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公开(公告)号：CN110804412B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201911214314.0
申请日：2019-12-02
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： C09J163/00 , C09J11/04 , H01L23/29
摘要： 本发明公开一种在高频下具有低介电损耗的绝缘胶膜材料及其制备方法。该绝缘胶膜材料由包含以下成分的原料配制的电子浆料制成，以质量份计，所述的固化促进剂选自咪唑类固化促进剂，醇类固化促进剂或者二者的组合物。
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公开(公告)号：CN111087843B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201911285043.8
申请日：2019-12-13
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： C09D5/24 , C09D163/00 , C09D5/25 , C08J7/044 , B32B27/08 , B32B27/10 , B32B27/28 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B33/00 , C08L67/02
摘要： 本发明公开一种高介电绝缘胶膜材料及其制备方法。绝缘胶膜材料的特征在于其由三层结构组成，其绝缘聚合物复合物由薄膜材料支撑，绝缘聚合物复合物表面覆盖一层保护膜。绝缘聚合物复合物由导电浆料制成，导电浆料含有复合介电填料，所述的复合介电填料由氮化硼纳米片和无机陶瓷粒子构成。本发明所述的高介电绝缘胶膜材料制备方法和所用材料简单，介电损耗低，可应用于印刷线路板、基板、载板等半导体电子封装。
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公开(公告)号：CN110511718A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910853636.3
申请日：2019-09-10
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： C09J179/04 , C09J163/00 , C09J11/04 , C09J7/30 , C09J7/25
摘要： 本发明公开一种一种高温绝缘胶膜材料及其制备方法。具体公开了一种耐高温绝缘聚合物复合物，其包括氰酸酯树脂、环氧树脂、无机填料、环氧树脂固化剂、固化促进剂、分散剂；所述的耐高温绝缘聚合物复合物包括以下质量份的组分：氰酸酯树脂3-12份，环氧树脂3-20份，无机填料5-15份，环氧树脂固化剂0.1-2份，固化促进剂0.0001-0.005份，分散剂0.1-2份。绝缘聚合物复合物固化后的玻璃化转变温度高于120℃。
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公开(公告)号：CN110684477A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910958733.9
申请日：2019-10-10
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： C09J7/25 , C09J7/30 , C09J163/00 , C09J11/04
摘要： 本发明公开一种应用于印刷线路板、基板、载板等半导体电子封装领域的绝缘胶膜材料及其制备方法。绝缘胶膜材料的特征在于其由三层结构组成，其绝缘聚合物复合物由薄膜材料支撑，绝缘聚合物复合物表面覆盖一层保护膜。支撑膜的离型力为25μN/mm～60μN/mm，保护膜的离型力为2μN//mm～60μN/mm。绝缘聚合物复合物的厚度为1μm～300μm。其制备过程为将由高分子聚合物、无机填料、高分子聚合物固化剂、成型助剂、溶剂等混合后，进行球磨、砂磨及超声等分散工艺制备绝缘聚合物复合物的电子浆料，然后将其涂覆与支撑膜材料表面，经过烘箱干燥后与保护膜进行贴合，形成该绝缘胶膜材料。
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公开(公告)号：CN114603952A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011428733.7
申请日：2020-12-09
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： B32B27/08 , B32B27/36 , B32B33/00 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/24 , B32B38/00 , B32B38/10 , C09J163/00 , C09J11/04 , C09J11/08
摘要： 本发明属于电子封装材料技术领域，公开一种应用于印刷线路板(PCB)、基板、载板、晶圆封装等电子封装领域的绝缘胶膜材料及其制备方法。增厚绝缘胶膜为绝缘胶膜A和绝缘胶膜B压合而成，增厚绝缘胶膜包括绝缘聚合物复合物层，绝缘聚合物复合物层底部的下层薄膜支撑层，以及绝缘聚合物复合物层表面的上层薄膜支撑层。本发明可以有效减少厚绝缘胶膜加工过程中的溶剂残留，减少加工过程中导致的气泡等缺陷，同时，一定程度上增加绝缘胶膜的耐电压能力。
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公开(公告)号：CN110684477B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910958733.9
申请日：2019-10-10
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： C09J7/25 , C09J7/30 , C09J163/00 , C09J11/04
摘要： 本发明公开一种应用于印刷线路板、基板、载板等半导体电子封装领域的绝缘胶膜材料及其制备方法。绝缘胶膜材料的特征在于其由三层结构组成，其绝缘聚合物复合物由薄膜材料支撑，绝缘聚合物复合物表面覆盖一层保护膜。支撑膜的离型力为25μN/mm～60μN/mm，保护膜的离型力为2μN//mm～60μN/mm。绝缘聚合物复合物的厚度为1μm～300μm。其制备过程为将由高分子聚合物、无机填料、高分子聚合物固化剂、成型助剂、溶剂等混合后，进行球磨、砂磨及超声等分散工艺制备绝缘聚合物复合物的电子浆料，然后将其涂覆与支撑膜材料表面，经过烘箱干燥后与保护膜进行贴合，形成该绝缘胶膜材料。
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公开(公告)号：CN111087843A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911285043.8
申请日：2019-12-13
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： C09D5/24 , C09D163/00 , C09D5/25 , C08J7/044 , B32B27/08 , B32B27/10 , B32B27/28 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B33/00 , C08L67/02
摘要： 本发明公开一种高介电绝缘胶膜材料及其制备方法。绝缘胶膜材料的特征在于其由三层结构组成，其绝缘聚合物复合物由薄膜材料支撑，绝缘聚合物复合物表面覆盖一层保护膜。绝缘聚合物复合物由导电浆料制成，导电浆料含有复合介电填料，所述的复合介电填料由氮化硼纳米片和无机陶瓷粒子构成。本发明所述的高介电绝缘胶膜材料制备方法和所用材料简单，介电损耗低，可应用于印刷线路板、基板、载板等半导体电子封装。
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公开(公告)号：CN117924207A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311691682.0
申请日：2023-12-11
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： C07D265/16 , C08G59/40 , C08J5/18 , C08L63/00
摘要： 本发明提供了一种含有苯并噁嗪环的固化剂和高玻璃化转变温度的环氧树脂柔性薄膜的制备方法。其中含苯并噁嗪环固化剂具有如式I所示的结构式；#imgabs0#其中，所述R1和R2独立地选自含刚性基团，所述刚性基团为苯环或取代的苯环。本发明的固化剂制备工序简单，研发周期短，可以降低研发成本。原料简单，相比于传统改性方式对环境污染小。通过使用本发明的固化剂，在制备环氧树脂薄膜时不需要填料的引入，杜绝填料对性能的影响，就可以提高玻璃化转变温度。在提高材料玻璃换化变温度和材料机械性能的同时降低材料介电常数和介电损耗，综合了传统填料改性和基体改性两者的优势。
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公开(公告)号：CN111565510A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010392713.2
申请日：2020-05-11
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H05K1/16
摘要： 本发明公开高介电双面蚀刻的埋容材料及其制备方法和用途。本发明的埋容材料为四层结构，外侧两层为金属箔层，内层两层为第一介电层和第二介电层，第一介电层和第二介电层采用不同的基质，其中，第一介电层基质为聚酰亚胺；第二介电层基质为环氧树脂；第一介电层包含介电填料或者不包含，第二介电层包含介电填料。本发明的埋容材料在保证电容材料的高介电性能的前提下，材料的杨氏模量很高，达到1300-2000Mpa之间，证明结构强度很高并能进行双面蚀刻。本发明的埋电容材料能够大大缩短工艺时间，配合PCB工艺和设计上的优化，降低了制造成本，同时提高板材的涨缩稳定性和可靠性，进而提高生产良率。
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公开(公告)号：CN111565510B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010392713.2
申请日：2020-05-11
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H05K1/16
摘要： 本发明公开高介电双面蚀刻的埋容材料及其制备方法和用途。本发明的埋容材料为四层结构，外侧两层为金属箔层，内层两层为第一介电层和第二介电层，第一介电层和第二介电层采用不同的基质，其中，第一介电层基质为聚酰亚胺；第二介电层基质为环氧树脂；第一介电层包含介电填料或者不包含，第二介电层包含介电填料。本发明的埋容材料在保证电容材料的高介电性能的前提下，材料的杨氏模量很高，达到1300‑2000Mpa之间，证明结构强度很高并能进行双面蚀刻。本发明的埋电容材料能够大大缩短工艺时间，配合PCB工艺和设计上的优化，降低了制造成本，同时提高板材的涨缩稳定性和可靠性，进而提高生产良率。
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