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公开(公告)号：CN112242204A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011128436.0
申请日：2020-10-21
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院 , 中国核动力研究设计院
摘要： 本发明公开了一种钼基金属陶瓷核燃料芯块，包括钼基金属陶瓷基体，所述钼基金属陶瓷基体上具有呈阵列式均匀排列的通孔结构，所述通孔结构的内壁具有保护层，且所述保护层将通孔结构的内壁完全覆盖。本发明通过在原料石墨棒表面形成一层均匀的钼基金属涂层，并将其呈阵列式均匀排列在钼基金属陶瓷前驱粉体中，烧结后通过切、削、钻、磨等机械精加工工艺，从而在燃料芯块基体中形成内壁具有一定厚度的钼基金属保护层的通孔，避免了燃料芯块钼基金属陶瓷基体内部陶瓷相与外界环境的直接接触，起到保护作用，提高了钼基金属陶瓷核燃料芯块运行的安全可靠性。
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公开(公告)号：CN112271006B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011096746.9
申请日：2020-10-14
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院 , 中国核动力研究设计院
摘要： 本发明公开了一种具有大长径比通孔的蜂窝状钼基金属陶瓷的加工方法，涉及核燃料芯块加工技术领域，包括以下步骤：将钼金属粉体或钼基金属粉体与核燃料陶瓷颗粒混合，得混合粉体；将石墨棒和混合粉体填充到模具内，冷压成型成胚体；将胚体在无氧气氛下进行烧结，得钼基金属陶瓷块材；将钼基金属陶瓷块材两端进行切割，使得石墨棒两端暴露，采用机械加工去除石墨棒，清洗，烘干，即得。本发明可以制备出通孔数量、孔径、孔长度、孔取向及孔分布的均可控的蜂窝状钼基金属陶瓷，且方法操作简单且易实现工业化，具有广阔的发展前景。
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公开(公告)号：CN112242204B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011128436.0
申请日：2020-10-21
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院 , 中国核动力研究设计院
摘要： 本发明公开了一种钼基金属陶瓷核燃料芯块，包括钼基金属陶瓷基体，所述钼基金属陶瓷基体上具有呈阵列式均匀排列的通孔结构，所述通孔结构的内壁具有保护层，且所述保护层将通孔结构的内壁完全覆盖。本发明通过在原料石墨棒表面形成一层均匀的钼基金属涂层，并将其呈阵列式均匀排列在钼基金属陶瓷前驱粉体中，烧结后通过切、削、钻、磨等机械精加工工艺，从而在燃料芯块基体中形成内壁具有一定厚度的钼基金属保护层的通孔，避免了燃料芯块钼基金属陶瓷基体内部陶瓷相与外界环境的直接接触，起到保护作用，提高了钼基金属陶瓷核燃料芯块运行的安全可靠性。
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公开(公告)号：CN112271006A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011096746.9
申请日：2020-10-14
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院 , 中国核动力研究设计院
摘要： 本发明公开了一种具有大长径比通孔的蜂窝状钼基金属陶瓷的加工方法，涉及核燃料芯块加工技术领域，包括以下步骤：将钼金属粉体或钼基金属粉体与核燃料陶瓷颗粒混合，得混合粉体；将石墨棒和混合粉体填充到模具内，冷压成型成胚体；将胚体在无氧气氛下进行烧结，得钼基金属陶瓷块材；将钼基金属陶瓷块材两端进行切割，使得石墨棒两端暴露，采用机械加工去除石墨棒，清洗，烘干，即得。本发明可以制备出通孔数量、孔径、孔长度、孔取向及孔分布的均可控的蜂窝状钼基金属陶瓷，且方法操作简单且易实现工业化，具有广阔的发展前景。
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公开(公告)号：CN112030125B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010869554.0
申请日：2020-08-26
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/16 , C04B35/622 , C04B35/505 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种ODS金属薄膜材料的制备方法，即首次采用磁控溅射的方法，通过改变金属靶材的结构，在Ar气氛中将金属基复合靶材进行溅射、沉积，从而在基底上实现ODS弥散强化金属薄膜材料的制备。本发明的ODS金属薄膜制备方法一方面可有效克服传统粉末冶金等方法复杂的工艺过程和在制备过程中会出现氧化物团聚、分布不均、金属晶粒粗大等问题，另一方面可有效克服传统磁控溅射制备ODS薄膜中氧化物添加不可控，且需要双靶同时溅射等复杂工艺。实现具有纳米量级晶粒尺寸的ODS强化金属基薄膜的制备，实现了氧化物在金属基材料中均匀、可控地添加。
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公开(公告)号：CN112030125A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010869554.0
申请日：2020-08-26
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/16 , C04B35/622 , C04B35/505 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种ODS金属薄膜材料的制备方法，即首次采用磁控溅射的方法，通过改变金属靶材的结构，在Ar气氛中将金属基复合靶材进行溅射、沉积，从而在基底上实现ODS弥散强化金属薄膜材料的制备。本发明的ODS金属薄膜制备方法一方面可有效克服传统粉末冶金等方法复杂的工艺过程和在制备过程中会出现氧化物团聚、分布不均、金属晶粒粗大等问题，另一方面可有效克服传统磁控溅射制备ODS薄膜中氧化物添加不可控，且需要双靶同时溅射等复杂工艺。实现具有纳米量级晶粒尺寸的ODS强化金属基薄膜的制备，实现了氧化物在金属基材料中均匀、可控地添加。
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