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公开(公告)号：CN108226098B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201711384825.8
申请日：2017-12-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01N21/552
摘要： 本发明提供一种法诺共振光学氢气传感器，包括衬底、位于衬底表面的氧化层、以及位于氧化层表面的π型金属结构阵列，其中，π型金属结构阵列包括多个周期性分布的π型金属结构单元，π型金属结构单元包括：两根相互平行的第一金属纳米棒单元，与两根第一金属纳米棒单元垂直的第二金属纳米棒单元，其中，第一金属纳米棒单元包括第一贵金属层，所述第二金属纳米棒单元包括吸氢材料层。本发明还提供一种制备法诺共振光学氢气传感器的制备方法，以及一种法诺共振光学氢气传感器的应用系统。本发明能够实现对环境氢气浓度的高精度、高灵敏度的实时传感。
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公开(公告)号：CN107378258A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710575307.8
申请日：2017-07-14
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： B23K26/364 , B23K26/70
CPC分类号： B23K26/364 , B23K26/702 , B23K26/705 , B23K2101/40
摘要： 本发明提供一种激光加工晶圆的方法及系统，所述方法包括：获取晶圆上表面Low-K层的厚度信息；根据厚度信息控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，以使激光光束对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀。本发明能够通过对晶圆上表面Low-K层的厚度进行实时检测并获取厚度信息，然后通过相控型硅基液晶根据所述厚度信息对激光光束进行调制，进而通过对激光光束的精确控制实现晶圆上表面Low-K层加工得到可定制形沟槽结构，并提高了激光加工晶圆的工作效率、激光加工精度以及分离晶圆的均匀性。
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公开(公告)号：CN107252981A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710575865.4
申请日：2017-07-14
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： B23K26/362 , B23K26/073 , B23K26/03 , B23K26/70
CPC分类号： B23K26/362 , B23K26/032 , B23K26/073 , B23K26/702
摘要： 本发明提供一种激光加工晶圆的方法及装置，所述方法沿着晶圆上表面的预定切割道方向改变激光光束与预定切割道之间的相对位置以在所述预定切割道上形成凹槽，包括：将第一激光光束经整形处理后形成开槽平顶光斑；将第二、三激光光束经整形处理后形成重叠平顶光斑并将其重叠在开槽平顶光斑上，形成具有边缘能量大于中间能量的“M”形能量分布的组合平顶光斑；由组合平顶光斑对所述预定切割道进行刻蚀形成凹槽；由开槽平顶光斑对所述凹槽再次进行刻蚀。本发明能够通过在开槽平顶光斑边缘两侧分别与重叠平顶光斑进行重叠并形成具有边缘能量大于中间能量的“M”形能量分布的组合平顶光斑，提高所述凹槽的槽形结构和晶圆加工的成品率。
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公开(公告)号：CN107214418B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710574565.4
申请日：2017-07-14
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： B23K26/364 , B23K26/06 , B23K26/067 , B23K26/04
摘要： 本发明提供一种激光加工晶圆的方法及装置。所述方法包括：沿着晶圆上表面的预定切割道方向改变激光光束与预定切割道之间的相对位置以在所述预定切割道上形成凹槽；根据激光器的发射频率控制光程调制器实现周期性改变在晶圆上表面中激光光束的聚焦点位置，并沿所述预定切割道方向形成定制化焦点分布组合。本发明能够通过光程调制器周期性改变在晶圆上表面中激光光束的聚焦点位置实现激光加工的热效应平均化，减少剧烈能量对Low‑K材料的冲击，防止Low‑K层破裂以致剥落，提高激光加工工艺的均一性及其装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN107239088B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710574394.5
申请日：2017-07-14
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G05D27/02
摘要： 本发明提供一种激光加工晶圆的控制方法及系统。所述方法包括：采集当激光对晶圆第一目标点曝光标记或刻蚀加工时晶圆加工平台在第一位置运行的实时三维位置信息；获取第二位置的目标三维位置信息并移动所述晶圆加工平台至第二位置；采集晶圆加工平台在第二位置的实时三维位置信息；根据第二位置的目标三维位置信息和实时三维位置信息确定激光偏移量；根据激光偏移量调控相控型硅基液晶对激光进行微位移并实现激光对晶圆第二目标点的刻蚀加工。本发明能够通过相控型硅基液晶对激光进行微位移，避免了由于晶圆加工平台的运行误差而导致对晶圆有效区域的损伤，提高了所述控制方法加工成品率、工作效率、激光加工精度以及分离晶圆的均匀性。
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公开(公告)号：CN107214419B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710574908.7
申请日：2017-07-14
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： B23K26/364 , B23K26/36 , B23K26/70
摘要： 本发明提供一种激光加工晶圆的方法及装置，所述方法是由至少两束具有不同能量分布的激光光束分别依次对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程和开槽进程，用以在所述晶圆上表面的预定切割道上形成凹槽。本发明能够通过能量较低的激光光束对晶圆上表面的预定切割道打毛并使预定切割道的表面粗糙化，以提高光吸收率，便于后续加工进程做准备，避免采用过高的激光光束对晶圆上表面Low‑K层加工并引起Low‑K材料的剥离从而导致晶圆损坏；同时，还能使后续加工进程中的激光光束能量的控制精度更高，进而提高在晶圆上表面的激光加工效果。
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公开(公告)号：CN108226098A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711384825.8
申请日：2017-12-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01N21/552
CPC分类号： G01N21/553
摘要： 本发明提供一种法诺共振光学氢气传感器，包括衬底、位于衬底表面的氧化层、以及位于氧化层表面的π型金属结构阵列，其中，π型金属结构阵列包括多个周期性分布的π型金属结构单元，π型金属结构单元包括：两根相互平行的第一金属纳米棒单元，与两根第一金属纳米棒单元垂直的第二金属纳米棒单元，其中，第一金属纳米棒单元包括第一贵金属层，所述第二金属纳米棒单元包括吸氢材料层。本发明还提供一种制备法诺共振光学氢气传感器的制备方法，以及一种法诺共振光学氢气传感器的应用系统。本发明能够实现对环境氢气浓度的高精度、高灵敏度的实时传感。
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公开(公告)号：CN107433396A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710575459.8
申请日：2017-07-14
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： B23K26/364 , B23K26/06 , B23K26/073 , B23K26/04 , B23K26/067 , B23K26/064
CPC分类号： B23K26/364 , B23K26/04 , B23K26/06 , B23K26/0648 , B23K26/067 , B23K26/073 , B23K2101/40
摘要： 本发明提供一种激光加工晶圆的装置及方法，包括：激光器，用于发射激光光束；扩束准直元件，用于将激光光束扩束、准直，形成平行光束；相控型硅基液晶，用于对平行光束进行能量分布调制并形成任意定制型多光束集合、或进行整形处理并形成平顶光斑后发射至聚焦元件；聚焦元件，用于将所述任意定制型多光束集合或平顶光斑发射到所述晶圆上表面并沿预定切割道方向去除晶圆上表面的Low-K材料。本发明能够通过相控型硅基液晶对平行光束进行能量分布调制或整形处理提高所述加工方法的工作效率、精确度以及分离晶圆的均匀性，且能适应各种平顶光斑的需求。
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公开(公告)号：CN107214419A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710574908.7
申请日：2017-07-14
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： B23K26/364 , B23K26/36 , B23K26/70
CPC分类号： B23K26/364 , B23K26/36 , B23K26/702 , B23K26/705 , B23K2101/40
摘要： 本发明提供一种激光加工晶圆的方法及装置，所述方法是由至少两束具有不同能量分布的激光光束分别依次对晶圆上表面的预定切割道执行打毛进程和开槽进程，用以在所述晶圆上表面的预定切割道上形成凹槽。本发明能够通过能量较低的激光光束对晶圆上表面的预定切割道打毛并使预定切割道的表面粗糙化，以提高光吸收率，便于后续加工进程做准备，避免采用过高的激光光束对晶圆上表面Low‑K层加工并引起Low‑K材料的剥离从而导致晶圆损坏；同时，还能使后续加工进程中的激光光束能量的控制精度更高，进而提高在晶圆上表面的激光加工效果。
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公开(公告)号：CN107214418A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710574565.4
申请日：2017-07-14
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： B23K26/364 , B23K26/06 , B23K26/067 , B23K26/04
CPC分类号： B23K26/364 , B23K26/04 , B23K26/06 , B23K26/067 , B23K2101/40
摘要： 本发明提供一种激光加工晶圆的方法及装置。所述方法包括：沿着晶圆上表面的预定切割道方向改变激光光束与预定切割道之间的相对位置以在所述预定切割道上形成凹槽；根据激光器的发射频率控制光程调制器实现周期性改变在晶圆上表面中激光光束的聚焦点位置，并沿所述预定切割道方向形成定制化焦点分布组合。本发明能够通过光程调制器周期性改变在晶圆上表面中激光光束的聚焦点位置实现激光加工的热效应平均化，减少剧烈能量对Low‑K材料的冲击，防止Low‑K层破裂以致剥落，提高激光加工工艺的均一性及其装置的可靠性。
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