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公开(公告)号:CN119811827A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202510287833.9
申请日:2025-03-12
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院 , 桂林智源电力电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种超导磁体电源线性可控退磁模组及其控制方法,所述超导磁体电源线性可控退磁模组包括:换流开关模块、第一电阻与多个分流支路;换流开关模块串联于磁体变流器与磁体之间;第一电阻以及每一分流支路,均与换流开关模块并联;每一分流支路,均由IGBT器件与第二电阻串联组成。所述控制方法包括:在需要退磁时,导通分流支路的IGBT器件,关断换流开关模块,以使电流换流到分流支路上;通过依次切出分流支路,维持磁体退磁速率,直至最后一个分流支路切出,电流换流至第一电阻,当电流降为零时完成退磁。本发明能够使磁体以恒定速率退磁,退磁过程灵活可控。
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公开(公告)号:CN119781363A
公开(公告)日:2025-04-08
申请号:CN202510280402.X
申请日:2025-03-11
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院 , 桂林智源电力电子有限公司
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明公开的一种磁体换流开关的控制方法、系统和设备,涉及换流开关技术领域,通过将并联的若干MOSFET和移能电阻进行并联,得到磁体变流器的换流开关电路;采集所述磁体变流器的实际电流值;计算所述实际电流值与预设电流值的差值,得到磁体变流器的工作状态;所述工作状态包括稳态和退磁;当所述工作状态为稳态时,自适应调整所述MOSFET,以维持所述实际电流值;当所述工作状态为退磁时,缓慢关断所述MOSFET,直至所述实际电流值不大于所述预设电流值。采用本发明实施例,基于MOSFET导通内阻可变特性形成的换流开关电路,通过调节MOSFET栅源极电压,可缓慢关断实现换流,且调节范围灵活可控,能够消除换流过程开关损耗及关断过电压问题。
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公开(公告)号:CN118213154A
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202410328915.9
申请日:2024-03-21
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: H01F13/00
Abstract: 本发明涉及一种超导磁体电源非线性时变退磁控制方法,第一阶段:设定调整模块恒功率值P设定以及调整模块最大工作电压VDSmax;实时检测调整模块实际电压V实际以及磁体电流值I;判断调整模块实际电压V实际是否达到所设定的最大工作电压VDSmax,若为否,则调节调整模块的功率值达到恒功率值P设定,并让磁体进行恒功率退磁,若为是,则停止进行恒功率退磁模式,并进入第二阶段;第二阶段:经外部驱动电路对调整模块电压值进行调节,以使磁体按调整模块所设定的最大工作电压VDSmax进行恒压退磁。有益效果为:可加快磁体退磁速率,考虑了功率裕量的同时,避免过度的功率冗余,也使得该种退磁方式下磁体退磁速率可适时灵活调整。
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