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公开(公告)号：CN102638000A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210119276.2
申请日：2012-04-20
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 一种在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法，包括如下步骤：在SOI片最上的硅层上刻蚀出硅波导和两侧的硅挡墙结构；在硅波导上横向刻蚀出多个沟槽；在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，形成SOI波导结构；在一衬底上生长III-V族半导体激光器结构；在N、P面制作金属电极；在形成的激光器结构N面金属电极上光刻腐蚀出光耦合窗口，形成键合激光器结构；将SOI波导结构和键合激光器结构键合到一起。本发明中通过采用普通光刻和反应离子刻蚀(RIE)方法在硅波导上制作一定尺寸的沟槽来实现单模激射，具有低成本、工艺简单、宽温度工作范围、高可靠性等优点。
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公开(公告)号：CN102364771A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201110355379.4
申请日：2011-11-10
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 一种水汽探测用激光芯片的制造方法，包括如下步骤：步骤1：在n型InP衬底上依次外延生长InP缓冲层、下波导层、多量子阱结构、上波导层和p-n反型层；步骤2：采用全息曝光法在p-n反型层和上波导层上制作复耦合光栅；步骤3：在复耦合型光栅上二次外延生长出第一p-InP盖层、刻蚀停止层、第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层；步骤4：在第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层上腐蚀出脊型波导结构，并大面积淀积二氧化硅层；步骤5：刻蚀掉中间的脊型波导结构上面的二氧化硅层，形成窗口；步骤6：在脊型波导结构和窗口的表面溅射出P面电极并蒸发出N面电极。
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公开(公告)号：CN102364772A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201110355383.0
申请日：2011-11-10
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 一种一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n-InP衬底上依次外延生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层和p-n反型层；步骤2：在InGaAsP上波导层和p-n反型层上刻蚀出复耦合型光栅；步骤3：在复耦合型光栅上二次外延生长出第一p-InP盖层、刻蚀停止层、第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层；步骤4：在第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层上腐蚀出脊型波导结构，并大面积淀积二氧化硅层；步骤5：刻蚀掉中间的脊型波导结构上面的二氧化硅层，形成窗口；步骤6：在脊型波导结构和窗口的表面溅射出P面电极并蒸发出N面电极。
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公开(公告)号：CN102162968B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010591447.2
申请日：2010-12-08
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： G02F1/39
摘要： 一种量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法，包括：在n型InP衬底上外延生长n型InP缓冲层、电吸收调制器下限制层、电吸收调制器多量子阱、电吸收调制器上限制层和本征InP注入缓冲层；生长SiO2保护层；形成放大器区和电吸收调制器区；腐蚀掉电吸收调制器区的SiO2保护层，在本征InP注入缓冲层上生长SiO2层；快速热退火；腐蚀掉SiO2层；在电吸收调制器上限制层上依次生长n型InP光限制因子调整层、放大器下限制层、放大器多量子阱和放大器上限制层；腐蚀掉电吸收调制器区的放大器上限制层、放大器多量子阱、放大器下限制层和n型InP光限制因子调整层；在放大器区和电吸收调制器区上生长p型InP包层和p型InGaAs电极接触层，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN102162968A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010591447.2
申请日：2010-12-08
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： G02F1/39
摘要： 一种量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法，包括：在n型InP衬底上外延生长n型InP缓冲层、电吸收调制器下限制层、电吸收调制器多量子阱、电吸收调制器上限制层和本征InP注入缓冲层；生长SiO2保护层；形成放大器区和电吸收调制器区；腐蚀掉电吸收调制器区的SiO2保护层，在本征InP注入缓冲层上生长SiO2层；快速热退火；腐蚀掉SiO2层；在电吸收调制器上限制层上依次生长n型InP光限制因子调整层、放大器下限制层、放大器多量子阱和放大器上限制层；腐蚀掉电吸收调制器区的放大器上限制层、放大器多量子阱、放大器下限制层和n型InP光限制因子调整层；在放大器区和电吸收调制器区上生长p型InP包层和p型InGaAs电极接触层，完成器件的制作。
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