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公开(公告)号：CN108823601B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201810736864.8
申请日：2018-07-06
申请人： 青岛大学
摘要： 本发明提供了一种金属氧化物/石墨烯复合膜的制备方法。本发明先制备得到氧化石墨烯，然后将得到的氧化石墨烯，与金属反应，得到金属氧化物/还原氧化石墨烯复合物；将基底置于烧杯中，加入蒸馏水，逐滴加入金属氧化物/还原氧化石墨烯溶液，在水面形成金属氧化物/还原氧化石墨烯膜，然后用吸管将多余的水缓慢的吸出，将基底干燥后即得到所述的金属氧化物/石墨烯复合膜。重复上述步骤，可以得到不同层数的金属氧化物/石墨烯复合膜。本方法将金属氧化物/还原氧化石墨烯直接自组装成膜，方法简单，条件温和，适用于多种基底金属氧化物/石墨烯复合膜的制备。
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公开(公告)号：CN104649233A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510025963.1
申请日：2015-01-19
申请人： 清华大学
CPC分类号： C01B13/322 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/16
摘要： 本发明公开了一种金属氧化物纳米线的可控图案化超快激光复合制备方法。它包括以下步骤：1)按照预先设计的图案，用超快激光辐照块体金属的表面，在块体金属的表面得到图案化的微纳米结构，即金属氧化物纳米线前驱体；2)在氧化气氛下，加热附着有金属氧化物纳米线前驱体的块体金属并保温，冷却后即在金属氧化物纳米线前驱体上原位生长出金属氧化物纳米线。利用超快激光加工过程对金属表面微纳米前驱体结构分布形式的调控，可实现对金属氧化物纳米线分布形式的调控；同时，通过对热氧化工艺中加热温度、保温时间、氧化气氛等因素的调控，可实现对金属氧化物纳米线直径、长度和生长密度等的调控。
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公开(公告)号：CN103172092A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310065937.2
申请日：2013-03-01
申请人： 中国科学院过程工程研究所
IPC分类号： C01F5/04 , C08K9/12 , C08K5/136 , C08L23/12 , A01N59/06 , A01N59/20 , A01N59/16 , A01N31/16 , A01P1/00 , A01P3/00
摘要： 本发明涉及一种纳米氧化镁及其制备方法，以及所述纳米氧化镁与三氯生的复合抗菌剂、及其制备方法及用途。所述复合抗菌剂利用离子掺杂调控纳米氧化镁的缺陷结构以及对三氯生的吸附能力调控复合抗菌剂的抑菌能力，从而获得良好的抑菌和防霉性能，并且其生产过程操作简单、产率高、适用于量产制备。
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公开(公告)号：CN101870473B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010183815.X
申请日：2010-05-27
申请人： 浙江省地矿科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种橄榄岩综合利用的方法，以橄榄岩为主要原料，制纯度大于95％的取轻质氧化镁、沉淀二氧化硅、含镁轻质碳酸钙，副产氧化铁黄、氢氧化铁和氢氧化铝混合物的无机颜料，同时对橄榄岩中的镍进行了富集，以备进一步镍的提取。本发明工艺流程简单，废液排放少，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100422085C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200610144107.9
申请日：2006-11-27
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C01F5/04
摘要： 本发明公开了一种极性MgO有序超薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：首先使镁源在抽成真空的真空室内蒸发并沉积在衬底表面，当衬底表面上沉积一个原子层厚的镁层后，向真空室内通入氧气并将衬底温度从室温升高至400℃，待衬底温度稳定后停止通氧，使衬底自然冷却至室温，再依次重复上述两过程交替在衬底表面沉积镁层、氧层。本发明方法在室温下优先沉积一个单原子层的镁层，可以有效地阻止氧与衬底的直接相互作用破坏衬底的晶格对称性，而镁原子层与氧原子层的交替沉积，避免了在热力学平衡作用下(100)面与(111)面的竞争生长，有利于Mg与O的结合，并沿具有六角对称的(111)方向取向生长。
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公开(公告)号：CN114314656B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202011039695.6
申请日：2020-09-28
申请人： 中国科学院理化技术研究所
摘要： 本发明公开一种氧化镁稳定氧化锆粉体的制备方法，该方法包括如下步骤：将金属镁粉与氧化锆粉混合均匀得到混合粉体，在二氧化碳气氛下诱发混合粉体进行镁热还原反应，得到复合粉体；将反应结束后得到的复合粉体置于稀酸溶液中洗涤，抽滤并煅烧后得到氧化镁稳定的氧化锆粉体。本发明的核心是利用燃烧合成产生的高温及温度梯度制备氧化镁稳定氧化锆粉体。本发明的制备方法采用自蔓延燃烧合成技术，能耗低，且制备周期短，生产成本低，工艺过程简单。
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公开(公告)号：CN114702050A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210230311.1
申请日：2022-03-10
申请人： 青海大学
摘要： 本申请涉及制取高纯氧化镁的领域，一种制备高纯氧化镁的方法，包括以下步骤：利用过热水蒸气与镁粉进行化学反应生成氢气、氧化镁以及氢氧化镁；对氧化镁和氢氧化镁的固体混合物进行高温烘干，使氢氧化镁分解成氧化镁与水蒸气，以制取高纯氧化镁。一种制备高纯氧化镁的装置，包括反应釜，用于过热水蒸气与镁粉进行化学反应以生成氢气、氧化镁及氢氧化镁；烘干装置，用于对氧化镁与氢氧化镁的固体混合物进行高温烘干；以及控制装置，用于对反应釜内的化学反应以及烘干装置的烘干温度进行控制。通过利用过热水蒸气与镁粉反应，并对反应完成后的产物进行高温烘干，同时将烘干过程中产生的水蒸气排出或利用干燥剂进行吸附，从而得到更高纯度的氧化镁。
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公开(公告)号：CN104649233B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510025963.1
申请日：2015-01-19
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种金属氧化物纳米线的可控图案化超快激光复合制备方法。它包括以下步骤：1)按照预先设计的图案，用超快激光辐照块体金属的表面，在块体金属的表面得到图案化的微纳米结构，即金属氧化物纳米线前驱体；2)在氧化气氛下，加热附着有金属氧化物纳米线前驱体的块体金属并保温，冷却后即在金属氧化物纳米线前驱体上原位生长出金属氧化物纳米线。利用超快激光加工过程对金属表面微纳米前驱体结构分布形式的调控，可实现对金属氧化物纳米线分布形式的调控；同时，通过对热氧化工艺中加热温度、保温时间、氧化气氛等因素的调控，可实现对金属氧化物纳米线直径、长度和生长密度等的调控。
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公开(公告)号：CN102219238A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010145168.3
申请日：2010-04-13
申请人： 赵世明
发明人： 赵世明
IPC分类号： C01F5/04
摘要： 本发明涉及一种专用氧化炉，尤其涉及一种利用镁锰合金制取氧化镁的装置。它对目前采用的带有很多小孔的吹管的坩埚式氧化炉进行改进，取消小孔径吹管，把气箱4分成两个或多个，直接与液面相通，通风面积大，气液接触面积提高几倍至几十倍，产量大大提高；气箱与合金熔体把炉内上部分隔成预熔区、反应区和结晶区。本发明比原有生产装置的工艺更简单，阻力更小，同样尺寸的氧化炉产量可提高一倍，生产成本可降低45％以上。
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公开(公告)号：CN101348267A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810119803.3
申请日：2008-09-11
申请人： 清华大学
IPC分类号： C01F5/04
摘要： 一种MgO纳米颗粒材料的制备方法属于纳米材料制备技术领域。其特征在于：是在非真空条件下，采用液氮介质中电弧放电、纯镁阳极自耗方法制备MgO纳米颗粒，其中在阴极端面开有内孔，将阳极置于阴极端部的内孔，起弧放电，使镁棒气化获得镁原子，并利用置于液氮溶液中，阴极内孔形成的气态镁环境，和利用液氮提供的低温环境，合成Mg纳米颗粒。该方法设备简单、工艺参数可控。制备所需原材料为工业纯镁棒，原材料丰富、成本低。制备的MgO纳米颗粒呈球形体或近球形体、立方体或近立方体形貌，颗粒无其它污染。
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