公开(公告)号：CN112103364B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202011093227.7

申请日：2020-10-13

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 曾俞衡 ,  叶继春 ,  闫宝杰 ,  刘尊珂 ,  廖明墩 ,  程皓 ,  林毅然 ,  郑晶茗 ,  卢琳娜 ,  智雨燕 ,  冯蒙蒙

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种选择性发射极结构、其制备方法及应用。所述选择性发射极结构包括依次叠设在晶硅电池基体表面的第一介质层和重掺杂硅化物层，所述重掺杂硅化物层上结合有作为第一电极的金属电极。本发明通过将前述选择性发射极结构应用于晶硅太阳能电池正面，可以消除金属电极与单晶硅衬底的接触，避免高复合区的存在，减少了载流子复合，获得了更为优良的钝化效果，并且还提高了载流子的收集效率，可以获得较低的接触电阻率，进而优化了电池性能，提高了电池效率，此外还简化了晶硅太阳能电池的制作工艺流程，降低了制造成本。

公开(公告)号：CN112635583A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011488705.4

申请日：2020-12-16

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 叶继春 ,  曾俞衡 ,  闫宝杰 ,  智雨燕 ,  郑晶茗 ,  卢琳娜 ,  廖明墩 ,  刘尊珂 ,  林毅然 ,  冯蒙蒙

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/054

摘要： 本发明提供了一种p型多晶硅钝化接触的金属化电极，包括依次叠加设置的晶硅衬底、隧穿层、重掺多晶硅层、第一金属化层和第三金属化层，所述第一金属化层的金属与所述多晶硅层功函数匹配，所述第三金属化层为Al层或Cu层。本申请提供的金属化电极中叠层金属层实现了全表面载流子收集，第一金属化层的载流子传输性能良好，与重掺多晶硅层功函数匹配，能形成良好的欧姆接触，同时第一金属化层的金属在多晶硅中扩散系数低，降低第三金属化层向硅衬底扩散，金属引入缺陷减少，复合降低，降低金属化成本。

公开(公告)号：CN112103364A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202011093227.7

申请日：2020-10-13

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 曾俞衡 ,  叶继春 ,  闫宝杰 ,  刘尊珂 ,  廖明墩 ,  程皓 ,  林毅然 ,  郑晶茗 ,  卢琳娜 ,  智雨燕 ,  冯蒙蒙

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种选择性发射极结构、其制备方法及应用。所述选择性发射极结构包括依次叠设在晶硅电池基体表面的第一介质层和重掺杂硅化物层，所述重掺杂硅化物层上结合有作为第一电极的金属电极。本发明通过将前述选择性发射极结构应用于晶硅太阳能电池正面，可以消除金属电极与单晶硅衬底的接触，避免高复合区的存在，减少了载流子复合，获得了更为优良的钝化效果，并且还提高了载流子的收集效率，可以获得较低的接触电阻率，进而优化了电池性能，提高了电池效率，此外还简化了晶硅太阳能电池的制作工艺流程，降低了制造成本。