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公开(公告)号：CN102507733A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110340578.8
申请日：2011-11-01
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01N29/036
摘要： 本实施例公开了一种声表面波气体传感器及其制作方法，该声表面波气体传感器用于探测NO2气体的浓度，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层和位于所述本体层表面上的输入叉指换能器和输出叉指换能器；在所述基底表面上形成感光层，在感光层表面内形成敏感膜区图形；以具有敏感膜区图形的感光层为掩膜，在所述基底表面上形成具有In2O3与Ag的复合膜；去除所述感光层材料，得到敏感膜，所述敏感膜位于所述输入叉指换能器和输出叉指换能器之间的本体层表面上。本发明实施例的传感器在常温下灵敏度高，反应快速，且能准确测量NO2气体的浓度。
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公开(公告)号：CN102376889A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010247730.3
申请日：2010-08-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种制作半导体薄膜的方法，该方法是在声表面波气体传感器的制造过程中，在双延迟线型振荡器的一条延迟线上滴涂碳纳米管与酞菁锌的混合溶液，并真空烘干而形成敏感膜的。因为通过将酞菁锌作为敏感材料去尝试制作敏感膜，使得常温下使用酞菁材料去检测NO2气体变为可能，而且掺杂的碳纳米管/酞菁锌传感器与纯的酞菁锌传感器相比，灵敏度和检测质量也会有一定的提高。
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公开(公告)号：CN102654480A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110050069.1
申请日：2011-03-02
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01N29/036 , G01N27/12 , G01N5/02 , H03H9/25
摘要： 本发明公开了一种制作声表面波传感器敏感膜的方法，该方法是在双延迟线型振荡器的一条延迟线上，滴涂混合溶液并真空烘干而形成，该混合溶液是在TiO2胶体溶液中均匀分散聚苯胺PAn粉末形成的。本发明提供的这种制作声表面波传感器敏感膜的方法，通过将PAn粉末加入TiO2溶液中制作聚合敏感膜，掺杂后的PAn/TiO2传感器与纯的PAn传感器相比，选择性，灵敏度和检测质量也会有一定的提高。
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公开(公告)号：CN102558583A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010578565.X
申请日：2010-12-08
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种用于声表面波传感器的半导体薄膜的成膜方法，该方法包括：制备半导体氧化物溶胶和聚吡咯溶液，并将二者混合，经过剧烈搅拌及过滤后得到用于成膜的混合溶液；以及对基片进行清洁及干燥处理，将处理后的基片浸入该用于成膜的混合溶液中，取出后用去离子水洗涤并用氮气吹干。利用本发明，可自组装淀积聚吡咯掺杂半导体氧化物的敏感膜，使传感器件制作工艺大大简化。并且，该方法成本小，膜厚可控，重复性好，简单易行。
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公开(公告)号：CN102373470B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201010247619.4
申请日：2010-08-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C28/00 , G01N30/00 , G01N27/407
摘要： 本发明公开了一种制作复合半导体薄膜材料的方法，该方法包括：步骤1：采用光刻胶将敏感膜区外的基片盖上；步骤2：采用镀膜技术，将WO3靶材料蒸发至基片表面形成膜；步骤3：采用镀膜技术在己淀积WO3薄膜的基片上淀积一层Au膜；步骤4：采用镀膜技术在己淀积WO3和Au薄膜的基片上淀积一层碳纳米管薄膜；步骤5：去除光刻胶，并封装。利用本发明，实现了在常温下声面波气体传感器对低浓度H2S气体的检测，且提高了手持式SAW气体传感器对H2S气体的灵敏度与选择性。
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公开(公告)号：CN102507733B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201110340578.8
申请日：2011-11-01
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01N29/036
摘要： 本实施例公开了一种声表面波气体传感器及其制作方法，该声表面波气体传感器用于探测NO2气体的浓度，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层和位于所述本体层表面上的输入叉指换能器和输出叉指换能器；在所述基底表面上形成感光层，在感光层表面内形成敏感膜区图形；以具有敏感膜区图形的感光层为掩膜，在所述基底表面上形成具有In2O3与Ag的复合膜；去除所述感光层材料，得到敏感膜，所述敏感膜位于所述输入叉指换能器和输出叉指换能器之间的本体层表面上。本发明实施例的传感器在常温下灵敏度高，反应快速，且能准确测量NO2气体的浓度。
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公开(公告)号：CN102882485A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110197727.X
申请日：2011-07-15
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H03H3/08
摘要： 本发明公开了一种制作四乙醇乙二胺掺杂研磨的多壁碳纳米管敏感膜的方法，用于检测SO2气体，该方法包括：将研磨的多壁碳纳米管加入四乙醇乙二胺中，制成多壁碳纳米管与四乙醇乙二胺的混合溶液；对该多壁碳纳米管与四乙醇乙二胺的混合溶液进行超声振荡；在双延迟线型振荡器的一条延迟线的敏感区域滴涂该混合溶液；真空干燥，形成四乙醇乙二胺掺杂研磨的多壁碳纳米管敏感膜。本发明提供的采用滴涂法制作四乙醇乙二胺掺杂研磨的多壁碳纳米管敏感膜的方法，通过将研磨的MWCNTs加入C10H24N2O4中制作聚合敏感膜，与纯的C10H24N2O4传感器相比，C10H24N2O4/MWCNTs传感器灵敏度、稳定性和检测质量都有很大的提高。
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公开(公告)号：CN102879464A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110197741.X
申请日：2011-07-15
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01N29/036
摘要： 本发明公开了一种聚噻吩与氧化锆复合敏感膜的制作方法，用于检测SO2气体，该方法包括：将聚噻吩与氧化锆混合溶于乙醇中，制成聚噻吩与氧化锆的混合溶液；对该聚噻吩与氧化锆的混合溶液进行超声振荡；在双延迟线型振荡器的一条延迟线的敏感区域滴涂该混合溶液；真空干燥，形成聚噻吩与氧化锆复合敏感膜。本发明提供的聚噻吩与氧化锆复合敏感膜的制作方法，其成膜技术是滴涂，相比其他磁控溅射、CVD、溶胶凝胶法等成膜技术，滴涂更简单、易操作、低成本，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN102818840A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110157002.8
申请日：2011-06-10
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01N29/036
摘要： 本发明公开了一种制作声表面波传感器二氧化锡掺杂酞菁锌敏感膜的方法，该方法是在双延迟线型振荡器的一条延迟线上滴涂二氧化锡与酞菁锌混合溶液，并真空烘干形成二氧化锡掺杂酞菁锌敏感膜。本发明通过将酞菁锌作为敏感材料去尝试制作敏感膜，使得常温下使用酞菁材料去检测NO2气体变为可能，而且具有该二氧化锡掺杂酞菁锌敏感膜的传感器与单纯酞菁锌敏感膜的传感器相比，检测低浓度NO2气体时在选择性、灵敏度和检测质量均有大幅的提高。
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公开(公告)号：CN102375030A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010247769.5
申请日：2010-08-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种制作半导体薄膜材料的方法，该方法是在声表面波气体传感器的制造过程中，在双延迟线型振荡器的一条延迟线上滴涂三乙醇胺与碳纳米管的混合溶液，并真空烘干而形成敏感膜的。本发明通过将研磨的碳纳米管加入三乙醇胺中配制聚合敏感膜，与纯的三乙醇胺传感器相比，三乙醇胺/碳纳米管传感器灵敏度、稳定性和检测质量都有很大的提高。
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