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公开(公告)号：CN111124023B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201911236389.9
申请日：2019-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种混合型电源调制器，包括线性模块、电源模块、数字控制模块和开关转换模块，线性模块用于向功率放大器提供与包络信号幅值对应的调制电压，数字控制模块用于将包络信号进行处理后并逻辑分析，输出第一控制信号、第二控制信号和第三控制信号，第一控制信号经过第一栅极驱动器控制第一选择开关，第二控制信号经过第二栅极驱动器控制第二选择开关，通过第一选择开关和第二选择开关对功率放大器提供与包络信号幅值对应的调制电流；即通过包络追踪技术控制功率放大器的调制电压和调制电流随包络信号的幅值而变化，提高了功率放大器的效率。本发明还提供一种混合型电源调制电路。
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公开(公告)号：CN103531250A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310491719.5
申请日：2013-10-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路，包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器，半导体参数分析仪作为控制平台，同时连接于探针台和脉冲源，并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形；示波器是当脉冲源向待测RRAM器件发出脉冲时，捕获脉冲图形；示波器具有第一通道和第二通道，第一通道具有第一内阻R1，第二通道具有第二内阻R2，待测RRAM器件与示波器第二通道的第二内阻R2串联，脉冲源与待测RRAM器件连接，示波器的第一通道并联连接于待测RRAM器件与第二内阻R2的串联支路。利用本发明，解决了RRAM器件在脉冲测试过程中不能限流的问题，使RRAM器件在脉冲测试时得到稳定的脉冲测试电压，而不会因编程或擦除后影响整个电路的稳定。
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公开(公告)号：CN103500701A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310491769.3
申请日：2013-10-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米器件的方法，包括：在绝缘衬底上沉积一层金属薄膜，形成粘附层；在金属薄膜上沉积一层金属薄膜，形成金属下电极；在金属下电极上沉积一层氧化物材料；在氧化物材料上沉积一层金属薄膜，形成金属上电极；在金属上电极与金属下电极上加电压进行电压扫描，在氧化物材料中形成导电细丝，器件处于低阻态；在金属上电极与金属下电极上重新加相同方向或者反方向电压进行电压扫描，使氧化物材料中的导电细丝逐渐变细直至断裂，器件由低阻态向高阻态转化，器件在低阻态与高阻态之间存在一个中间态，选择合适的停止电压，使器件的中间态处于量子电导附近，形成纳米器件。利用本发明，简化了制备工艺、提高了与传统CMOS工艺的兼容性。
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公开(公告)号：CN111142601A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911234696.3
申请日：2019-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供了一种数字控制混合型电源调制器，包括线性模块、电源模块、数字控制模块和开关转换模块，其中，线性模块用于向功率放大器提供与包络信号幅值对应的调制电压；数字控制模块用于将包络信号进行处理后并输入控制单元进行不同占空比的编码以输出第一控制信号，第一控制信号经过栅极驱动器控制选择开关对功率放大器提供与包络信号幅值对应的调制电流；即通过包络追踪技术控制功率放大器的调制电压和调制电流随包络信号的幅值而变化，提高了功率放大器的效率。本发明还提供一种数字控制混合型电源调制电路。
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公开(公告)号：CN111124023A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911236389.9
申请日：2019-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种混合型电源调制器，包括线性模块、电源模块、数字控制模块和开关转换模块，线性模块用于向功率放大器提供与包络信号幅值对应的调制电压，数字控制模块用于将包络信号进行处理后并逻辑分析，输出第一控制信号、第二控制信号和第三控制信号，第一控制信号经过第一栅极驱动器控制第一选择开关，第二控制信号经过第二栅极驱动器控制第二选择开关，通过第一选择开关和第二选择开关对功率放大器提供与包络信号幅值对应的调制电流；即通过包络追踪技术控制功率放大器的调制电压和调制电流随包络信号的幅值而变化，提高了功率放大器的效率。本发明还提供一种混合型电源调制电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104134468B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201410377423.5
申请日：2014-08-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，该方法包括：判断RRAM存储器当前所处的状态，以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲；连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲，并在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器的状态是否失效，在RRAM存储器失效时记录最后使RRAM器件失效的加载编程脉冲和擦除脉冲次数10^Ln，即得到耐久性参数为10^Ln‑1次，其中Ln＝n‑1，n为自然数。利用本发明，极大加快了待测器件耐久性参数的获取。
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公开(公告)号：CN103531250B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201310491719.5
申请日：2013-10-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路，包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器，半导体参数分析仪作为控制平台，同时连接于探针台和脉冲源，并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形；示波器是当脉冲源向待测RRAM器件发出脉冲时，捕获脉冲图形；示波器具有第一通道和第二通道，第一通道具有第一内阻R1，第二通道具有第二内阻R2，待测RRAM器件与示波器第二通道的第二内阻R2串联，脉冲源与待测RRAM器件连接，示波器的第一通道并联连接于待测RRAM器件与第二内阻R2的串联支路。利用本发明，解决了RRAM器件在脉冲测试过程中不能限流的问题，使RRAM器件在脉冲测试时得到稳定的脉冲测试电压，而不会因编程或擦除后影响整个电路的稳定。
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公开(公告)号：CN103956428B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410222652.X
申请日：2014-05-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种降低阻变存储器电铸电压的方法，该方法是在对阻变存储器进行电铸操作之前，通过阻变存储器的上电极向阻变存储器的阻变功能层施加恒定的小电流，在阻变存储器的阻变功能层中形成部分导电细丝，使阻变存储器处于中间态。之后对阻变存储器的电铸过程，可以发现电铸电压明显降低。本发明操作方法简单，降低成本低，有利于本发明的广泛推广与应用。
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公开(公告)号：CN104464801A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410643264.9
申请日：2014-11-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种有效提高阻变存储器耐久性的方法，该方法是在对阻变存储器进行编程操作时，对阻变存储器加载脉冲宽度变化且脉冲高度保持不变的一系列编程小脉冲。利用本发明，可以防止编程过程中，由于脉冲宽度过大，而造成硬击穿，从而提高RRAM耐久性。本方法操作方法简单，降低成本低，有利于本发明的广泛推广与应用。
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公开(公告)号：CN104134463A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410377375.X
申请日：2014-08-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C29/08
Abstract: 本发明公开了一种对RRAM存储器的保持时间参数进行测试的方法，包括：判断RRAM存储器当前所处的状态，根据RRAM存储器所处状态，给RRAM存储器加载用户设定编程电压或擦除电压；加载编程电压时，通过不断地读取通过RRAM存储器的电流，判断RRAM状态，直至RRAM存储器所处状态发生改变后，加载擦除电压，并记录RRAM存储器从加载编程电压到状态改变所需时间，即RRAM存储器编程保持时间；加载擦除电压时，通过不断地读取通过RRAM存储器的电流，判断RRAM状态，直至RRAM存储器所处状态发生改变后，加载编程电压，并记录RRAM存储器从加载擦除电压到状态改变所需时间，即RRAM存储器擦除保持时间。
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