-
公开(公告)号：CN111218143B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201811542749.3
申请日：2018-12-17
申请人： 中国科学院理化技术研究所
IPC分类号： C09D5/08 , C09D7/61 , C09D183/04
摘要： 本发明公开了一种氮化硼/石墨烯复合材料，其由石墨烯和氮化硼组成，所述石墨烯原位生长在所述氮化硼表面；该复合材料中，石墨烯的质量百分含量为2.5‑3％，余量为氮化硼。该复合材料成本低，且兼具高导热和高红外发射率辐射的特性，将其用于涂层组合物中时能在改善涂层组合物的散热性的同时兼顾防腐和装饰的功能。本发明还公开了其制备方法以及包含该复合材料的表面保护性涂层组合物及其应用。
-
公开(公告)号：CN114486981A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011147230.2
申请日：2020-10-23
申请人： 中国科学院理化技术研究所
IPC分类号： G01N25/00
摘要： 本发明涉及材料发射率测量技术领域，尤其涉及一种材料低温半球发射率的测试系统及方法。该材料低温半球发射率的测试系统包括测试装置、真空泵、制冷装置以及控温装置，真空泵和制冷装置分别与测试装置相连，测试装置包括真空罩、屏蔽罩、辐射屏罩以及悬挂设置在辐射屏罩内部的样品台，样品台包括电加热片以及分别设置在电加热片两侧的两个金属片，各金属片背向电加热片的一侧分别设有被测样品涂层，且各金属片上分别设有温度计，电加热片和各温度计分别与控温装置相连。本发明提供的材料低温半球发射率的测试系统，可实现10K到300K材料的平均半球发射率的连续测量，可测量温度范围更大，进而提高了测量准确度。
-
公开(公告)号：CN114477111A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011168279.6
申请日：2020-10-28
申请人： 中国科学院理化技术研究所
IPC分类号： C01B21/068
摘要： 本发明采用燃烧合成法制备单相、高纯的等轴β‑Si3N4粉体，以硅粉、稀释剂β‑Si3N4，通过添加助剂CaO，控制硅粉粒径与硅粉含量得到等轴β‑Si3N4粉体，长径比为1～4，长度为1～10μm，直径为1～3μm，无游离Si。反应周期短、工艺简单、成本低廉，能够满足工业化规模生产的需求，品质高，用作导热填料。
-
公开(公告)号：CN114411008A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202011169751.8
申请日：2020-10-28
申请人： 中国科学院理化技术研究所
摘要： 本发明公开了一种高熵合金复合材料的制备方法，所述高熵合金复合材料是通过超重力燃烧合成的方法制备得到，其中的高熵合金通过铝热反应获得，陶瓷强化相通过原位化合反应合成。该方法制备得到的高熵合金复合材料具有致密度高、硬度高、强化相弥散分布的特点，且该制备方法简单、制备周期短、成本低。
-
公开(公告)号：CN114380602A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011123433.8
申请日：2020-10-20
申请人： 中国科学院理化技术研究所
IPC分类号： C04B35/58 , C04B35/626 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了一种ZrB2‑SiC超高温复合陶瓷的制备工艺，通过在高压氩气气氛下燃烧合成ZrB2‑SiC超高温复合陶瓷，能够控制复合陶瓷的含氧量低于1％，合成粉体纯度高，粉体粒径小，为5‑500nm，有利于提高材料的耐高温性能以及应用的持久性；相比于常规原位合成法制备的粉体通常在微米级别，由于反应过程中通常抽真空达到一定程度后即不在关注反应气氛，必然会导致反应过程中氧含量的增加，从而影响性能。
-
公开(公告)号：CN111593248A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910128854.0
申请日：2019-02-21
申请人： 中国科学院理化技术研究所
摘要： 本发明公开一种高熵合金，以原子百分含量计，其原料包括如下组成：Co：22.5-25％，Cr：22.5-25％，Fe：22.5-25％，Ni：22.5-25％，Nb：0-10％。该合金具有高熵，且适于制备结构致密、均匀且具有高的硬度，高强度，高韧性，高耐磨性以及好的耐腐蚀性能的涂层。本发明还公开了该高熵合金的制备方法以及包含该高熵合金的涂层及制备方法。
-
公开(公告)号：CN110358485A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910739470.2
申请日：2019-08-12
申请人： 中国科学院理化技术研究所
IPC分类号： C09J163/00 , C09J11/04 , C08G59/50 , C08G59/56
摘要： 本发明提供一种用于低温的高导热环氧树脂粘结剂，按重量份计，其原料包括100份的A组分和6-16份的B组分；其中，A组分包括：球形氧化铝粉末50-80份，环氧树脂15-36份，活性稀释剂4-11份，消泡剂0.1份，触变剂0.8-3份，着色剂0.2-0.5份，硅烷偶联剂0.2-0.5份；B组分包括：胺类固化剂95-99份，辅助固化剂1-5份，环氧促进剂1-5份。该粘结剂超低温下能保持良好的机械性能，同时能够耐受反复的冷热冲击，适用于低温环境。
-
公开(公告)号：CN105948730B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610273780.6
申请日：2016-04-28
申请人： 中国科学院理化技术研究所
IPC分类号： C04B35/44 , C04B35/622
摘要： 本发明公开一种铁铝尖晶石的制备方法，该方法包括如下步骤：将Al∶Fe2O3按照质量比18～21∶79～82混合均匀并压坯，得到铝热剂预制块；将所述铝热剂预制块置于气压辅助燃烧合成设备中，在2～10MPa的惰性气体压力之下，诱发铝热剂预制块的高温铝热反应，反应结束得到完全分离的陶瓷块体和金属固体，其中陶瓷块体为铁铝尖晶石。将燃烧合成技术与气压辅助技术相结合，在高温铝热反应过程中施加气压促进了金属与陶瓷产物的分离，合成的铁铝尖晶石具有纯度高、辐射率高的特点，且该制备工艺具有制备周期短、生产成本低的特点。本发明的方法，对于快速、低成本制备高纯度、高辐射率的铁铝尖晶石具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN118108191A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211504059.5
申请日：2022-11-29
申请人： 中国科学院理化技术研究所
IPC分类号： C01B21/082
摘要： 本发明公开了一种具有光谱选择性的粉体及其制备方法和应用，所述粉体包括β‑Si3N4晶粒，及位于β‑Si3N4晶粒表面的Y‑Si‑O‑N化合物膜层；所述β‑Si3N4晶粒的直径为0.1μm～6μm；所述Y‑Si‑O‑N化合物膜层的厚度为1nm～5nm。本发明提供的具有光谱选择性的粉体同时具有高太阳光反射率和高大气窗口发射率，在制备光谱选择性材料、辐射制冷材料以及建筑制冷等相关领域具有极大的应用前景。具体地：该粉体在太阳光波段的平均反射率(RSolar)≥0.80，在大气窗口波段的平均发射率(ε)≥0.85。
-
公开(公告)号：CN114314656B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202011039695.6
申请日：2020-09-28
申请人： 中国科学院理化技术研究所
摘要： 本发明公开一种氧化镁稳定氧化锆粉体的制备方法，该方法包括如下步骤：将金属镁粉与氧化锆粉混合均匀得到混合粉体，在二氧化碳气氛下诱发混合粉体进行镁热还原反应，得到复合粉体；将反应结束后得到的复合粉体置于稀酸溶液中洗涤，抽滤并煅烧后得到氧化镁稳定的氧化锆粉体。本发明的核心是利用燃烧合成产生的高温及温度梯度制备氧化镁稳定氧化锆粉体。本发明的制备方法采用自蔓延燃烧合成技术，能耗低，且制备周期短，生产成本低，工艺过程简单。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
39 条记录 (耗时 0.043 秒)