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公开(公告)号:CN118186565A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202211601584.9
申请日:2022-12-13
申请人: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC分类号: C30B7/08 , C30B7/14 , C30B29/54 , C07C209/00 , C07C209/86 , C07C211/09 , C09K11/06 , C09K11/66
摘要: 本发明提出一种简单的制作一维锰掺杂钙钛矿单晶的新方法,包括以下步骤:1)将PbO,N,N’‑二甲基乙二胺(DMEDA)加入氢溴酸中,持续搅拌;2)采用每小时降温20℃的程序降温;3)使用丙酮清理晶体表面,真空烘干即可得最后的晶体。这种制作方式成本低廉,成品效率高,操作简便,对设备要求低,符合可持续发展和绿色环保的理念。
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公开(公告)号:CN116179184A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202111429283.8
申请日:2021-11-29
申请人: 中国科学院大连化学物理研究所
摘要: 本发明提出一种简便易操作的调节一维钙钛矿荧光发射颜色的方法,包括以下步骤:1)用一种新的方法合成锰掺杂钙钛矿C4N2H14PbBr4一维钙钛矿,具体操作为:①将PbBr2,MnBr2·4H2O,N,N’‑二甲基乙二胺(DMEDA)加入氢溴酸中,持续搅拌,②取混合溶液放入丙酮蒸汽扩散室,静置,烘干;2)用激光激发所得晶体,通过改变激光的重复频率和脉冲能量来改变钙钛矿单晶的荧光发射颜色。该调节方式所用原料成本不高且操作简单,对设备要求低,有望对社会和环境产生良好的效应。
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公开(公告)号:CN104242031A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201310229794.4
申请日:2013-06-08
申请人: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC分类号: H01S3/0953 , C01B13/02
摘要: 本发明提供一种单重态氧发生器,发生器腔体内布满循环运动的、具有大量空隙的填充物,填充物在腔体内循环运动,当运动经过腔体下部反应液入口和反应液出口之间的区域时,反应液浸润填充物并在其空隙表面形成液膜,液膜接着被填充物带入到腔体上部气体入口和气体出口之间的区域与进入的气体发生反应,反应后的液膜由填充物带离腔体上部回到腔体下部进行更新,而反应产生的气体则离开腔体上部从气体出口流出。发生器腔体固定在其外部的支座上。填充物由转轴带动其上的叶片来驱动,而转轴则由某种旋转机械装置通过传动连接来驱动。
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公开(公告)号:CN117701270A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202211011440.8
申请日:2022-08-23
申请人: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC分类号: C09K11/02 , C09K11/06 , C07C209/00 , C07C211/04 , H10K85/50
摘要: 本发明提出一种微米级晶粒混合卤素钙钛矿多晶薄膜的制备方法,包括有以下步骤:1)将一定比例的PbI2、PbBr2、CH3NH3I、CH3NH3Br溶于DMF;2)向1)的澄清溶液中加入DMSO;3)将2)中的40~60μL澄清溶液旋涂成膜,在旋涂仪开启11~16秒时向基片表面一次性滴加140~160μL反溶剂乙醚促进结晶;4)旋涂完毕后将基片小心取下放在50~65℃热台上加热蒸干溶剂后将热台温度调至80~150℃继续加热几分钟促进结晶就能得到微米级晶粒混合卤素钙钛矿MAPbBrxI3‑x多晶薄膜。该混合卤素钙钛矿微米级晶粒多晶薄膜合成方法操作简单、对仪器设备要求不高、具有易于大规模批量生产的优点。
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公开(公告)号:CN116261376A
公开(公告)日:2023-06-13
申请号:CN202111490691.4
申请日:2021-12-08
申请人: 中国科学院大连化学物理研究所
摘要: 本发明提出一种利用大体积卤化胺盐钝化三维混合阳离子钙钛矿薄膜以延长光生载流子寿命的处理方法,包括有以下步骤:1)将PbI2溶于DMF和DMSO溶剂中配置成溶液;2)将MAI、MACl、FAI以及大体积卤化胺盐(如:碘化苯乙胺)溶于异丙醇后,将混合液搅拌均匀至澄清无沉淀;3)将1)的澄清溶液滴加在经过紫外臭氧处理的清洁玻璃片上,将PbI2溶液旋涂成膜;4)将3)中自然冷却后的PbI2薄膜放置于旋涂仪中,滴加的2)中配制的溶有大体积卤化胺盐的异丙醇溶液,在得到二维/三维杂化结构的钙钛矿薄膜。薄膜在添加到前驱体液中的微量大体积卤化胺盐并没有改变三维钙钛矿薄膜的能带结构。
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公开(公告)号:CN112877766B
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN201911199162.1
申请日:2019-11-29
申请人: 中国科学院大连化学物理研究所
摘要: 钙钛矿材料中载流子迁移率,寿命和扩散长度是直接影响其在光伏产业应用关键制约因素。钙钛矿材料中存在缺陷是降低光电性能的一个重要因素。因此,明确缺陷密度与载流子迁移率,载流子寿命和载流子扩散长度之间的关系至关重要。本文通过使用不同量的PbCl2掺杂合成CH3NH3PbBr3微米线和微米片单晶,使得载流子寿命从17ns增加到1μs。说明通过掺杂大大提高了钙钛矿微米棒和微米片单晶质量。通过定点激发荧光成像测得不同掺杂浓度的单晶中载流子迁移率几乎保持不变,尽管缺陷密度差了两个数量级,直接证明载流子迁移率与缺陷密度无关。从而得出如果想改善器件的性能,应从降低缺陷密度入手。此项发现对改善基于钙钛矿材料的光电器件有重要指导作用。
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公开(公告)号:CN112877766A
公开(公告)日:2021-06-01
申请号:CN201911199162.1
申请日:2019-11-29
申请人: 中国科学院大连化学物理研究所
摘要: 钙钛矿材料中载流子迁移率,寿命和扩散长度是直接影响其在光伏产业应用关键制约因素。钙钛矿材料中存在缺陷是降低光电性能的一个重要因素。因此,明确缺陷密度与载流子迁移率,载流子寿命和载流子扩散长度之间的关系至关重要。本文通过使用不同量的PbCl2掺杂合成CH3NH3PbBr3微米线和微米片单晶,使得载流子寿命从17ns增加到1μs。说明通过掺杂大大提高了钙钛矿微米棒和微米片单晶质量。通过定点激发荧光成像测得不同掺杂浓度的单晶中载流子迁移率几乎保持不变,尽管缺陷密度差了两个数量级,直接证明载流子迁移率与缺陷密度无关。从而得出如果想改善器件的性能,应从降低缺陷密度入手。此项发现对改善基于钙钛矿材料的光电器件有重要指导作用。
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