制备NbN底层膜、超导金属复合叠层结构层以及NbN顶层膜，定义底电极和结区，制备隔离层和配线层。本发明通过引入堆栈结构SNS约瑟夫森结的制备方法，在保证输出电压的前提下成倍数的减少了分布式阵列的数量；调控磁控溅射参数实现了超导NbN和正常金属NbNx的制备，NbN/NbNx/NbN…NbN/NbNx/NbN叠层结构可以基于原位生长制备，可以防止层间污染，室温生长还能可以保证界面清晰无扩散，更加简化了结的工艺流程。
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