-
公开(公告)号:CN1773732A
公开(公告)日:2006-05-17
申请号:CN200510030062.8
申请日:2005-09-28
申请人: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC分类号: H01L31/14
摘要: 本发明公开了一种由氮化镓(GaN)基材料制成的将多量子阱红外探测器和发光二极管串联耦合在同一块芯片上的红外-可见波长转换探测器。多量子阱红外探测器(QWIP)将红外辐射信号转化为红外光电信号,再经发光二极管转化为可见波段的光信号。本发明的优点是实现了偏压下长波热红外向可见光波段的上转换,人眼可以直接观测,简化了探测系统的结构。本发明器件所用材料制备工艺成熟,材料均匀性好。
-
公开(公告)号:CN1696670A
公开(公告)日:2005-11-16
申请号:CN200510026720.6
申请日:2005-06-14
申请人: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
摘要: 本发明公开了一种GaN基紫外-红外双色集成探测器,它由在蓝宝石衬底上依次排列生长的n+-GaN电极层、GaN基多量子阱、AlxGa1-xN紫外吸收层、叉指电极组成。其中利用了MSM结构紫外探测器的叉指电极作为红外量子阱探测器的一维光栅,实现了外加偏压控制的可选择双色探测。本发明的双色探测器较之于传统的红外双色探测器有更大的光谱波段跨度,可以获得目标的特征波段图像,目标信息更加丰富准确。
-
公开(公告)号:CN100424897C
公开(公告)日:2008-10-08
申请号:CN200510030062.8
申请日:2005-09-28
申请人: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC分类号: H01L31/14
摘要: 本发明公开了一种由氮化镓(GaN)基材料制成的将多量子阱红外探测器和发光二极管串联耦合在同一块芯片上的红外-可见波长转换探测器。多量子阱红外探测器(QWIP)将红外辐射信号转化为红外光电信号,再经发光二极管转化为可见波段的光信号。本发明的优点是实现了偏压下长波热红外向可见光波段的上转换,人眼可以直接观测,简化了探测系统的结构。本发明器件所用材料制备工艺成熟,材料均匀性好。
-
公开(公告)号:CN1808730A
公开(公告)日:2006-07-26
申请号:CN200510111089.X
申请日:2005-12-02
申请人: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC分类号: H01L33/00
摘要: 本发明公开了一种利用铟镓氮量子阱发光二极管作为红外目标信号探测的成像装置。该成像装置包括:二片透镜、分束片、低温杜瓦和InGaN量子阱发光二极管。红外目标源前进的方向上依次置有第一透镜、对红外光全透和可见光全反的分束片和可作为红外目标源探测用的置于低温杜瓦中的发光二极管;发光二极管发出的可见光图像的前进方向上依次置有对红外光全透和可见光全反的分束片和第二透镜。它是利用二极管在低温下,发光中心富In的InGaN量子点在发光的同时可对红外波长吸收,从而引起量子点的发光减弱。即可以通过发光二极管发出的可见光发生变化的空间位置与红外光照到的点的一一对应来实现对目标的红外信号探测。本发明的优点是:红外响应的读出采用人眼对发光二极管的发光强度的直接判读而实现,大大简化了成像装置的结构。
-
公开(公告)号:CN100365829C
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200510026720.6
申请日:2005-06-14
申请人: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC分类号: H01L31/101 , H01L31/108 , H01L31/0304
摘要: 本发明公开了一种GaN基紫外-红外双色集成探测器,包括:蓝宝石衬底上依次排列生长的n+-GaN电极层、GaN基多量子阱、AlxGa1-xN紫外吸收层,所述双色集成探测器还包括位于AlxGa1-xN紫外吸收层上的叉指电极、位于n+-GaN电极层上的欧姆接触外电极。其中利用了MSM结构紫外探测器的叉指电极作为红外量子阱探测器的一维光栅,实现了外加偏压控制的可选择双色探测。本发明的双色探测器较之于传统的红外双色探测器有更大的光谱波段跨度,可以获得目标的特征波段图像,目标信息更加丰富准确。
-
公开(公告)号:CN100345317C
公开(公告)日:2007-10-24
申请号:CN200510111089.X
申请日:2005-12-02
申请人: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC分类号: H01L33/00
摘要: 本发明公开了一种利用铟镓氮量子阱发光二极管作为红外目标信号探测的成像装置。该成像装置包括:二片透镜、分束片、低温杜瓦和InGaN量子阱发光二极管。红外目标源前进的方向上依次置有第一透镜、对红外光全透和可见光全反的分束片和可作为红外目标源探测用的置于低温杜瓦中的发光二极管;发光二极管发出的可见光图像的前进方向上依次置有对红外光全透和可见光全反的分束片和第二透镜。它是利用二极管在低温下,发光中心富In的InGaN量子点在发光的同时可对红外波长吸收,从而引起量子点的发光减弱。即可以通过发光二极管发出的可见光发生变化的空间位置与红外光照到的点的一一对应来实现对目标的红外信号探测。本发明的优点是:红外响应的读出采用人眼对发光二极管的发光强度的直接判读而实现,大大简化了成像装置的结构。
-
公开(公告)号:CN1773729A
公开(公告)日:2006-05-17
申请号:CN200510029982.8
申请日:2005-09-23
申请人: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号: H01L31/101
摘要: 本发明公开了一种自放大红外探测器,它由InGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器以及AlAs\GaAs\AlAs共振隧穿二极管与InAs量子点组成的探测信号的自放大部分组成。本发明的优点是:巧妙地采用了量子点的量子限制效应和共振隧穿二极管电子的隧道效应,将二者有效结合作为红外量子阱探测器的自放大单元,并且与红外量子阱探测器可以集成在同一芯片上,是一种放大与探测已经完全集成的体系。
-
公开(公告)号:CN100392870C
公开(公告)日:2008-06-04
申请号:CN200510029982.8
申请日:2005-09-23
申请人: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号: H01L31/101
摘要: 本发明公开了一种自放大红外探测器,它由InGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器以及AlAs/GaAs/AlAs共振隧穿二极管与InAs量子点组成的探测信号的自放大部分组成。本发明的优点是:巧妙地采用了量子点的量子限制效应和共振隧穿二极管电子的隧道效应,将二者有效结合作为红外量子阱探测器的自放大单元,并且与红外量子阱探测器可以集成在同一芯片上,是一种放大与探测已经完全集成的体系。
-
-
-
-
-
-
-