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公开(公告)号：CN117191908A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311041314.1
申请日：2023-08-16
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01N27/333
摘要： 本发明公开了一种全固态钠离子选择性电极、制备方法及应用，其中全固态钠离子选择性电极包括电极基体，所述电极基体的表面包覆有的离子‑电子转导层，所述离子‑转导层包括Sn‑MoS2异质结材料。本发明使用Sn‑MoS2异质结材料来构建全固态钠离子选择性电极，通过将Sn负载在MoS2表面，在不改变MoS2本身形貌的前提下，通过界面效应增大材料电容以及通过比表面积的增大来增加疏水性，从而构筑了Sn‑MoS2异质结材料。实现了对钠离子的检测具有良好的电位响应以及优异的电位稳定性。
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公开(公告)号：CN116953049A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310884531.0
申请日：2023-07-18
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院 , 北京雪迪龙科技股份有限公司
IPC分类号： G01N27/333 , G01N27/30
摘要： 本发明公开了一种基于高疏水硫化铜的全固态钙离子选择性电极及其制备方法和应用。其包括包覆在电极表面的转导层，转导层的材料的制备包括：将铜源、CTAB溶解到无水乙醇中，然后加入硫粉，超声分散均匀得混合液；将混合液进行溶剂热反应，对反应沉淀物进行后处理即得转导层的材料。本发明采用一步溶剂热法通过添加不同量CTAB表面疏水调控CuS，制备不同纳米结构CuS‑CTAB作为转导层修饰到玻碳电极表面，在其表面滴注钙离子选择性膜构建以CuS‑CTAB为转导层的钙离子选择性电极。CuS‑CTAB具有大的比电容及优异的疏水性，将其作为转导层能够加快离子‑电子的传导速率、抑制界面水层的形成，提高电极电位的稳定性。
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公开(公告)号：CN117069098B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202310937176.9
申请日：2023-07-26
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： C01B32/19 , C01B32/194 , C01B32/05 , G01N27/333 , G01N27/30 , G01N27/48
摘要： 本发明公开了一种ZIF‑8沿着氧化石墨烯的(001)晶面层间成核生长的自组装材料的制备方法及基于其衍生的碳材料NPCs@rGO在全固态钙离子选择性电极的应用。本发明通过Zn2+和氧化石墨烯(GO)表面含氧基团的络合/配位作用，加入有机配体引发ZIF‑8在GO的(001)晶面间成核生长，调节ZIF‑8尺寸以调控GO层间距；经过还原自组装后，经一步碳化形成大电容且高疏水的NPCs@rGO。此外，本发明中，以电极基底，NPCs@rGO及聚合物敏感膜形成的具有三明治结构的全固态钙离子选择性电极，实现了钙离子的超低水平检测(10‑7.81M)。本发明为氧化石墨烯的(001)晶面间距调控提供了新思路，同时也为石墨烯材料电容及疏水性的定向调控提供了可行性方法。
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公开(公告)号：CN117069098A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310937176.9
申请日：2023-07-26
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： C01B32/19 , C01B32/194 , C01B32/05 , G01N27/333 , G01N27/30 , G01N27/48
摘要： 本发明公开了一种ZIF‑8沿着氧化石墨烯的(001)晶面层间成核生长的自组装材料的制备方法及基于其衍生的碳材料NPCs@rGO在全固态钙离子选择性电极的应用。本发明通过Zn2+和氧化石墨烯(GO)表面含氧基团的络合/配位作用，加入有机配体引发ZIF‑8在GO的(001)晶面间成核生长，调节ZIF‑8尺寸以调控GO层间距；经过还原自组装后，经一步碳化形成大电容且高疏水的NPCs@rGO。此外，本发明中，以电极基底，NPCs@rGO及聚合物敏感膜形成的具有三明治结构的全固态钙离子选择性电极，实现了钙离子的超低水平检测(10‑7.81M)。本发明为氧化石墨烯的(001)晶面间距调控提供了新思路，同时也为石墨烯材料电容及疏水性的定向调控提供了可行性方法。
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