公开(公告)号：CN111370578B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202010205183.6

申请日：2020-03-20

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 周易 ,  王盛凯

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L27/28

摘要： 本发明公开了一种仿生晶体管结构及其特征时间的控制方法，其中，该仿生晶体管结构包括：背栅介质层；背栅半导体衬底层，叠置在背栅介质层之下；单壁碳纳米管沟道层，叠置在背栅介质层之上；有机薄膜层，叠置在单壁碳纳米管沟道层之上，且该有机薄膜层和单壁碳纳米管沟道层未被有机薄膜层覆盖的部分直接暴露于空气中；以及源漏金属层，叠置在背栅介质层之上，并设置于有机薄膜层和单壁碳纳米管沟道层的两侧。本发明提供的该仿生晶体管结构及其特征时间的控制方法，相比传统晶体管器件，具有含时变化的特性，在特定输入条件下可以断电工作，使静态功耗降低至零，适合超低功耗电路应用。

公开(公告)号：CN111370578A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010205183.6

申请日：2020-03-20

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 周易 ,  王盛凯

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L27/28

摘要： 本发明公开了一种仿生晶体管结构及其特征时间的控制方法，其中，该仿生晶体管结构包括：背栅介质层；背栅半导体衬底层，叠置在背栅介质层之下；单壁碳纳米管沟道层，叠置在背栅介质层之上；有机薄膜层，叠置在单壁碳纳米管沟道层之上，且该有机薄膜层和单壁碳纳米管沟道层未被有机薄膜层覆盖的部分直接暴露于空气中；以及源漏金属层，叠置在背栅介质层之上，并设置于有机薄膜层和单壁碳纳米管沟道层的两侧。本发明提供的该仿生晶体管结构及其特征时间的控制方法，相比传统晶体管器件，具有含时变化的特性，在特定输入条件下可以断电工作，使静态功耗降低至零，适合超低功耗电路应用。