-
公开(公告)号：CN118311838A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410688246.6
申请日：2024-05-30
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 本公开的实施例提供一种吹气承片装置、光刻装置及光刻方法，吹气承片装置包括：吹气承片台，被配置为承托基片，吹气承片台表面为平面，平面被划分为至少一个场区，每个场区用作曝光场和/或压印场；场区内设置有多个贯穿吹气承片台的通气孔；通气控制组件，通过吹气管道与通气孔连通，通气控制组件被配置为通过通气孔向对应的场区通入气体来控制场区内的气压或气流，以控制场区对应的基片的形变量，使场区对应的基片贴合掩模；间隙检测组件，被配置为检测基片与掩模之间的间隙值；控制系统，被配置为基于间隙值控制通气控制组件调整场区内的气压或气流。
-
公开(公告)号：CN117761804A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311470034.2
申请日：2023-11-07
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 本发明公开了一种全金属复合相位超表面及左右旋相位独立调控方法，超表面自下而上包括金属衬底层；超表面结构层，包括多个呈周期性排列的金属超构原子，所述金属超构原子为具有三重旋转对称性的Y形结构；其中，所述多个金属超构原子具有相同或不同的面内旋转角以引入自旋相关的广义几何相位调控，所述多个金属超构原子中的Y形结构具有相同或不同的臂长和/或臂宽以引入自旋无关的传输相位调控，所述超表面能够在圆偏振光的入射下实现高偏振转换效率的左右旋相位独立调控，对实现高效的多维度光场调控器件具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN117518312A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311614862.9
申请日：2023-11-28
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 本公开提供一种基于液体透镜的变倍光学系统，该系统沿光轴从物侧至像侧依次包括：第一透镜组(I)，具有正屈光力，用于使光路收束；第一液体透镜组(IV‑1)，为可变焦透镜组，用于改变系统的放大倍率；第二透镜组(II)，具有正屈光力，用于平衡系统的像差；第二液体透镜组(IV‑2)，为可变焦透镜组，用于补偿变倍过程中系统的焦面变化；第三透镜组(III)，具有正屈光力，用于使光路会聚。本公开的系统利用液体透镜代替传统变倍透镜组，无需在系统结构上加工凸轮曲线，在保证系统使用要求的同时，降低了系统的加工精度要求，提高了系统的稳定性。
-
公开(公告)号：CN117348136A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311559466.0
申请日：2023-11-21
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 本公开提供一种离轴照明光栅及其制备方法、可分离式离轴照明光刻掩模，该制备方法包括：S1，采用电子束光刻和反应离子束刻蚀制备具有光栅图形的光栅母版(1)；S2，通过第一纳米压印将光栅母版(1)上的光栅图形复制到工作模版(2)的表面，形成具有光栅图形的工作模版；S3，在基片(3)上依次制备光栅材料层(4)、传递层(5)和压印胶层(6)，通过第二纳米压印将S2得到的工作模版(2)的光栅图形复制到压印胶层(6)上，并进行固化；S4，将压印胶层(6)上的光栅图形依次刻蚀传递至传递层(5)、光栅材料层(4)，去除残余的传递层(5)，得到离轴照明光栅。本公开的离轴照明光栅与掩模可分离，可以重复利用。
-
公开(公告)号：CN117008427A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311030916.7
申请日：2023-08-15
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 本公开提供一种基于瞬态照明的超分辨光刻分辨力增强方法，包括：S1，根据掩模参数优化设计稳态照明下的光源波长、超透镜各膜层参数；S2，根据各膜层参数进行瞬态照明下的成像光场仿真，获取目标分辨力下光刻胶中心达到成像对比度要求且总光场能量占比最大时所对应的瞬态照明参数，并确认相应的曝光时间段；S3，通过参数扫描仿真微调瞬态照明下的超透镜各膜层结构参数，获取目标分辨力下光刻胶中心达到成像对比度要求且总光场能量占比最大时所对应的各膜层结构优化参数；S4，根据瞬态照明参数、曝光时间段和各膜层结构优化参数进行成像光场仿真，判断成像效果是否符合预期，若是，则当前参数为目标参数；若否，则重复S1～S4直至成像效果符合预期。
-
公开(公告)号：CN114815496B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210372026.3
申请日：2022-04-08
申请人： 中国科学院光电技术研究所
IPC分类号： G03F1/36
摘要： 本公开提供一种应用于超分辨光刻的像素化光学邻近效应修正方法，包括：S1，根据目标图形得到像素化的初始掩模数据；S2，根据初始掩模数据和超分辨光刻的条件计算光刻胶输出图形与目标图形的成像误差；S3，对初始掩模数据进行编码，初始化超分辨光刻的结构参数、基于协方差矩阵自适应更新策略算法的参数；S4，利用基于协方差矩阵自适应更新策略算法进行迭代运算，直至获得满足预设条件的掩模数据，完成光学邻近效应的修正。本公开还提供一种将像素化光学邻近效应修正应用于超分辨光刻的方法、像素化光学邻近效应修正系统、电子设备、存储介质和程序产品。
-
公开(公告)号：CN115047609B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202210777395.0
申请日：2022-07-01
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 本公开提供了一种基于布洛赫表面波结构光照明的超分辨成像系统及方法，该方法包括：根据待成像样品确定多波长成像的工作波长；根据工作波长确定照明模块中截断的一维光子晶体结构，以调控其能带禁带、布洛赫表面波色散曲线覆盖工作波长；根据工作波长和截断的一维光子晶体结构确定照明模块中的周期性光栅结构，以使周期性光栅结构的高阶衍射光与布洛赫表面波模式耦合；使用多波长平面波激发照明模块，以产生布洛赫表面波结构光照明待成像样品；分别采集每个工作波长下待成像样品产生的荧光信息，得到多幅衍射受限成像子图；根据多幅衍射受限成像子图利用超分辨恢复算法分别重构出每个工作波长下的超分辨结果，得到多波长多模态的超分辨成像图案。
-
-
公开(公告)号：CN115831721A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211451697.5
申请日：2022-11-18
申请人： 中国科学院光电技术研究所
IPC分类号： H01L21/033
摘要： 本公开提供了一种基于侧壁保护的硬掩模刻蚀方法，包括：S1，制备超分辨光刻结构，自下而上依次包括衬底、介质层、含碳硬掩模层、含Si抗反射涂层、金属层和感光膜层；S2，在感光膜层中形成光刻图形结构，并依次刻蚀传递至金属层、含Si抗反射涂层，光刻图形结构包括在含Si抗反射涂层中形成的凹陷结构；S3，利用保护气体在含Si抗反射涂层上沉积聚合物，至少使含Si抗反射涂层的凹陷结构侧壁形成聚合物保护层；S4，利用等离子体刻蚀去除凹陷结构底部的聚合物保护层并继续刻蚀含碳硬掩模层，凹陷结构侧壁被聚合物保护层保护；S5，在凹陷结构侧壁的聚合物保护层消耗完之前，重复进行S3～S4，直至将光刻图形结构传递至含碳硬掩模层。
-
公开(公告)号：CN115616827A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211318933.6
申请日：2022-10-26
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 本发明公开了复合非线性超表面及其二次谐波左右旋相位独立调控方法，超表面自下而上包括衬底层；非线性介质层；超表面结构层，包括多个呈周期性排列的金属超构原子；金属超构原子具有三重旋转对称性，包括Y形结构和分别与Y形结构的三条臂端部连接的三段圆弧结构；圆弧结构具有内弧和外弧，外弧所对应半圆心角与内弧所对应半圆心角之间具有预设的角度差；所述多个金属超构原子具有相同或不同的面内旋转角以引入自旋相关的非线性几何相位调控，多个金属超构原子中的圆弧结构具有相同或不同的内弧所对应半圆心角以引入自旋无关的传输相位调控，该超表面能够在圆偏振态基波的泵浦下实现二次谐波左右旋相位的独立调控，对非线性光学系统有重要意义。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
575 条记录 (耗时 0.051 秒)
