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公开(公告)号：CN105418926B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201410464412.0
申请日：2014-09-12
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: C08G77/24 , C09D183/08
Abstract: 本发明公开了一种含氟萘乙基硅树脂及其制备方法和应用。本发明以含氟萘乙基有机硅单体、烃基三氯硅烷、烃基二氯硅烷为起始原料，通过缩合反应制得溶胶；将所得溶胶溶液旋涂于硅片上，然后加热使其固化成膜，获得含氟萘乙基硅树脂；还可通过对膜进行退火处理，以进一步改善含氟萘乙基硅树脂的电学特性。可通过改变含氟萘乙基有机硅单体、烃基三氯硅烷、烃基二氯硅烷的比例来改变含氟萘乙基硅树脂的综合性能，使其符合人们对低介电常数材料的不同需求。本发明中含氟萘乙基硅树脂的介电常数可以达到2.0～2.5，因此可用作45nm以下的极大规模集成电路上的低介电常数材料。该含氟萘乙基硅树脂的制备方法简单，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN105418927B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201410465737.0
申请日：2014-09-12
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种低介电常数材料薄膜及其制备方法。本发明以含氟萘乙基有机硅单体和烃基二氯硅烷为起始原料，以四甲基二乙烯基硅氧烷为封端剂，通过缩合反应制得含氟萘乙基乙烯基硅油；该含氟萘乙基乙烯基硅油和含氢硅油或者含氢硅氧烷混合，涂于硅片上形成一层薄膜，利用紫外光照射使所述薄膜发生发应，然后对薄膜进行退火处理，制得所述低介电常数材料薄膜。本发明中制得的低介电常数材料薄膜的介电常数可达2.0～2.5，因此可用作45nm以下的极大规模集成电路上的低介电常数材料。该低介电常数材料薄膜的制备方法简单，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN105924461B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201610272811.6
申请日：2016-04-28
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
Abstract: 本发明提供一种硼辅助冠醚化合物及其制备方法和应用。所述硼辅助冠醚化合物具有式1所示的结构通式；式中，各基团的定义如说明书中所述。本发明将硼引入冠醚，呈电中性的硼辅助冠醚与碱金属络合物能改善萃取的分配和分离系数；硼氧键关环的硼辅助冠醚化合物作为萃取剂可被质子开环，有可能实现选择性的碱金属离子络合开关，所述硼辅助冠醚化合物克服了传统冠醚作为碱金属离子提取分离的缺陷，在碱金属离子的提取分离，尤其是锂离子的分离上有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105924461A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610272811.6
申请日：2016-04-28
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
CPC classification number: Y02P10/234 , C07F5/022 , C22B3/0036 , C22B26/10 , C22B26/12
Abstract: 本发明提供一种硼辅助冠醚化合物及其制备方法和应用。所述硼辅助冠醚化合物具有式1所示的结构通式；式中，各基团的定义如说明书中所述。本发明将硼引入冠醚，呈电中性的硼辅助冠醚与碱金属络合物能改善萃取的分配和分离系数；硼氧键关环的硼辅助冠醚化合物作为萃取剂可被质子开环，有可能实现选择性的碱金属离子络合开关，所述硼辅助冠醚化合物克服了传统冠醚作为碱金属离子提取分离的缺陷，在碱金属离子的提取分离，尤其是锂离子的分离上有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103896980B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201410165878.0
申请日：2014-04-23
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
Abstract: 本发明提供一种有机硅化合物的提纯方法，所述有机硅化合物的提纯方法至少包括：将有机硅化合物和磁粉在第一温度下搅拌均匀形成有机硅化合物和磁粉的混合物；从所述有机硅化合物和磁粉的混合物中提取出有机硅化合物。本发明采用将磁粉和需要提纯的有机硅化合物进行混合，以利用磁粉将有机硅化合物中的金属杂质吸附出来。另外还通过精馏的方式将有机硅化合物中的有机杂质去除，得到纯度大于99.9％的有机硅化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104801262A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410040144.X
申请日：2014-01-27
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
CPC classification number: B01J20/06 , B01J20/28007 , B01J20/28009 , B01J20/3204 , B01J20/3236 , B01J20/3433 , B01J20/3475
Abstract: 本发明公开了一种磁性复合水合二氧化钛吸附剂，其内核物质为粒径10nm~30μm的Fe3O4或γ-Fe2O3磁性颗粒，在所述磁性颗粒的表面包覆有水合二氧化钛，所述磁性颗粒与所述水合二氧化钛为共价键连接，其中，所述磁性复合水合二氧化钛中水合二氧化钛质量含量为30-70%。本发明中公开的磁性复合水合二氧化钛吸附剂对铀等金属离子具有良好吸附能力的从而实现铀等金属离子从水中的提取，同时加载的磁性吸附剂可通过磁分离系统回收，实现循环使用。
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公开(公告)号：CN103896980A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410165878.0
申请日：2014-04-23
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
Abstract: 本发明提供一种有机硅化合物的提纯方法，所述有机硅化合物的提纯方法至少包括：将有机硅化合物和磁粉在第一温度下搅拌均匀形成有机硅化合物和磁粉的混合物；从所述有机硅化合物和磁粉的混合物中提取出有机硅化合物。本发明采用将磁粉和需要提纯的有机硅化合物进行混合，以利用磁粉将有机硅化合物中的金属杂质吸附出来。另外还通过精馏的方式将有机硅化合物中的有机杂质去除，得到纯度大于99.9％的有机硅化合物。
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公开(公告)号：CN104592291B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201310530885.1
申请日：2013-10-30
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: C07F7/21
Abstract: 本发明提供了一种有机硅化合物中金属杂质的去除方法，该方法包括以下步骤：（1）将待提纯的有机硅化合物与预定比例的金属吸附剂和极性溶剂混合形成混合物；（2）在一定温度和常压下搅拌一定的时间；（3）分阶段升高加热温度，在一定的真空度下，将混合物汽化然后冷凝，分别将不同阶段的馏分收集在不同的接收瓶中。本发明解决了高纯有机硅氧烷在制备过程中有机杂质和金属杂质难去除的问题，特别是环聚硅氧烷中微量金属离子的去除，使有机硅氧烷中有机及金属杂质含量达到高纯半导体级。同时，本方法将溶解、吸附和精馏相结合，一步法完成了有机硅氧烷的提纯过程，简化了操作，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN103145752B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310090688.2
申请日：2013-03-20
Applicant: 中国科学院上海高等研究院 , 上海爱默金山药业有限公司
IPC: C07F7/21
Abstract: 本发明提供一种去除有机硅中金属离子的方法。根据本发明的方法，先将待提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合形成混合物，随后再将所述混合物预热后进行精馏，并将精馏后的轻组分冷凝以获得高纯有机硅，由此可有效去除有机硅，尤其是环聚硅氧烷中K，Na等金属离子，使环聚硅氧烷中金属杂质含量达到CMOS级。
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公开(公告)号：CN103113401B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310090684.4
申请日：2013-03-20
Applicant: 中国科学院上海高等研究院 , 上海爱默金山药业有限公司
IPC: C07F7/21
Abstract: 本发明提供一种生产高纯有机硅的方法及装置。根据本发明的方法，先将待提纯的有机硅加热后进行第一次精馏，冷凝后获得初步提纯的有机硅；随后再将所述初步提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合，并预热后进行第二次精馏，冷凝过滤后获得高纯有机硅。实现本发明的方法的优选装置至少包括：包含加热器、第一冷凝器的第一精馏设备通过静态管道混合器及预热器连接包含第二冷凝器及过滤单元的第二精馏设备，其中，所述静态管道混合器用于将所述第一精馏设备输出的有机硅与金属络合剂混合，由此可以输出电子级高纯有机硅，尤其可以输出含量>99.99%,金属杂质总量
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