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公开(公告)号：CN119960260A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311483422.4
申请日：2023-11-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供一种电磁场分布计算方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像包括多个目标膜层的目标成像结构。根据入射电磁场分布以及多个目标膜层之间的边界条件计算得到出射面的出射电磁场分布，出射面为沿着光线传播的方向的最后两个目标膜层之间的交界面。而后进一步根据出射电磁场分布以及边界条件按照光线传播的反方向依次计算得到每个目标膜层内任意一个位置的目标电磁场分布，即根据出射电磁场分布分别计算得到目标成像结构内部任意位置处的电磁场分布。这样通过出射电磁场分布计算得到叠层结构的任意位置处的电磁场分布，能够建立高精度的等离子体光刻成像的成像模型，从而提高等离子体光刻成像的成像效果。
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公开(公告)号：CN119207593A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411037818.0
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G16C10/00 , G16C20/10 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开一种原子层沉积工艺仿真建模方法、装置及设备，涉及集成电路制造领域，用于解决现有技术中仅对工艺参数进行量化，无法针对不同衬底结构，确定不同衬底表面形貌随着反应时间的演化情况的问题。包括：定义原子层沉积工艺中待沉积的多维衬底的结构信息；利用多维反应扩散方程对原子层沉积工艺中的目标分子的传输过程进行描述；利用朗缪尔吸附原理对原子层沉积工艺中目标分子的表面反应机理进行描述；基于传输过程以及表面反应机理，计算得到多维衬底的表面不同位置的沉积速率；基于沉积速率确定多维衬底表面形貌随沉积时间的演化情况及沉积速率变化情况。本发明可以仿真不同生长周期下待沉积对象的GPC、覆盖率及沉积轮廓变化情况。
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公开(公告)号：CN119048751A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411047608.X
申请日：2024-08-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06V10/26 , G03F1/70 , G03F1/82 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06T3/4038 , G06N3/045 , G06N3/0475 , G06N3/094
Abstract: 本公开提供了一种大面积掩模板的三维潜像计算方法和装置。本公开的方法包括：构建样本掩膜板图案的样本局部特征图案和样本局部特征图案对应的三维潜像的训练集；根据训练集对生成对抗网络进行训练；基于第一分割方式将待处理的掩膜板图案进行图像分割，得到待处理局部特征图案；基于第二分割方式将待处理的掩膜板图案进行图像分割，得到扩张区域分割图案；将待处理局部特征图案输入训练好的生成对抗网络，以得到待处理局部特征图案对应的三维潜像；根据扩张区域分割图案对待处理局部特征图案对应的三维潜像进行拼接，得到待处理的掩膜板图案的三维潜像。本公开结合GAN网络、图像分割与拼接，完成大面积掩膜板的三维潜像仿真，提高仿真效率。
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公开(公告)号：CN111258172B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010068083.3
申请日：2020-01-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种用于制造显示面板的新型掩模版及其参数确定方法，该新型掩模版中，透光区域中包括衍射过渡区域，衍射过渡区域与遮光区域连接，衍射过渡区域中包括一组或多组间隔排列的过渡图形；过渡图形与透光区域和遮光区域相接的临界线平行；衍射过渡区域中被过渡图形覆盖的区域不透光。本申请在掩模版边缘的衍射过渡区域中设置不透光的过渡图形，过渡图形能增加掩模版的衍射区域宽度，调节多曝光区域的曝光量，使掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。通过增加过渡图形和边缘距离调整，达到较好的曝光剂量分布，同时还可以达到削弱设备步进精度3σ值对拼接影响的效果，提升了面板的显示效果。
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公开(公告)号：CN111583397B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010386588.4
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请实施例提供了一种三维重建方法及装置，可以利用电子束扫描设备对待测结构进行扫描得到电子束图像，利用电子束成像模型，可以拟合得到电子束图像对应的模型参数，模型参数可以体现待测结构的三维特性，也就是说，可以对电子束图像进行处理获取到待测结构的三维特性，这样可以利用体现待测结构的三维特性的模型参数进行待测结构的三维重建。由于电子束成像模型可以对电子束图像进行拟合，依赖于模型参数和图像信息的对应关系，因此不受边缘角度的影响，可以适用于各个边缘角度的待测结构的三维重建，提高了高边缘角度的待测结构的三维重建的准确性，进而提升了对工艺质量的监控的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117687264A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311797320.X
申请日：2023-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离子体多层膜结构的掩模吸收材料的优化方法，包括以下步骤：S1)构建多组具有不同掩模吸收层参数的多层膜超透镜结构；S2)通过软件建模仿真光在多层膜超透镜结构中的光学行为，获得在基底层上涂覆的光刻胶的中间位置所成空间像的图像对比度；S3)根据图像对比度，确定多层膜超透镜结构的掩模吸收层参数。与现有技术相比，本发明基于多层膜结构，从掩模吸收层的三维参数方面进行优化，结果显示对该多层膜结构的分辨力提高和成像对比度提高起到了显著的作用。
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公开(公告)号：CN117170194A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311237674.9
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种信息处理方法、装置、电子设备及存储介质，可以应用于高分辨成像技术领域。该方法包括：利用信息关系模型处理光刻系统的显影图案信息，得到目标参数波动范围信息，其中，信息关系模型用于表征显影图案信息与目标参数波动范围信息之间的第一关联关系，目标参数波动范围信息用于表征光刻系统的系统参数的目标波动范围，显影图案信息表征光刻系统对光刻胶进行显影而得到的图案信息；按照目标参数波动范围信息，对光刻系统的多个系统参数的参数信息进行校验，得到参数校验结果；从多个系统参数中，确定参数校验结果表征校验异常的目标系统参数；根据目标系统参数，从光刻系统中确定目标模块。
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公开(公告)号：CN116822448A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310636729.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/398 , G06F30/30
Abstract: 本申请公开一种部分相干照明下的掩模近场模拟运算方法、装置及电子设备，涉及光刻系统领域。方法包括：将光瞳面划分为预设个数的不同入射方向的光源点；对每个光源点通过严格电磁场仿真，分别确定多个输入的训练版图图形的四个衍射近场矩阵；基于多个训练版图图形对应的多组四个衍射近场矩阵，分别确定对应的预设图形种类对应的光源点近场分布训练数据；基于多个光源点近场分布训练数据，通过最小二乘法分别确定对应的所有预设图形种类的衍射传输矩阵；在接收到目标入射光源的情况下，确定与目标入射光源对应的光源点；基于光源点对应的衍射传输矩阵对目标入射光源对应的目标掩模图形的近场分布进行运算，确定近场结果。
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公开(公告)号：CN116184658A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211665517.3
申请日：2022-12-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种增大表面等离子体超透镜成像对比度的方法及超透镜。本发明对掩模吸收层的材料进行仿真优化，结果显示光刻胶中像的对比度随掩模吸收层材料的改变有明显变化，说明优化掩模吸收层材料可以明显提高该结构下的空间像对比度。可见，本发明为调整光刻精准度提供了另一种技术手段，该技术手段还可以与现有手段相结合，进一步扩大对比度调整的范围，甚至改变分辨力等其他光刻性能。
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公开(公告)号：CN111999992B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202010988995.2
申请日：2018-10-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种确定光刻光源的模型训练方法及装置，构建卷积神经网络模型，利用特定尺寸版图及其对应光源作为卷积神经网络模型的训练集，并学习特定尺寸版图以及特定尺寸版图对应的光源之间的映射关系，根据映射关系确定卷积神经网络模型的模型参数，从而完成卷积神经网络模型的训练。这样，利用特定尺寸版图及其对应光源作为卷积神经网络模型的训练集，能够提高确定光刻光源模型的准确性。并且利用该模型训练方法获得的卷积神经网络方法能够确定出待光刻版图的光刻光源，无需每次采用仿真软件计算版图中各个代表图形的光刻工艺窗口，提高了确定光刻光源的效率。
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