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发明公开
一种基于MD级联构型分析的钨辐照缺陷产生方法及系统审中-实审

公开(公告)号：CN114664386A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210290058.9

申请日：2022-03-23

申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院

发明人： 张传国 , 李永钢 , 郑淇蓉 , 魏留明 , 程凡 , 曾雉

IPC分类号： G16C10/00 , G16C60/00

摘要： 本发明提供一种基于MD级联构型分析的钨辐照缺陷产生方法及系统包括：对PKA能谱采用随机抽样方法得到单个PKA能量Epka；由PKA能量得到相应的级联能量；依照缺陷数目和依照缺陷团簇数目进行后续抽样操作；通过级联能量得到缺陷团簇尺寸分布参数；通过缺陷团簇尺寸分布参数即可得到相应的尺寸分布形式，依照缺陷团簇尺寸分布形式随机抽样得到间隙团簇或空位团簇的尺寸；通过级联能量得到缺陷团簇空间分布参数；通过缺陷团簇空间分布参数得到缺陷团簇空间分布形式，依照缺陷团簇径向和角向分布形式随机抽样得到间隙团簇或空位团簇的位置，进而得到整个级联缺陷构型。本发明解决了辐照缺陷多尺度模拟框架中缺陷初始分布产生效率和精度无法兼顾的技术问题。