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公开(公告)号：CN117702093A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311554125.4
申请日：2023-11-17
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院 , 阜阳师范大学 , 安徽昊源化工集团有限公司
IPC分类号： C23C18/12 , G01N27/333
摘要： 本发明公开了一种基于亲脂性高分散二硫化钼的单片式镉离子选择性电极及其制备方法，步骤主要包括：制备钼源和硫源的混合液→将混合液和长链烷基混合，得到产物A→将产物A加入离子选择性膜溶液中→浇筑电极上，通风、蒸发后即得单片式镉离子选择性电极。通过表面/层间调控二硫化钼的电容及表面润湿性，实现了高亲脂性二硫化钼材料的超疏水及高电容特性，同时在膜的关键流动组分中显示出较高的分散性。本发明所设计的高分散性膜组分材料为全固态离子选择性电极的简化制造提供了的可替代方法，同时为批量化生产提供了新思路。
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公开(公告)号：CN116984013A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310778104.4
申请日：2023-06-28
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院 , 阜阳师范大学 , 安徽昊源化工集团有限公司
摘要： 本发明提供一种铂团簇负载的空位氮化碳材料及其制备方法和应用，其制备方法包括：(1)制备氮化碳g‑C3N4；(2)制备钴单原子掺杂的空位氮化碳材料Co SACs/VN‑C3N4；(3)制备铂团簇Pt NCs；(4)制备铂团簇负载的空位氮化碳材料。本申请制备的Pt NCs/VN‑C3N4的催化剂在中性的条件下对于铅离子具有优异的检测效果，其对中性缓冲溶液中0.1‑0.8μM的Pb(II)的检测，检测的灵敏度高达102.16μA/μM、检出限为0.018μM；对中性实际水样中Pb(II)的检测，检测灵敏度高达93.8μA/μM、检出限为0.036μM。均远低于世界卫生组织设定的饮用水中的耐受值。
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公开(公告)号：CN117069098B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202310937176.9
申请日：2023-07-26
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： C01B32/19 , C01B32/194 , C01B32/05 , G01N27/333 , G01N27/30 , G01N27/48
摘要： 本发明公开了一种ZIF‑8沿着氧化石墨烯的(001)晶面层间成核生长的自组装材料的制备方法及基于其衍生的碳材料NPCs@rGO在全固态钙离子选择性电极的应用。本发明通过Zn2+和氧化石墨烯(GO)表面含氧基团的络合/配位作用，加入有机配体引发ZIF‑8在GO的(001)晶面间成核生长，调节ZIF‑8尺寸以调控GO层间距；经过还原自组装后，经一步碳化形成大电容且高疏水的NPCs@rGO。此外，本发明中，以电极基底，NPCs@rGO及聚合物敏感膜形成的具有三明治结构的全固态钙离子选择性电极，实现了钙离子的超低水平检测(10‑7.81M)。本发明为氧化石墨烯的(001)晶面间距调控提供了新思路，同时也为石墨烯材料电容及疏水性的定向调控提供了可行性方法。
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公开(公告)号：CN116626136B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202310619347.3
申请日：2023-05-30
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： G01N27/411
摘要： 本发明公开了一种基于基团相互作用实现不同铬离子形态检测的方法，其是在电场诱导下，将功能化材料修饰电极与含铬溶液进行电化学作用；所述功能化材料为氨基化修饰的钴基石墨烯和/或羧基化修饰的钴基石墨烯。本发明在电场作用下，通过静电吸引和基团相互作用进一步固定HCrO4‑和Cr(OH)2+，得到的检测下限分别为0.10μg/L和0.12μg/L，检测灵敏度分别为19.46μg/L和13.44μg/L,较传统光谱法的检测下限提高了2‑3个数量级，操作过程简洁温和，成本低廉,显示出良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116953049A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310884531.0
申请日：2023-07-18
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院 , 北京雪迪龙科技股份有限公司
IPC分类号： G01N27/333 , G01N27/30
摘要： 本发明公开了一种基于高疏水硫化铜的全固态钙离子选择性电极及其制备方法和应用。其包括包覆在电极表面的转导层，转导层的材料的制备包括：将铜源、CTAB溶解到无水乙醇中，然后加入硫粉，超声分散均匀得混合液；将混合液进行溶剂热反应，对反应沉淀物进行后处理即得转导层的材料。本发明采用一步溶剂热法通过添加不同量CTAB表面疏水调控CuS，制备不同纳米结构CuS‑CTAB作为转导层修饰到玻碳电极表面，在其表面滴注钙离子选择性膜构建以CuS‑CTAB为转导层的钙离子选择性电极。CuS‑CTAB具有大的比电容及优异的疏水性，将其作为转导层能够加快离子‑电子的传导速率、抑制界面水层的形成，提高电极电位的稳定性。
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公开(公告)号：CN117368282A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311128485.8
申请日：2023-09-01
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种用于汗液监测穿戴设备的硬质电极制造方法和应用。可定制批量化生产的高耐磨硬质电极，其制造过程可批量化生产，且具有良好的绝缘性、耐磨耐腐性以及汗液附着均匀度。硬质电极的电气接口可集成于一体，使传感器便于依据不同的应用场合，设计出更好的表面附着压力，进一步提高了传感器的皮肤附着力及性能，进而实现稳定的动态实时监测。本硬质电极的制造方法可推广至多传感阵列的集成，进一步实现多种生理指标的同时监测。
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公开(公告)号：CN117069098A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310937176.9
申请日：2023-07-26
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： C01B32/19 , C01B32/194 , C01B32/05 , G01N27/333 , G01N27/30 , G01N27/48
摘要： 本发明公开了一种ZIF‑8沿着氧化石墨烯的(001)晶面层间成核生长的自组装材料的制备方法及基于其衍生的碳材料NPCs@rGO在全固态钙离子选择性电极的应用。本发明通过Zn2+和氧化石墨烯(GO)表面含氧基团的络合/配位作用，加入有机配体引发ZIF‑8在GO的(001)晶面间成核生长，调节ZIF‑8尺寸以调控GO层间距；经过还原自组装后，经一步碳化形成大电容且高疏水的NPCs@rGO。此外，本发明中，以电极基底，NPCs@rGO及聚合物敏感膜形成的具有三明治结构的全固态钙离子选择性电极，实现了钙离子的超低水平检测(10‑7.81M)。本发明为氧化石墨烯的(001)晶面间距调控提供了新思路，同时也为石墨烯材料电容及疏水性的定向调控提供了可行性方法。
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公开(公告)号：CN116626136A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310619347.3
申请日：2023-05-30
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： G01N27/411
摘要： 本发明公开了一种基于基团相互作用实现不同铬离子形态检测的方法，其是在电场诱导下，将功能化材料修饰电极与含铬溶液进行电化学作用；所述功能化材料为氨基化修饰的钴基石墨烯和/或羧基化修饰的钴基石墨烯。本发明在电场作用下，通过静电吸引和基团相互作用进一步固定HCrO4‑和Cr(OH)2+，得到的检测下限分别为0.10μg/L和0.12μg/L，检测灵敏度分别为19.46μg/L和13.44μg/L,较传统光谱法的检测下限提高了2‑3个数量级，操作过程简洁温和，成本低廉,显示出良好的应用前景。
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