公开(公告)号：CN113410378B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202110482739.0

申请日：2021-04-30

申请人： 山东大学

发明人： 刘铎 ,  颜为山 ,  罗雯耀 ,  赵超鹏 ,  张汪阳 ,  韩素芹

IPC分类号： H01L41/333 ,  H01L41/335 ,  H01L41/187 ,  C30B33/00

摘要： 本发明涉及一种利用纳米压痕提高压电材料压电系数的方法，该方法对压电晶体施加载荷外力，使压电晶体表面获得周期性纳米级图形化压痕结构，大大提高了压电晶体的压电系数，由17pC/N提高到44pC/N，采用的用纳米压痕技术直接在压电晶体表面制备大面积周期性纳米压痕结构，成本低，操作简便，并且无需昂贵的设备。

公开(公告)号：CN114050216A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111260305.2

申请日：2021-10-28

申请人： 华中科技大学

发明人： 黄永安 ,  凌红

IPC分类号： H01L41/331 ,  H01L41/335

摘要： 本发明属于柔性电子制备相关技术领域，其公开了一种柔性电子器件及其激光加工方法，包括以下步骤：(1)在透明基底上制备牺牲层，并通过图案化工艺在牺牲层上制备图案化结构；牺牲层的材料的热膨胀系数与图案化结构的材料的热膨胀系数之差大于10‑5K‑1；(2)在牺牲层暴露的区域及图案化结构上沉积得到功能层；(3)在功能层上沉积衬底层以得到柔性带电子器件的半成品，并采用激光束对透明基底进行扫描，激光束穿过透明基底而作用于半成品的其他结构；(4)对激光作用后的半成品进行机械分离以得到图案化的柔性电子器件。本发明同时实现了功能层的图案化及剥离，简化了工艺。

公开(公告)号：CN108346737B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201810127868.6

申请日：2018-02-08

申请人： 嘉兴晶控电子有限公司

发明人： 周朱华 ,  王祖勇

IPC分类号： H01L41/335

摘要： 本发明公开了压电石英基片生产工艺，包括以下工艺步骤，1)粘料；2)改圆；3)化料；4)清洗；5)研磨：研磨用模具包括底模和上模，上模用于固定圆形基片，底模中心固定有转动轴，以该转动轴为圆心在底模上设置同心的内圈、外圈、中间圈，内圈和外圈的屈光度相同，中间圈的屈光度和内圈屈光度不同，在转动轴转动时，圆形基片由上模压在底模上，上模自转同时沿外圈半径方向直线运动；6)对步骤5)处理后的圆形基片进行清洗、脱水处理；7)对步骤6)处理后的圆形基片在分频机进行分频，分频完成后作清洗、脱水处理；8)腐蚀。在研磨时，采用具有两种屈光度的底模，可使得基片在一次研磨过程中磨制出两种屈光度，生产效率高。

公开(公告)号：CN112599655A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011443320.6

申请日：2019-03-13

申请人： 电子科技大学

发明人： 罗文博 ,  吴传贵 ,  帅垚

IPC分类号： H01L41/33 ,  H01L41/312 ,  H01L41/313 ,  H01L41/335 ,  H01L41/18

摘要： 本发明涉及一种多功能单晶薄膜、其制备方法和谐振器,包括如下制备步骤：选择至少两种不同材质的小尺寸压电单晶晶圆，在各小尺寸压电单晶晶圆的下表面注入高能量离子，在衬底的上表面划分出与各具有损伤层的小尺寸压电单晶晶圆匹配的键合区域，在各键合区域内制备键合层；将各具有损伤层的小尺寸压电单晶晶圆的下表面叠放于一一对应的键合区域内，进行键合处理和单晶劈裂处理，移除上压电层，在大尺寸衬底上拼接不同材质的小尺寸单晶薄膜；本发明提供的多功能单晶薄膜的制备方法，可以在同一衬底上集成不同材质的单晶薄膜，可以为多种膜器件提供多功能性单晶薄膜。

公开(公告)号：CN112088439A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201980019317.0

申请日：2019-02-15

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 堀裕二 ,  高垣达朗

IPC分类号： H01L41/187 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C30B25/06 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/18 ,  H01L21/02 ,  H01L41/053 ,  H01L41/335 ,  H03H9/25

摘要： 在将压电性材料基板1(1A)借助接合层2而与支撑基板3接合时，使得即便在对得到的接合体进行加热处理时也不会发生压电性材料基板1(1A)的剥离。接合体具备：支撑基板3；压电性材料基板1(1A)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层2，其将支撑基板3和压电性材料基板1(1A)接合，并与压电性材料基板1(1A)的接合面1a接触。在接合层2设置有从所述压电性材料基板趋向所述支撑基板延伸的空隙。

公开(公告)号：CN110379916A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910603204.7

申请日：2019-07-05

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 刘立民 ,  潘庶亨

IPC分类号： H01L41/277 ,  H01L41/335 ,  H01L41/337

摘要： 一种制备压电陶瓷元件的方法，包括如下步骤：(1)对长方体形的压电陶瓷片的两条对角棱进行圆角处理；(2)对经过步骤(1)处理后的压电陶瓷片的表面进行金属化；(3)对步骤(2)得到的压电陶瓷片的、与经过圆角处理的两条对角棱平行的另外两条对角棱进行倒角处理；(4)整合步骤(3)得到的压电陶瓷片，形成带有圆角槽和倒角槽的压电陶瓷堆；(5)对所述圆角槽进行导电保护并且对所述倒角槽进行绝缘保护；(6)对经过步骤(5)处理后的压电陶瓷堆的表面进行金属化，以形成导电层；(7)去掉经过步骤(6)处理后的压电陶瓷堆的上表面和下表面处具有倒角的位置处的导电层。本发明的方法不需要过多焊接，增加了压电陶瓷元件的安全性。

公开(公告)号：CN108346737A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810127868.6

申请日：2018-02-08

申请人： 嘉兴晶控电子有限公司

发明人： 周朱华 ,  王祖勇

IPC分类号： H01L41/335

摘要： 本发明公开了压电石英基片生产工艺，包括以下工艺步骤，1）粘料；2）改圆；3）化料；4）清洗；5）研磨：研磨用模具包括底模和上模，上模用于固定圆形基片，底模中心固定有转动轴，以该转动轴为圆心在底模上设置同心的内圈、外圈、中间圈，内圈和外圈的屈光度相同，中间圈的屈光度和内圈屈光度不同，在转动轴转动时，圆形基本由上模压在底模上，上模自转同时沿外圈半径方向直线运动；6）对步骤5）处理后的圆形基片进行清洗、脱水处理；7）对步骤6）处理后的圆形基片在分频机进行分频，分频完成后作清洗、脱水处理；8）腐蚀。在研磨时，采用具有两种屈光度的底模，可使得基片在一次研磨过程中磨制出两种屈光度，生产效率高。

公开(公告)号：CN114975765A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210844224.5

申请日：2022-07-19

申请人： 济南晶正电子科技有限公司

发明人： 韩智勇 ,  刘亚明 ,  胡卉 ,  胡文 ,  李真宇 ,  孔霞

IPC分类号： H01L41/37 ,  H01L41/335 ,  H01L41/08 ,  H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  H01L21/683 ,  C30B33/04 ,  C30B29/06 ,  C30B29/30 ,  C30B29/36

摘要： 本申请公开了一种复合单晶压电薄膜及其制备方法，涉及离子注入技术领域，包括：控制离子注入设备将离子束扫描注入至单晶晶圆，得到单晶晶圆注入片，离子束的注入剂量由单晶晶圆的边缘位置到中心位置逐渐减少，或由单晶晶圆的一边到相对的另一边逐渐减少；将单晶晶圆注入片与衬底晶圆接触，得到键合体；对键合体执行热分离处理，以使单晶晶圆注入片在注入层由边缘位置到中心位置逐渐分离，或由单晶晶圆注入片的一边到相对的另一边逐渐分离，得到复合单晶压电薄膜。本申请中通过在单晶晶圆注入层所注入不均匀的离子剂量，在进行热分离时，使其由边缘位置到中心位置缓慢分离，或由一边到相对的另一边缓慢分离，以此减少分离过程中对晶片造成的缺陷。

公开(公告)号：CN112088439B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201980019317.0

申请日：2019-02-15

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 堀裕二 ,  高垣达朗

IPC分类号： H01L41/187 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C30B25/06 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/18 ,  H01L21/02 ,  H01L41/053 ,  H01L41/335 ,  H03H9/25

摘要： 在将压电性材料基板1(1A)借助接合层2而与支撑基板3接合时，使得即便在对得到的接合体进行加热处理时也不会发生压电性材料基板1(1A)的剥离。接合体具备：支撑基板3；压电性材料基板1(1A)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层2，其将支撑基板3和压电性材料基板1(1A)接合，并与压电性材料基板1(1A)的接合面1a接触。在接合层2设置有从所述压电性材料基板趋向所述支撑基板延伸的空隙。

公开(公告)号：CN113659068A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110951639.8

申请日：2021-08-17

申请人： 徐州领测半导体科技有限公司

发明人： 吴龙军

IPC分类号： H01L41/047 ,  H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/257 ,  H01L41/335

摘要： 一种高可靠性的压电半导体及其制备方法，所述压电半导体包括压电陶瓷、聚合物、叉指电极，所述压电陶瓷先通过切割机切割成阵列结构，然后通过聚合物对阵列结构进行填充并且同时将其置于呈镜面对称的2片叉指电极之间进行封装，得到压电复合材料，所述压电复合材料进行极化处理后得到压电半导体；所述压电陶瓷为(0.994‑x)(K0.4Na0.6)Nb0.965Sb0.04503‑0.006BiFe03‑xBi0.5Na0.5ZrO3陶瓷,其中，x=0.01‑0.05；所述聚合物为Dp‑460环氧AB胶、JH灌浆树脂、Adbest 360l、电子灌封胶GF‑5中的一种。本发明所述的高可靠性的压电半导体及其制备方法，结构设计合理，制备方法简单，厚度薄、重量轻、柔韧度高，由叉指电极、聚合物填充的压电陶瓷、叉指电极组成的压电半导体，具有更好的温度稳定性以及热老化稳定性和经时稳定性，应用前景广泛。