公开(公告)号：CN104562205A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510044104.7

申请日：2015-01-28

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 赵奇 ,  袁晖 ,  周尧 ,  熊巍 ,  陈良

IPC分类号： C30B29/34 ,  C30B11/00

摘要： 本发明涉及一种阴阳离子共掺杂的硅酸铋闪烁晶体及其制备方法，所述硅酸铋闪烁晶体掺杂有F-和Ba2+。F-离子和Ba2+离子的掺入，在一定程度上补偿了晶体内部局域电荷的不平衡；并且，F可打断硅氧四面体间桥氧并置换桥氧而进入BSO熔体，可减小硅氧集团层间的束缚力，从而降低BSO熔体粘度并减少宏观缺陷。

公开(公告)号：CN104562205B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510044104.7

申请日：2015-01-28

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 赵奇 ,  袁晖 ,  周尧 ,  熊巍 ,  陈良

IPC分类号： C30B29/34 ,  C30B11/00

摘要： 本发明涉及一种阴阳离子共掺杂的硅酸铋闪烁晶体及其制备方法，所述硅酸铋闪烁晶体掺杂有F‑和Ba2+。F‑离子和Ba2+离子的掺入，在一定程度上补偿了晶体内部局域电荷的不平衡；并且，F可打断硅氧四面体间桥氧并置换桥氧而进入BSO熔体，可减小硅氧集团层间的束缚力，从而降低BSO熔体粘度并减少宏观缺陷。