公开(公告)号：CN115712227A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211370699.1

申请日：2022-11-03

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 韩丹丹 ,  韦亚一 ,  邓森

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请公开一种基于倏逝波场强衰减特性调制式的光学邻近效应校正方法及装置，涉及光刻分辨率增强技术领域。方法包括：通过对光刻胶内倏逝波的场强衰减特性进行建模分析，确定近场光学邻近效应对目标图形的有效作用范围；将目标图形作为表面等离子体光刻的输入图像，确定在预设曝光条件下目标图形对应的光刻胶内目标曝光图形的精确度和目标补偿曝光剂量；确定目标图形上需要进行补偿调制的区域，在有效作用范围内基于目标补偿曝光剂量对近场光学邻近效应进行补偿矫正，得到矫正后的校正图形；将校正图形作为输入图像，并将在预设曝光条件下提取光刻胶内校正曝光图形的轮廓进行比较，确定校正曝光图形的精确度和成本函数曲线数据。

公开(公告)号：CN119956326A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202311475359.X

申请日：2023-11-07

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 韦亚一 ,  邓森 ,  邵花 ,  陈睿

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本申请涉及沉积工艺技术领域，提出了一种入射粒子通量分布计算方法、装置、设备及介质，其中，方法包括：获取待沉积对象的结构信息；根据所述结构信息，确定入射粒子发射源的位置坐标和入射角的范围；将所述待沉积对象离散化成多个网格结构，并确定单个网格结构在一个反应周期内的入射粒子的通量分布函数；根据所述单个网格结构在一个反应周期内的入射粒子通量分布函数，确定所述待沉积对象的网格结构在一个反应周期内的总入射粒子通量分布函数。通过该技术方案，提高了入射粒子的通量计算的精度，从而便于后续计算相应位置的原子层沉积速率及衬底表面形貌的演化。

公开(公告)号：CN119207593A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411037818.0

申请日：2024-07-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 韦亚一 ,  邓森 ,  邵花 ,  陈睿

IPC: G16C10/00 ,  G16C20/10 ,  G06F30/398

Abstract: 本发明公开一种原子层沉积工艺仿真建模方法、装置及设备，涉及集成电路制造领域，用于解决现有技术中仅对工艺参数进行量化，无法针对不同衬底结构，确定不同衬底表面形貌随着反应时间的演化情况的问题。包括：定义原子层沉积工艺中待沉积的多维衬底的结构信息；利用多维反应扩散方程对原子层沉积工艺中的目标分子的传输过程进行描述；利用朗缪尔吸附原理对原子层沉积工艺中目标分子的表面反应机理进行描述；基于传输过程以及表面反应机理，计算得到多维衬底的表面不同位置的沉积速率；基于沉积速率确定多维衬底表面形貌随沉积时间的演化情况及沉积速率变化情况。本发明可以仿真不同生长周期下待沉积对象的GPC、覆盖率及沉积轮廓变化情况。