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公开(公告)号：CN105584192B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410635620.2
申请日：2014-11-12
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
摘要： 本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板；所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽；所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上；所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上，且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动，所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽，所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距，即切口的宽度小于10微米，满足了制备高频阵列探头的需求。
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公开(公告)号：CN105702852A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410712388.8
申请日：2014-11-28
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
摘要： 2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具通过将压电陶瓷/单晶铁电材料进行精磨，使其达到预设厚度。然后沿压电陶瓷/单晶铁电材料的长度方向切割形成深度固定的沟槽。最后沿沟槽朝向将多个压电陶瓷/单晶铁电材料子块堆叠，再在堆叠后的沟槽内填充聚合物。因此，在沟槽深度固定时，聚合物的厚度就能固定为沟槽深度，从而能够避免聚合物厚度超过阈值而影响压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度。且上述方法中采用先切割后堆叠填充，使得压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度固定为预设的压电陶瓷/单晶铁电材料厚度，使其符合用户要求。
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公开(公告)号：CN105702851A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410714519.6
申请日：2014-11-28
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/35
摘要： 2-2型压电复合材料及其制备方法采用离心机使聚合物均匀浇注于所述压电陶瓷片/单晶铁电片的一面，通过离心机能够控制聚合物的厚度。再将压电复合材料阵元上多余的聚合物和压电陶瓷/单晶铁电磨去，使压电陶瓷片/单晶铁电片及所述聚合物分别达到各自的预设厚度。将多个压电复合材料阵元堆叠且粘接后，控制结合面的聚合物厚度。从而形成压电复合材料。在上述过程中，严格控制压电陶瓷片/单晶铁电片及聚合物的厚度，从而能够保证压电陶瓷片/单晶铁电片及聚合物的最小总宽度在50μm做足，满足2-2型高频压电复合换能器的高频要求，而且加工余量小，提高材料的利用率。
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公开(公告)号：CN105702852B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201410712388.8
申请日：2014-11-28
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
摘要： 2‑2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具通过将压电陶瓷/单晶铁电材料进行精磨，使其达到预设厚度。然后沿压电陶瓷/单晶铁电材料的长度方向切割形成深度固定的沟槽。最后沿沟槽朝向将多个压电陶瓷/单晶铁电材料子块堆叠，再在堆叠后的沟槽内填充聚合物。因此，在沟槽深度固定时，聚合物的厚度就能固定为沟槽深度，从而能够避免聚合物厚度超过阈值而影响压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度。且上述方法中采用先切割后堆叠填充，使得压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度固定为预设的压电陶瓷/单晶铁电材料厚度，使其符合用户要求。
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公开(公告)号：CN105702851B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201410714519.6
申请日：2014-11-28
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/35
摘要： 2‑2型压电复合材料及其制备方法采用离心机使聚合物均匀浇注于所述压电陶瓷片/单晶铁电片的一面，通过离心机能够控制聚合物的厚度。再将压电复合材料阵元上多余的聚合物和压电陶瓷/单晶铁电磨去，使压电陶瓷片/单晶铁电片及所述聚合物分别达到各自的预设厚度。将多个压电复合材料阵元堆叠且粘接后，控制结合面的聚合物厚度。从而形成压电复合材料。在上述过程中，严格控制压电陶瓷片/单晶铁电片及聚合物的厚度，从而能够保证压电陶瓷片/单晶铁电片及聚合物的最小总宽度在50μm做足，满足2‑2型高频压电复合换能器的高频要求，而且加工余量小，提高材料的利用率。
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公开(公告)号：CN105633273A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410597108.3
申请日：2014-10-29
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L41/338 , H01L41/335
摘要： 本发明涉及一种压电/单晶铁电复合材料制备治具。压电/单晶铁电复合材料制备治具包括夹具底座、升降导杆、微调座及微调移动块；所述夹具底座上开设有用于固定压电/单晶铁电片的固定槽；所述升降导杆垂直设置于所述夹具底座上；所述微调座可滑动地设置于所述升降导杆上，所述微调座下表面上开设有滑轨；所述微调移动块可滑动地设置于所述滑轨上。同时还提供了使用上述治具的压电/单晶铁电复合材料制备方法。在该压电/单晶铁电复合材料制备方法中，通过在两个压电/单晶铁电片上开设切口，并将两个压电/单晶铁电片相配合，以使最终产品阵元间的间距，即切口的宽度小于10微米，满足了制备高频阵列探头的需求。
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公开(公告)号：CN105584192A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410635620.2
申请日：2014-11-12
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
摘要： 本发明涉及一种1-3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板；所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽；所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上；所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上，且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动，所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽，所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1-3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1-3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距，即切口的宽度小于10微米，满足了制备高频阵列探头的需求。
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公开(公告)号：CN105708491B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201410728004.1
申请日：2014-12-03
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： A61B8/00
摘要： 用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头及其制备方法首先制备出M*N型压电复合材料，溅射电极层后进行电极切割划分，此切割工艺将相对面的电极信号引线引在同一面。然后添加第一匹配层、第二匹配层和声透镜。最后用镂空的FPC板焊在面阵的行电极或列电极上。再添加背衬层，用外壳将以上制备的探头封装。采用压电复合材料阵列单面行、列接线方式，每个阵元的工作状态由电压在某一行(或列)、某一列(或行)的通或断来选择控制，减少引线数目。同时，采用单面集中引线方式更加简单、快捷、可靠。因此，对匹配层、背衬层是否导电没有限制，并且不用切割匹配层、背衬材料，降低了工艺难度和复杂度。
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公开(公告)号：CN105708491A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410728004.1
申请日：2014-12-03
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： A61B8/00
摘要： 用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头及其制备方法首先制备出M*N型压电复合材料，溅射电极层后进行电极切割划分，此切割工艺将相对面的电极信号引线引在同一面。然后添加第一匹配层、第二匹配层和声透镜。最后用镂空的FPC板焊在面阵的行电极或列电极上。再添加背衬层，用外壳将以上制备的探头封装。采用压电复合材料阵列单面行、列接线方式，每个阵元的工作状态由电压在某一行(或列)、某一列(或行)的通或断来选择控制，减少引线数目。同时，采用单面集中引线方式更加简单、快捷、可靠。因此，对匹配层、背衬层是否导电没有限制，并且不用切割匹配层、背衬材料，降低了工艺难度和复杂度。
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公开(公告)号：CN105640588B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201410728213.6
申请日：2014-12-03
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： A61B8/00
摘要： 用于深脑刺激与神经调控的大规模面阵超声的探头及其制备方法首先制备M*N型压电复合材料，因为压电复合材料是切穿的，可以大大降低相邻压电阵元间的串声干扰。采用溅射电极层并分散切割电极的工艺方法，按照阵元的排列分散第一正面电极，地电极不分散切割并通过包边电极层将地电极引在第一正面电极层，减少地电极信号引线。同时，可以实现单面集中接线，工艺简单可靠。再使用多层柔性电路板连线，多层柔性电路板上引线端阵列与阵元排列相同，采用两边对齐方式，将多层柔性电路板上的引线端与对应的阵元电极信号引线端对齐，容易找准多层柔性电路板的正确位置，保证可以将电极信号引线正确引出。
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