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公开(公告)号:CN114023845B
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202010691039.8
申请日:2020-07-17
Applicant: 睿生光电股份有限公司
IPC: H01L31/14 , H01L31/12 , H01L31/0203
Abstract: 本揭示提供一种X射线装置,其包括阵列基板、闪烁体层、第一黏着层、功能膜以及第二黏着层。闪烁体层设置在阵列基板上。第一黏着层设置在闪烁体层与阵列基板之间。功能膜设置在阵列基板上。第二黏着层设置在功能膜与阵列基板之间。功能膜覆盖闪烁体层。
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公开(公告)号:CN108389931B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN201810332745.6
申请日:2018-04-13
Applicant: 中山大学
IPC: H01L31/14 , H01L25/075 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及半导体器件的技术领域,更具体地,涉及集光电极和微电极一体的生物神经芯片及其制备方法。该芯片的具体结构包括光电极部分以及微电极部分,光电极部分利用发光二极管发出470nm的光,刺激神经细胞产生神经电流信号,再由光电极附近的微电极部分接收神经信号电位变化,从而探测外加信号对神经细胞的影响,进而研究生物行为。光电极部分包括氮化镓基发光二极管、金属电极、透明导电层、温度传感器、金属线路和PAD电极;微电极部分包括透明薄膜电极或金属电极、金属线路和PAD电极。本发明将光电极和微电极集成一体,具有尺寸小、测试精度高、转换效率高、易植入生物体内等特点,实现了对神经细胞进行光刺激的同时进行神经电位的测量。
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公开(公告)号:CN110197860B
公开(公告)日:2021-05-28
申请号:CN201910459232.6
申请日:2019-05-29
Applicant: 深圳扑浪创新科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种上转换光发射光电晶体管及其制备方法和用途。所述晶体管包括依次连接的第一透明导电电极、空穴阻挡层、红外吸收层、介电层、金属层、第二透明导电电极、空穴注入层,空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和第三透明导电电极。所述制备方法包括从第一透明导电电极开始制备或者从第三透明导电电极开始制备。本发明提供的上转换光发射光电晶体管在外加电压的作用下,可以实现红外光信号到可见光信号的转换,具有器件效率高,生产成本低廉,器件发光对比度高的优点。
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公开(公告)号:CN111864007A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201910344351.7
申请日:2019-04-26
Applicant: 吴孟奇 , 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L31/14
Abstract: 一种光转换元件,包含发光单元、光电转换单元及导电接合层。所述光电转换单元在接受逆偏压时,能将光信号转换成电信号。所述导电接合层设置在所述发光单元与所述光电转换单元之间。所述发光单元为顺向偏压而所述光电转换单元为逆向偏压时,外部光照射所述光电转换单元,从而使所述发光单元产生调变光,其中,所述调变光的频率不同于所述外部光的频率。分别制作完成所述发光单元与所述光电转换单元,再使用覆晶技术以所述导电接合层连接所述发光单元与所述光电转换单元的同一型区,便可完成所述光转换元件,其光转换元件不需要繁琐的异质外延结构,也不需要高温高压的晶片熔融接合过程。
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公开(公告)号:CN104956497A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201380064016.2
申请日:2013-12-05
Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司
CPC classification number: H01L31/14 , H01L27/288 , H01L51/44 , H01L51/52 , H01L51/5268 , H05B33/0896
Abstract: 提出一种有机光电子器件,其具有:衬底(1);有机发光元件(2),所述有机发光元件在两个电极(21,22)之间具有有机发光层(22);检测辐射的有机元件(3),所述检测辐射的有机元件具有检测辐射的有机层(32),其中有机发光元件(2)和检测辐射的有机元件(3)设置在衬底(1)上,有机发光元件(2)构建用于:在运行中发射可见光,并且检测辐射的有机元件(3)构建用于:在运行中检测红外辐射。
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公开(公告)号:CN1411609A
公开(公告)日:2003-04-16
申请号:CN01802384.3
申请日:2001-06-07
Applicant: 皇家菲利浦电子有限公司
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2320/043 , G09G2320/045 , G09G2360/148 , H01L27/1255 , H01L27/3265 , H01L27/3269 , H01L29/4908 , H01L29/78633
Abstract: 一种在基片(50)上有像素阵列(10)的矩阵阵列显示装置,每个像素有一个,诸如一个场致发光显示元的显示元(20),以及相关的控制电路,该控制电路包括一个存储电容器(36)和与其相连的光敏元件(40),用于调节存储在电容器上的电荷并响应诸如由显示元发出的光,调节显示元的工作。光敏元件(40)包含薄膜半导体装置,每个薄膜半导体装置有一个带有横向隔开的、掺杂的接触区(53、54)的半导体材料条(52),而相关联的存储电容器(36)是由一个在接触区上实质相对于该半导体材料条横向延伸的导体层(58),并在接触区中间插入介电材料形成的。于是,即使由于制造容差可能使各部件层的尺寸变化,也能保证存储电容器和光敏装置特性之间具有预先确定的关系。该光敏装置最好包含一个栅控装置,其栅极在接触区之间的半导体条区上延伸。栅极介电层和电容器介电层可以包含一个共同层(56)的部分。另一种作法是,可以在半导体条的与栅极相对一侧提供导电层,并且还用作对环境光的屏蔽。
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公开(公告)号:CN1177842A
公开(公告)日:1998-04-01
申请号:CN97118577.8
申请日:1997-08-29
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 木村正信
IPC: H01L31/14 , H01L31/08 , H01L31/18 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/02005
Abstract: 本发明的目的在于解决光学部材附着的灰尘和粘接剂溢出所导致的画质变劣的问题。在光学玻璃113的周边部115涂敷粘接剂116,从在TAB带105的开口部108上粘接铜引线107的反面安装中央平面部114,接合光学玻璃113与TAB带105。此时中央平面部114与TAB带104基本在同一平面。因此,可以简单而确实地去除粘接剂116的溢出和光学玻璃113上存在的灰尘。
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公开(公告)号:CN116864554A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202210552119.4
申请日:2022-05-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/14 , H01L31/18 , H01L27/144
Abstract: 本公开涉及PIN二极管检测器、制造方法和包括PIN二极管检测器的系统。一种PIN二极管检测器包括衬底。PIN二极管检测器还包括位于像素区域中的多个PIN二极管阱,其中多个PIN二极管阱中的每一个具有第一掺杂剂类型。PIN二极管检测器还包括位于外围区域中的具有第一掺杂剂类型的连接环阱和多个浮置环阱。PIN二极管检测器还包括包围多个浮置环阱的场阻环阱,其中场阻环阱具有与第一掺杂剂类型相反的第二掺杂剂类型。PIN二极管检测器还包括毯式掺杂区域。毯式掺杂区域连续地延伸穿过整个像素区域和整个外围区域,并且毯式掺杂区域具有第二掺杂剂类型。
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公开(公告)号:CN110867496A
公开(公告)日:2020-03-06
申请号:CN201911111469.1
申请日:2019-11-15
Applicant: 北京科易达知识产权服务有限公司
Inventor: 不公告发明人
Abstract: 本发明提供一种红外可视化装置,由红外像素探测薄膜化器件和可见光发光薄膜化器件层叠组成;所述红外像素探测薄膜化器件依次由透明导电膜、红外光敏电阻膜、金属导电膜层叠组成;所述可见光发光薄膜化器件由金属薄膜电极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和透明电极层叠组成。本发明基于原位驱动转换的红外可视化技术概念和器件结构,在成像透镜焦平面上,通过原位驱动转换的红外可视化器件结构,直接将不可见的红外线转换成人眼可见的可见光。比较现有红外探测与成像的优势是:不需要复杂、昂贵的红外成像仪就可以实现红外探测与成像,可以实现低成本和轻量化红外探测与成像。
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公开(公告)号:CN108922940B
公开(公告)日:2020-03-06
申请号:CN201810782411.9
申请日:2018-07-17
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种光学检测像素单元、电路、光学检测方法和显示装置。所述光学检测像素单元包括光感元件和检测晶体管,其中,所述光感元件的第一极与光电压端连接,所述光感元件的第二极与所述检测晶体管的栅极连接;所述光感元件用于在所述光电压端的控制下,检测光信号;所述检测晶体管的第一极与检测电压线连接,所述检测晶体管的第二极与读取线连接。本发明采用的晶体管数目少,利于大阵列集成。
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