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公开(公告)号：CN116266507A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111543292.X
申请日：2021-12-16
申请人： 中国科学院大连化学物理研究所
摘要： 本申请提供了一种用于超级电容器的高压氧化还原型复合电解液及其制备方法和应用，包括溶剂、电解质和添加剂；添加剂选自碘化锌、碘化铜或碘化铁中的至少一种；电解质选自氯化锌、溴化锌或氯化铁中的至少一种；电解质的浓度为5～20M；添加剂的浓度为1～5M。本申请通过采用高浓盐电解液降低自由水分子数，拓宽工作电压；通过添加含有双氧化还原电对的添加剂，在正负电极同时引入法拉第反应容量，提高比容量，并表现出较高的库伦效率和循环稳定性。本申请电解液配方简单、成本低、绿色环保，适用于大规模电化学储能领域。
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公开(公告)号：CN113373441B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010157190.3
申请日：2020-03-09
申请人： 中国科学院大连化学物理研究所
摘要： 本发明涉及一种钨单晶表面台阶限域的二维氮化钨制备方法，主要包括以下步骤：对单晶W进行表面预处理；将预处理后的W衬底加热至600～670℃，并通入氨气，氨气压力为1×10‑7～1×10‑6Torr，通过表面成像仪器进行实时成像，原位观察单晶W表面氮化钨的生长，氮化钨达到所需覆盖度后，在氨气下进行降温，得到所述二维氮化钨。这种通过调变温度和气氛压力直接氮化衬底的制备方法，简单易行，制备过程中使用表面成像仪器进行实时成像，使其结构易于控制，可以扩展到其他过渡金属氮化物的可控制备，为后续氮化物薄膜材料的可控制备和应用研究奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN113373441A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010157190.3
申请日：2020-03-09
申请人： 中国科学院大连化学物理研究所
摘要： 本发明涉及一种钨单晶表面台阶限域的二维氮化钨制备方法，主要包括以下步骤：对单晶W进行表面预处理；将预处理后的W衬底加热至600～670℃，并通入氨气，氨气压力为1×10‑7～1×10‑6Torr，通过表面成像仪器进行实时成像，原位观察单晶W表面氮化钨的生长，氮化钨达到所需覆盖度后，在氨气下进行降温，得到所述二维氮化钨。这种通过调变温度和气氛压力直接氮化衬底的制备方法，简单易行，制备过程中使用表面成像仪器进行实时成像，使其结构易于控制，可以扩展到其他过渡金属氮化物的可控制备，为后续氮化物薄膜材料的可控制备和应用研究奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN221405608U
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202323099999.3
申请日：2023-11-16
申请人： 中国科学院大连化学物理研究所
IPC分类号： G01N33/00
摘要： 本实用新型提供一种间接真空互联样品转移系统，包括固定转移系统、可移动转移系统、真空系统和仪器系统；所述固定转移系统通过法兰与所述仪器系统可拆卸连接，所述固定转移系统与所述仪器系统之间设置有插板阀Ⅰ；所述固定转移系统设置有磁控传样杆Ⅰ；所述可移动转移系统包括样品托腔室和磁控传样杆Ⅱ，所述样品托腔室设置有样品出入口，所述样品托腔室与所述固定转移系统或所述仪器系统可拆卸连接，所述样品出入口设置有插板阀Ⅱ；所述真空系统通过法兰安装于所述固定转移系统。本实用新型的技术方案能够实现在不破坏样品保护气氛或真空度的情况下将样品转移至检测仪器。
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