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    一种叠层固态掺杂源结构及太阳能电池制备方法
    2.
    发明公开
    一种叠层固态掺杂源结构及太阳能电池制备方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN116130539A

    公开(公告)日：2023-05-16

    申请号：CN202310013883.9

    申请日：2023-01-05

    申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

    发明人： 杜浩江 ,  叶继春 ,  曾俞衡 ,  刘伟 ,  廖明墩 ,  杨阵海

    IPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

    摘要： 本发明提供一种叠层固态掺杂源结构及太阳能电池制备方法，叠层固态掺杂源结构包括层叠设在的正面掺杂源非晶硅层、正面介质层、晶硅衬底、背面介质层和背面掺杂源非晶硅层。本发明以一种创新的材料体系作为正面源，即利用介质层和掺杂源非晶硅层的叠层结构作为扩散源，可以调节发射极扩散所需的退火温度，尤其是降低硼扩散温度，还可以避免层错缺陷的产生，提升钝化效果；背面采用介质层和微量氮(或碳、氧)掺杂的非晶硅层作为TOPCon结构，可以调节制备温度，相应提高n型TOPCon退火温度，与正面扩散温度相匹配；由此实现通过一步高温退火同时制备发射极和TOPCon结构，减少了太阳能电池的生产步骤。

    一种叠层薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用
    4.
    发明授权
    一种叠层薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用 有权

    公开(公告)号：CN112259614B

    公开(公告)日：2022-09-23

    申请号：CN201910594527.4

    申请日：2019-07-03

    申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

    发明人： 叶继春 ,  曾俞衡 ,  廖明墩 ,  闫宝杰 ,  王志学 ,  杨清 ,  郭雪琪 ,  芮哲

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明提供一种叠层薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层本征或掺杂的碳硅薄膜，最后在所述碳硅薄膜表面再沉积至少一层掺杂的非晶硅薄膜层，并进行780‑1100oC的高温晶化处理，形成隧穿氧化硅钝化接触结构；本发明避免了硅薄膜破裂现象，保持了钝化性能，能够确保进行后继丝印烧结；保持了较低的方块电阻，有利于保持金属接触和载流子的横向输运，结构完全兼容现有PECVD技术，无需增加设备，可拓展性强。

    隧穿氧化层钝化接触电池背面结构及其制备方法和应用
    5.
    发明公开
    隧穿氧化层钝化接触电池背面结构及其制备方法和应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN115050843A

    公开(公告)日：2022-09-13

    申请号：CN202210499873.6

    申请日：2022-05-06

    申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

    发明人： 曾俞衡 ,  叶继春 ,  杜浩江 ,  林娜 ,  刘伟 ,  闫宝杰 ,  廖明墩 ,  盛江

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明提供一种隧穿氧化层钝化接触电池背面结构及其制备方法和应用，电池背面结构包括依次叠加设置在晶硅衬底上的隧穿层、氧化硅层、硼掺杂多晶硅层、磷掺杂硅薄膜层和钝化层，所述钝化层具有露出所述磷掺杂硅薄膜层的开孔，所述钝化层的开孔部位设有镍合金层，所述镍合金层的表面设有铝电极层。该电池背面结构在硼掺杂多晶硅之上沉积一层磷掺杂硅薄膜层，在磷掺杂硅薄膜层表面沉积一层可以阻挡铝并提供良好接触的镍合金层，镍在晶体硅体内的扩散和沉积速率较小，且镍大部分会形成较大的颗粒沉积在磷掺杂硅薄膜表面的表面，不会对电池性能造成影响，镍合金层十分致密，可以有效阻挡铝的穿透，从而保证电池具有良好的钝化性能。

    超薄氮氧化硅界面材料、遂穿氧化钝化结构及其制备方法和应用
    6.
    发明公开
    超薄氮氧化硅界面材料、遂穿氧化钝化结构及其制备方法和应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN114843350A

    公开(公告)日：2022-08-02

    申请号：CN202210368180.3

    申请日：2022-03-23

    申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

    发明人： 叶继春 ,  曾俞衡 ,  邢海洋 ,  马典 ,  刘伟 ,  闫宝杰 ,  廖明墩

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/20

    摘要： 本发明提供一种超薄氮氧化硅界面材料、遂穿氧化钝化结构及其制备方法和应用，所述超薄氮氧化硅界面材料为SiON薄膜，厚度为1nm‑4nm，所述SiON薄膜中N原子百分含量为1％‑40％。本发明的超薄氮氧化硅界面材料具有高含氮量的特点，相比于氧化硅而言，硼在SiON薄膜中的扩散速率低，从而有效减少了硼对SiON薄膜的破坏作用，提高了SiON薄膜的完整性，保持了化学钝化效果，高氮浓度的SiON薄膜可以显著降低硼在硅表面的浓度，从而降低硼缺陷；另外SiON薄膜的能带结构接近氮化硅，其价带带阶比较小，有利于空穴传输，提升了空穴传输效率和空穴选择性，从而改善了钝化质量，也有利于降低接触电阻率。

    新型n型背结设计的硅太阳电池及其制备方法
    9.
    发明公开
    新型n型背结设计的硅太阳电池及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN111509072A

    公开(公告)日：2020-08-07

    申请号：CN202010200828.7

    申请日：2020-03-20

    申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

    发明人： 叶继春 ,  曾俞衡 ,  闫宝杰 ,  盛江 ,  廖明墩 ,  郑晶茗 ,  黄丹丹

    IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明公开了一种新型n型背结设计的硅太阳电池，包括衬底；衬底正面由内向外依次为介质钝化层、硅薄膜或硅化物薄膜、减反膜、前电极，形成n+前表面场；衬底背面由内向外依次为介质钝化层、硅薄膜或硅化物薄膜、全面金属背电极或具有通孔的减反膜/全面金属背电极，形成p+发射极。本发明的太阳电池采用背结设计，背面p+发射极采用p型钝化接触技术取代硼扩散技术，绕开了目前量产技术和装备仍不够成熟的硼扩散，有利于减少正面栅线数量，增加短路电流，采用全背金属电极或减反膜/全背金属电极，有效提升电流密度，以及有利于提升背面光学反射，增加短路电流，并且双面多晶硅化物钝化接触结构，能显著提升电池的开路电压。

    p型多晶硅薄膜制备方法及其在钝化接触太阳电池中的应用
    10.
    发明公开
    p型多晶硅薄膜制备方法及其在钝化接触太阳电池中的应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN111509061A

    公开(公告)日：2020-08-07

    申请号：CN202010200814.5

    申请日：2020-03-20

    申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

    发明人： 廖明墩 ,  叶继春 ,  曾俞衡 ,  闫宝杰 ,  智雨燕 ,  黄丹丹 ,  卢琳娜 ,  郑晶茗

    IPC分类号： H01L31/0288 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明公开了p型多晶硅薄膜制备方法，主要是在硅片上依次制备氧化硅层-非晶硅或多晶硅层-金属铝层，形成多叠层结构薄膜，然后对根据工艺需要进行400-1100℃高温退火，使铝在硅薄膜层中形成激活的杂质。本发明首先利用金属铝作为插入层，将其沉积于硼掺杂非晶硅或本征多晶硅表面，然后利用退火处理使铝在沉积层中扩散，特别是当形成多层叠层结构时，铝处于非晶硅或多晶硅夹层中，能够使扩散更加均匀，形成较好的掺杂，提供空穴，可以显著增加薄膜的载流子浓度，减低薄膜方阻，降低钝化介质/多晶硅与硅片之间的接触电阻率；此外，部分铝还可以扩散进入硅片，从而增强硅衬底的电阻率。由于铝的激活温度低、扩散速率高，可以减低处理温度和处理时间，显著降低工艺时间，节省成本。