一种二维(PEA)2PbX4纳米片、制备方法及其在紫外光探测器中的应用

    公开(公告)号:CN114685555B

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202210211541.3

    申请日:2022-03-04

    摘要: 一种二维(PEA)2PbX4纳米片、制备方法及其在紫外光探测器中的应用,属于光电探测器技术领域。二维(PEA)2PbX4纳米片的制备方法包括:胺中,在搅拌条件下加热再过滤,得到前驱体溶液;(2)控制温度,在强烈搅拌的条件下滴加前驱体溶液至甲苯中,反溶剂沉淀法获得分散液;(3)取两块硅片衬底清洗,再用紫外光处理吹干,刮开一端表面上的二氧化硅作为电极并连接导电线,其余部分浸没于分散液中,施加电压,获得二维的(PEA)2PbX4纳米片。本发明片状结构具有较低的缺陷态密度,还具有天然形成的结构边界,能在纳米尺度实现对入射光的调控。(1)取PEAX和PbX2混合,溶解于N,N‑二甲基甲酰

    一种二维(PEA)2PbX4纳米片、制备方法及其在紫外光探测器中的应用

    公开(公告)号:CN114685555A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202210211541.3

    申请日:2022-03-04

    摘要: 一种二维(PEA)2PbX4纳米片、制备方法及其在紫外光探测器中的应用,属于光电探测器技术领域。二维(PEA)2PbX4纳米片的制备方法包括:(1)取PEAX和PbX2混合,溶解于N,N‑二甲基甲酰胺中,在搅拌条件下加热再过滤,得到前驱体溶液;(2)控制温度,在强烈搅拌的条件下滴加前驱体溶液至甲苯中,反溶剂沉淀法获得分散液;(3)取两块硅片衬底清洗,再用紫外光处理吹干,刮开一端表面上的二氧化硅作为电极并连接导电线,其余部分浸没于分散液中,施加电压,获得二维的(PEA)2PbX4纳米片。本发明片状结构具有较低的缺陷态密度,还具有天然形成的结构边界,能在纳米尺度实现对入射光的调控。