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公开(公告)号：CN102881547A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210390288.9
申请日：2012-10-15
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 北京泰龙电子技术有限公司
IPC分类号： H01J37/244
摘要： 本发明公开了一种真空腔内转动部件的定位装置，属于微电子技术领域。所述装置包括：激光反射装置、密封部件、腔体外玻璃密封件和密封框架；激光反射装置位于反应室内，并与密封框架的顶端通过螺纹连接；密封框架由下向上装入反应室，并通过螺钉与反应室固定连接；腔体外玻璃密封件与密封框架的底端通过螺纹连接；反应室与密封框架连接之处设置有密封部件；腔体外玻璃密封件与密封框架底端连接之处设置有密封部件和玻璃。本发明的定位装置用于溅射台中，特别是在有污染和高温的真空环境下，可以实现高速转动部件的高精度定位，且装置结构简单、成本低廉、可操作性强、精度高及维护性好。
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公开(公告)号：CN102623435A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110033156.6
申请日：2011-01-31
申请人： 北京泰龙电子技术有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及半导体器件中阻挡层技术领域，具体涉及一种具有多层膜结构的阻挡层及其制备方法。该阻挡层包括TaSiN层，位于TaSiN层上的TaN层，以及位于TaN层上的Ta层。该阻挡层的制备方法，包括如下步骤：采用物理气相沉积方法依次沉积TaSi层、Ta层；将TaSi层、Ta层置于浸没式等离子注入机中注入N生成TaSiN层、TaN层；用物理气相沉积方法在TaN层上沉积Ta层。本发明提供的多层膜结构的阻挡层更加致密，其中的TaSiN/TaN层为非晶结构，不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构，保证其热稳定性更好。
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公开(公告)号：CN102623389A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110033722.3
申请日：2011-01-31
申请人： 北京泰龙电子技术有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/768 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/48
摘要： 本发明涉及半导体器件中阻挡层的制备方法，具体涉及一种金属氮化物阻挡层的制备方法，包括如下步骤：（1）采用物理气相沉积方法沉积金属层；（2）将金属层置于等离子注入机，通过等离子注入机向所述金属层中注入氮离子。本发明采用物理气相沉积与全方位等离子浸没注入相结合的制备方法提高阻挡层的致密性，同时也保证其为非晶结构。非晶不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构。
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公开(公告)号：CN102881547B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210390288.9
申请日：2012-10-15
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 北京泰龙电子技术有限公司
IPC分类号： H01J37/244
摘要： 本发明公开了一种真空腔内转动部件的定位装置，属于微电子技术领域。所述装置包括：激光反射装置、密封部件、腔体外玻璃密封件和密封框架；激光反射装置位于反应室内，并与密封框架的顶端通过螺纹连接；密封框架由下向上装入反应室，并通过螺钉与反应室固定连接；腔体外玻璃密封件与密封框架的底端通过螺纹连接；反应室与密封框架连接之处设置有密封部件；腔体外玻璃密封件与密封框架底端连接之处设置有密封部件和玻璃。本发明的定位装置用于溅射台中，特别是在有污染和高温的真空环境下，可以实现高速转动部件的高精度定位，且装置结构简单、成本低廉、可操作性强、精度高及维护性好。
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公开(公告)号：CN103021931A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110285513.8
申请日：2011-09-23
申请人： 北京泰龙电子技术有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种金属氮化物阻挡层的制备方法，属于半导体器件制造技术领域。所述金属氮化物阻挡层采用物理气相沉积方法制备，在沉积金属层时，物理气相沉积设备上的离子源产生氮离子束，向金属层中注入氮离子。本发明采用等离子体辅助的物理气相沉积的制备方法提高阻挡层的致密性，同时也保证其为非晶结构，非晶不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构。
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公开(公告)号：CN102623435B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201110033156.6
申请日：2011-01-31
申请人： 北京泰龙电子技术有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及半导体器件中阻挡层技术领域，具体涉及一种具有多层膜结构的阻挡层及其制备方法。该阻挡层包括TaSiN层，位于TaSiN层上的TaN层，以及位于TaN层上的Ta层。该阻挡层的制备方法，包括如下步骤：采用物理气相沉积方法依次沉积TaSi层、Ta层；将TaSi层、Ta层置于浸没式等离子注入机中注入N生成TaSiN层、TaN层；用物理气相沉积方法在TaN层上沉积Ta层。本发明提供的多层膜结构的阻挡层更加致密，其中的TaSiN/TaN层为非晶结构，不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构，保证其热稳定性更好。
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公开(公告)号：CN102623434B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201110033129.9
申请日：2011-01-31
申请人： 北京泰龙电子技术有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及半导体器件中阻挡层技术领域，具体涉及一种具有多层膜结构的扩散阻挡层及其制备方法。该扩散阻挡层包括底层TaSiN层，位于底层TaSiN层上的TaN层，以及位于TaN层上的顶层TaSiN层。该阻挡层的制备方法，包括如下步骤：采用物理气相沉积方法依次沉积TaSi层、Ta层、TaSi层；将TaSi层、Ta层、TaSi层置于浸没式等离子注入机中注入N生成TaSiN层、TaN层、TaSiN层。本发明提供的多层膜结构的扩散阻挡层更加致密，其中的TaSiN及TaN层均为非晶结构，不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构，保证其热稳定性更好。
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公开(公告)号：CN103021931B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201110285513.8
申请日：2011-09-23
申请人： 北京泰龙电子技术有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种金属氮化物阻挡层的制备方法，属于半导体器件制造技术领域。所述金属氮化物阻挡层采用物理气相沉积方法制备，在沉积金属层时，物理气相沉积设备上的离子源产生氮离子束，向金属层中注入氮离子。本发明采用等离子体辅助的物理气相沉积的制备方法提高阻挡层的致密性，同时也保证其为非晶结构，非晶不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构。
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公开(公告)号：CN103206552A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210011850.2
申请日：2012-01-16
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 北京泰龙电子技术有限公司
摘要： 公开了一种真空隔离阀装置，包括：设置有方孔结构的阀体、密封部件、连接过渡部件及活动阀板；所述密封部件设置在所述阀体上端中央位置，用于半导体真空腔室之间连通时的密封；所述连接过渡部件通过所述密封部件与所述活动阀板连接，通过外力作用控制所述活动阀板的升降。本发明提供的一种真空隔离阀装置，能缩小硅片传输距离或使传输距离可调整，便于装配、维修；结构简单，节约材料及生产加工成本，可实现同不同腔体连接，机构简单、成本经济、稳定性高、便于维护。
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公开(公告)号：CN102891660A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210391217.0
申请日：2012-10-15
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 北京泰龙电子技术有限公司
IPC分类号： H03H7/38
摘要： 本发明公开了一种射频阻抗匹配器，属于半导体工艺设备技术领域。所述射频阻抗匹配器包括第一可变空气电容、第二可变空气电容、电感和第三可变空气电容，第二可变空气电容和第三可变空气电容并联后与电感串联，再与第一可变空气电容并联。本发明提供的射频阻抗匹配器，能够对高品质因数Q值的负载进行精确的阻抗匹配，阻抗匹配电路结构简单，匹配过程方便快捷，实现了负载阻抗的纯阻性，满足了半导体工艺的制备要求。
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