公开(公告)号：CN1125787A

公开(公告)日：1996-07-03

申请号：CN94114075.X

申请日：1994-12-30

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 廖晶莹 ,  沈炳孚 ,  邵培发 ,  周乐平 ,  万立瑾 ,  彭兆娟 ,  王腊妹 ,  徐学武

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B29/32

摘要： 本发明涉及一种用坩埚下降法生长大尺寸、高质量、多根同时生长闪烁晶体钨酸铅(PWO)的新技术，属于晶体生长领域。本发明采用99.9％纯度的PbO和WO3粉料，按化学计量配制，在900-1000℃保温半小时固相反应，为防止挥发向坩埚内通氧气继续升温到1200℃至全部熔融，注入铂衬模，制成多晶料锭，生长用籽晶采用定向的未经定向二种，生长温度1200-1250℃，生长速率0.4-0.6mm/小时生长界面温梯20-30℃/cm，生长速率0.4-0.6mm/小时。用本发明可同时生长2根、4根或8根PWO晶体。

公开(公告)号：CN1043479C

公开(公告)日：1999-05-26

申请号：CN94114075.X

申请日：1994-12-30

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 廖晶莹 ,  沈炳孚 ,  邵培发 ,  周乐平 ,  万立瑾 ,  彭兆娟 ,  王腊妹 ,  徐学武

IPC分类号： C30B29/32 ,  C30B11/02

摘要： 本发明涉及一种用坩埚下降法生长大尺寸、高质量、多根同时生长闪烁晶体钨酸铅(PWO)的新技术，属于晶体生长领域。本发明采用99.9%纯度的PbO和WO3粉料，按化学计量配制，在900-1000℃保温半小时固相反应，为防止挥发向坩埚内通氧气继续升温到1200℃至全部熔融，注入铂衬模，制成多晶料绽，生长用籽晶采用定向的未经定向二种，生长温度1200-1250℃，生长速率0.4-0.6mm/小时生长界面温梯20-30℃/cm，生长速率0.4-0.6mm/小时。用本发明可同时生长2根、4根或8根PWO晶体。