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    一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用
    2.
    发明授权
    一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用 有权

    公开(公告)号：CN105789451B

    公开(公告)日：2018-05-25

    申请号：CN201610244438.3

    申请日：2016-04-19

    申请人： 中国科学院化学研究所

    发明人： 李永舫 ,  王彬彬 ,  张志国

    IPC分类号： H01L51/44 ,  H01L51/48

    CPC分类号： Y02E10/549

    摘要： 本发明公开了一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用。所述钙钛矿晶体薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)配制供体A和供体B的溶液，经搅拌得到钙钛矿前体溶液；2)在空气气氛中，将钙钛矿前体溶液旋涂于基底上，得到设有钙钛矿活性层的基底；3)设有钙钛矿活性层的基底经下述a)或b)或c)处理即得钙钛矿晶体薄膜：a)在空气中放置，直至钙钛矿活性层变为黑色；b)在空气中进行热退火，直至钙钛矿活性层变为黑色；c)在空气中，采用水蒸汽调控设有钙钛矿活性层的基底所在体系的湿度，对钙钛矿活性层进行水蒸汽退火处理，直至钙钛矿活性层变为黑色。利用该方法制备的平面异质结钙钛矿电池的光电转化效率达到16.4％，高于大多数热退火工艺得到的电池效率。

    一种含有苯并三氮唑类共轭聚合物及其制备方法与在非富勒烯聚合物太阳能电池中的应用
    3.
    发明授权
    一种含有苯并三氮唑类共轭聚合物及其制备方法与在非富勒烯聚合物太阳能电池中的应用 有权

    公开(公告)号：CN105524256B

    公开(公告)日：2017-11-21

    申请号：CN201610003782.3

    申请日：2016-01-04

    申请人： 中国科学院化学研究所

    发明人： 张志国 ,  宾海军 ,  李永舫

    IPC分类号： C08G61/12 ,  H01L51/00

    摘要： 本发明公开了一种含有苯并三氮唑类共轭聚合物及其制备方法与在非富勒烯聚合物太阳能电池中的应用。本发明所提供的含有苯并三氮唑类共轭聚合物的结构式如式I所示。本发明提供了一种苯并三氮唑类中等带隙聚合物材料，所述材料与窄带隙n‑型小分子受体材料在吸收上有很大的互补性，且具有较好的电荷传输性能以及合适的电子能级，能够作为电子给体材料与窄带n‑型小分子受体材料匹配，应用于非富勒烯聚合物太阳能电池器件。由本发明苯并三氮唑类中等带隙聚合物材料制备太阳能电池器件的方法简单，制备的电池器件的开路电压高，光谱响应范围宽，填充因子高，有望在全聚合物太阳能电池中得到应有。

    一种喹喔啉类共轭聚合物及其制备方法与其在聚合物太阳电池中的应用
    5.
    发明授权
    一种喹喔啉类共轭聚合物及其制备方法与其在聚合物太阳电池中的应用 有权

    公开(公告)号：CN108948327B

    公开(公告)日：2020-08-21

    申请号：CN201710354690.4

    申请日：2017-05-19

    申请人： 中国科学院化学研究所

    发明人： 孙晨凯 ,  李永舫 ,  张志国 ,  潘飞

    IPC分类号： C08G61/12 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

    摘要： 本发明公开了一种喹喔啉类共轭聚合物及其制备方法与应用。本发明所提供的喹喔啉类共轭聚合物的结构式如式I所示。本发明提供了一种喹喔啉类中等带隙共轭聚合物材料，所述材料与窄带隙n‑型小分子受体材料在太阳光吸收上表现出完美的互补性，并且具有合适的电子能级和较好的电荷传输性能，因此能够作为电子给体材料与窄带隙n‑型小分子受体材料匹配应用于聚合物太阳电池器件。由于本发明中喹喔啉类共轭聚合物合成步骤简单，产率高，并且制备的聚合物太阳电池器件光谱响应范围宽，开路电压高，填充因子高，有望在聚合物太阳电池的商业化中得到应有。

    一种硅烷取代的二维共轭聚合物及其制备方法与在光伏器件中的应用
    6.
    发明授权
    一种硅烷取代的二维共轭聚合物及其制备方法与在光伏器件中的应用 有权

    公开(公告)号：CN106046328B

    公开(公告)日：2018-08-24

    申请号：CN201610051630.0

    申请日：2016-01-26

    申请人： 中国科学院化学研究所

    发明人： 张志国 ,  宾海军 ,  李永舫

    IPC分类号： C08G61/12 ,  C08L65/00 ,  H01L51/46

    CPC分类号： Y02E10/549

    摘要： 本发明公开了一种硅烷取代的二维共轭聚合物及其制备方法与在光伏器件中的应用。二维共轭聚合物的结构式如式I所示，式I中，Ar1为共轭芳环或由所述共轭芳环构筑形成的稠环，所述共轭芳环为噻吩、并噻吩、苯环、呋喃或硒吩；R1、R2和R3均独立地选自硅烷基、H、卤素、烷氧基和烷硫基中任一种，且R1、R2和R3中至少一种取代基为硅烷基；所述硅烷基为碳原子数为1～30的直链或支链硅烷基。本发明提供了一种硅烷基取代的二维共轭聚合物，所述材料的光电性能得到了很大的调控，具有较好的电荷传输性能以及合适的电子能级，能够作为电子给体材料与窄带n‑型小分子受体材料匹配，应用于非富勒烯聚合物太阳能电池器件。

    一类烷氧基取代的芳香稠环结构单元及其合成方法与应用
    7.
    发明授权
    一类烷氧基取代的芳香稠环结构单元及其合成方法与应用 有权

    公开(公告)号：CN109748925B

    公开(公告)日：2020-09-18

    申请号：CN201711069077.4

    申请日：2017-11-03

    申请人： 中国科学院化学研究所

    发明人： 李骁骏 ,  李永舫 ,  潘飞 ,  张志国

    IPC分类号： C07D495/04 ,  H01L51/54

    摘要： 本发明公开了一种烷氧基取代稠环共轭结构以及基于该结构的稠环共轭小分子受体材料的制备方法及其在光伏器件中的应用。烷氧基取代稠环共轭结构式如式I所示，基于烷氧基取代稠环共轭结构的小分子受体结构式如式I’所示。本发明提供的制备上述烷氧基取代稠环共轭结构以及基于这种结构的有机小分子受体的方法，原料廉价，合成工艺简单，操作方便、产物产率高且可以克计量以上合成，经仪器检测所得化合物结构正确，稳定性好，且所述材料的光电性能得到了很大的调控，具有较好的电荷传输性能以及合适的电子能级，能够作为电子受体材料与宽或中等带隙p‑型小分子或聚合物给体材料匹配，应用于非富勒烯有机太阳能电池中。

    一种窄带隙n-型聚合物受体及其制备方法与应用
    8.
    发明授权
    一种窄带隙n-型聚合物受体及其制备方法与应用 有权

    公开(公告)号：CN107298758B

    公开(公告)日：2019-06-18

    申请号：CN201710532586.X

    申请日：2017-07-03

    申请人： 中国科学院化学研究所

    发明人： 张志国 ,  杨延康 ,  李永舫

    IPC分类号： C08G61/12 ,  H01L51/46

    CPC分类号： Y02E10/549

    摘要： 本发明公开了一种新型窄带隙n‑型聚合物及其制备方法与应用。所述聚合物的结构式如式I所示的，式I中的共聚单元1为A‑D‑A型分子单元，D为芳香稠环单元，A为缺电子受体单元；式I中的共聚单元2为共轭芳环单元。本发明提供的窄带n‑型隙聚合物材料，其材料成膜性能好，具有较高的摩尔吸光系数和热稳定性且具有较好的电荷传输性能以及合适的电子能级，能够作为电子受体材料与p‑型电子给体聚合物匹配，应用于全聚合物太阳能电池器件。

    一类烷氧基取代的芳香稠环结构单元及其合成方法与应用
    9.
    发明公开
    一类烷氧基取代的芳香稠环结构单元及其合成方法与应用 有权

    公开(公告)号：CN109748925A

    公开(公告)日：2019-05-14

    申请号：CN201711069077.4

    申请日：2017-11-03

    申请人： 中国科学院化学研究所

    发明人： 李骁骏 ,  李永舫 ,  潘飞 ,  张志国

    IPC分类号： C07D495/04 ,  H01L51/54

    摘要： 本发明公开了一种烷氧基取代稠环共轭结构以及基于该结构的稠环共轭小分子受体材料的制备方法及其在光伏器件中的应用。烷氧基取代稠环共轭结构式如式I所示，基于烷氧基取代稠环共轭结构的小分子受体结构式如式I’所示。本发明提供的制备上述烷氧基取代稠环共轭结构以及基于这种结构的有机小分子受体的方法，原料廉价，合成工艺简单，操作方便、产物产率高且可以克计量以上合成，经仪器检测所得化合物结构正确，稳定性好，且所述材料的光电性能得到了很大的调控，具有较好的电荷传输性能以及合适的电子能级，能够作为电子受体材料与宽或中等带隙p-型小分子或聚合物给体材料匹配，应用于非富勒烯有机太阳能电池中。