公开(公告)号：CN101092746B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200610148126.9

申请日：2006-12-27

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 严东生 ,  谢建军 ,  袁晖 ,  廖晶莹 ,  沈炳孚 ,  童乃柱 ,  邵培发 ,  叶崇志 ,  熊巍 ,  李培俊 ,  吴泓澍 ,  展宗贵 ,  陈良 ,  朱翔宇

IPC分类号： C30B29/32

摘要： 本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。本发明用F-和Sb3+离子双掺杂，在此基础上引入Mo6+，V5+，Nb5+，Zr4+和Ti4+等高价离子协同掺杂来提高钨酸铅晶体的光产额，掺杂量分别为100～8000ppm(at％)、100～5000ppm(at％)和0～10000ppm(at％)，制备方法上利用改进的坩埚下降法来生长具有相对较快衰减，光产额明显提高的阴阳异价离子协同掺杂的钨酸铅单晶。使用铂金坩埚生长。本发明可以同时生长多根高光产额PWO晶体，适于批量生产。

公开(公告)号：CN101092746A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200610148126.9

申请日：2006-12-27

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 严东生 ,  谢建军 ,  袁晖 ,  廖晶莹 ,  沈炳孚 ,  童乃柱 ,  邵培发 ,  叶崇志 ,  熊巍 ,  李培俊 ,  吴泓澍 ,  展宗贵 ,  陈良 ,  朱翔宇

IPC分类号： C30B29/32

摘要： 本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。本发明用F－和Sb3+离子双掺杂，在此基础上引入Mo6+，V5+，Nb5+，Zr4+和Ti4+等高价离子协同掺杂来提高钨酸铅晶体的光产额，掺杂量分别为100～8000ppm(at％)、100～5000ppm(at％)和0～10000ppm(at％)，制备方法上利用改进的坩埚下降法来生长具有相对较快衰减，光产额明显提高的阴阳异价离子协同掺杂的钨酸铅单晶。使用铂金坩埚生长。本发明可以同时生长多根高光产额PWO晶体，适于批量生产。