公开(公告)号：CN108520904B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810598277.7

申请日：2018-06-12

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 李宁 ,  郑元辽 ,  陈平平 ,  李志锋 ,  杨贺鸣 ,  周玉伟 ,  唐舟 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器，该探测器是由分子束外延手段在GaAs衬底上依次生长下电极层、有源区层以及上电极层制备。有源区层为一个共振遂穿二极管结构夹在两个不同的量子阱中间。当探测器加上特定正或负偏压时，由不同阱宽量子阱响应产生的两个波段光电流将选择性通过共振遂穿二极管形成响应回路。相比目前传统的双色量子阱探测器，本发明可通过调节所加偏压方向和大小实现双色探测，并且能提高器件工作温度。此外，本发明的器件制备工艺更为简化，对促进双色红外量子阱探测器的发展有着重大意义。

公开(公告)号：CN108520904A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810598277.7

申请日：2018-06-12

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 李宁 ,  郑元辽 ,  陈平平 ,  李志锋 ,  杨贺鸣 ,  周玉伟 ,  唐舟 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器，该探测器是由分子束外延手段在GaAs衬底上依次生长下电极层、有源区层以及上电极层制备。有源区层为一个共振遂穿二极管结构夹在两个不同的量子阱中间。当探测器加上特定正或负偏压时，由不同阱宽量子阱响应产生的两个波段光电流将选择性通过共振遂穿二极管形成响应回路。相比目前传统的双色量子阱探测器，本发明可通过调节所加偏压方向和大小实现双色探测，并且能提高器件工作温度。此外，本发明的器件制备工艺更为简化，对促进双色红外量子阱探测器的发展有着重大意义。

公开(公告)号：CN208225887U

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201820908870.2

申请日：2018-06-12

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 李宁 ,  郑元辽 ,  陈平平 ,  李志锋 ,  杨贺鸣 ,  周玉伟 ,  唐舟 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

摘要： 本专利公开了一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器，该探测器是由分子束外延手段在GaAs衬底上依次生长下电极层、有源区层以及上电极层制备。有源区层为一个共振遂穿二极管结构夹在两个不同的量子阱中间。当探测器加上特定正或负偏压时，由不同阱宽量子阱响应产生的两个波段光电流将选择性通过共振遂穿二极管形成响应回路。相比目前传统的双色量子阱探测器，本专利可通过调节所加偏压方向和大小实现双色探测，并且能提高器件工作温度。此外，本专利的器件制备工艺更为简化，对促进双色红外量子阱探测器的发展有着重大意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利