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公开(公告)号：CN110617882B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201910850391.9
申请日：2019-09-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种基于相变材料的感温型太赫兹探测器及制备方法，所述探测器由氧化铝衬底，锑化铟敏感元，二氧化钒光栅结构层，半波天线和器件管座组成。本发明制备的感温型太赫兹探测器，在传统的金属‑半导体‑金属结构基础上，通过引入二氧化钒光栅结构层，利用二氧化钒在环境温度为68℃的相变转换特性，引起光栅结构层的电导率剧烈的变化，进而使整个器件的局域等离子体激元引起的场增强效应不同，达到一种太赫兹波探测的调制目的；在实现了0.01‑3THz的宽波段快速、高灵敏响应的同时，增加了对环境温度感知的新功能。这对于优化器件结构设计和完善器件功能都有着十分重要的意义，在科学和技术等领域将会发挥着重要作用。
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公开(公告)号：CN111584359A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010384277.4
申请日：2020-05-09
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种基于ALD沉积Al2O3作掩膜的超声湿法刻蚀方法。本方法步骤如下：第一步，使用原子沉积技术(ALD)在Ⅲ-Ⅴ族合金半导体器件样品表面沉积Al2O3薄膜；第二步，采用光刻、腐蚀工艺，选择性刻蚀Al2O3，形成Al2O3台面图案掩膜；第三步，在超声清洗机中边超声边进行湿法刻蚀，刻蚀出所需台面；第四步，使用BOE腐蚀液去除Al2O3掩膜。本发明的优点在于：一方面，使用ALD沉积Al2O3替代光刻胶作掩膜，防止因湿法刻蚀时间过长或超声振动而发生脱胶的现象；另一方面，边超声边进行湿法腐蚀，可以防止导电残留物富集在台阶侧面、形成导电通道，有效地降低器件暗电流密度、提高器件性能。
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公开(公告)号：CN118073457A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410370844.9
申请日：2024-03-29
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0296 , H01L31/18 , C30B29/48 , C30B19/00
摘要： 本发明公开了一种基于垂直液相外延材料的碲镉汞双色雪崩探测器及制备方法。所述探测器包括在CdZnTe衬底上采用垂直液相外延生长P型带组分梯度的中波HgCdTe外延材料，利用离子注入形成N+型接触层，并用退火推结方式形成N‑型倍增层。本发明引入台面结和平面结相交错光敏元的器件制备方式，使得台面结区域吸收区位于组分梯度短波材料，平面结区域吸收区位于横向的中波材料，从而利用垂直液相外延方式，制备片上集成的双色波段响应的雪崩红外探测器，降低了双色材料和器件制备难度和成本，有助于在实现宽光谱、多波段的主被动双模探测的同时，降低探测系统的尺寸、重量和功耗。
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公开(公告)号：CN112786732A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110116588.7
申请日：2021-01-28
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0304
摘要： 本发明公开了一种InAs基室温宽波段红外光电探测器。该探测器自下而上依次为InAs衬底、InAsSbP阻挡层、InAs吸收层、InAsSbP窗口层；下电极(5)制备在阻挡层上，上电极(6)制备在窗口层上。本发明提供的光电探测器具有室温下探测率高，可零偏压工作，有效探测波长范围宽等优点。
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公开(公告)号：CN110617882A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910850391.9
申请日：2019-09-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种基于相变材料的感温型太赫兹探测器及制备方法，所述探测器由氧化铝衬底，锑化铟敏感元，二氧化钒光栅结构层，半波天线和器件管座组成。本发明制备的感温型太赫兹探测器，在传统的金属-半导体-金属结构基础上，通过引入二氧化钒光栅结构层，利用二氧化钒在环境温度为68℃的相变转换特性，引起光栅结构层的电导率剧烈的变化，进而使整个器件的局域等离子体激元引起的场增强效应不同，达到一种太赫兹波探测的调制目的；在实现了0.01-3THz的宽波段快速、高灵敏响应的同时，增加了对环境温度感知的新功能。这对于优化器件结构设计和完善器件功能都有着十分重要的意义，在科学和技术等领域将会发挥着重要作用。
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公开(公告)号：CN210862918U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921494851.0
申请日：2019-09-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本专利公开了一种基于相变材料的感温型太赫兹探测器，所述探测器由氧化铝衬底，锑化铟敏感元，二氧化钒光栅结构层，半波天线和器件管座组成。本专利制备的感温型太赫兹探测器，在传统的金属‑半导体‑金属结构基础上，通过引入二氧化钒光栅结构层，利用二氧化钒在环境温度为68℃的相变转换特性，引起光栅结构层的电导率剧烈的变化，进而使整个器件的局域等离子体激元引起的场增强效应不同，达到一种太赫兹波探测的调制目的；在实现了0.01‑3THz的宽波段快速、高灵敏响应的同时，增加了对环境温度感知的新功能。这对于优化器件结构设计和完善器件功能都有着十分重要的意义，在科学和技术等领域将会发挥着重要作用。
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公开(公告)号：CN214797434U
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202120239638.6
申请日：2021-01-28
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0304
摘要： 本专利公开了一种InAs基室温宽波段红外光电探测器。该探测器自下而上依次为InAs衬底、InAsSbP阻挡层、InAs吸收层、InAsSbP窗口层；下电极(5)制备在阻挡层上，上电极(6)制备在窗口层上。本专利提供的光电探测器具有室温下探测率高，可零偏压工作，有效探测波长范围宽等优点。
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