公开(公告)号：CN117313613A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311056325.7

申请日：2023-08-21

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 陈泰合 ,  吴旦昱 ,  贾涵博 ,  张育镇 ,  王丹丹

IPC分类号： G06F30/367 ,  G06N5/01 ,  G01R31/26

摘要： 本发明公开一种半导体器件建模方法、装置及设备，涉及半导体领域，用于解决现有技术中针对各种新型半导体器件建模效率低的问题。包括：确定需建模的新型半导体器件电学特性，并获取其对应电学特性的实际测试数据，根据电学特性确定典型半导体器件的待更新模型参数；采用随机搜索算法优化待更新模型参数，参数优化后，典型半导体器件模型的电学特性拟合到新型半导体器件对应电学特性的测试数据；反复迭代得到优化后的模型参数，完成新型半导体器件的模型构建。该方案基于现有的典型半导体器件模型，通过优化模型参数使其电学特性拟合到新型半导体器件的电学特性测试数据，能快速实现新型半导体器件建模，适用于多种新型半导体器件的快速建模。