公开(公告)号：CN109553181B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201811513387.5

申请日：2018-12-11

Applicant: 中国科学院生态环境研究中心 ,  清华大学

Inventor： 曲久辉 ,  陈瑀 ,  张弓 ,  刘会娟

IPC: B01J27/051 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明属于废水处理技术领域，提出了一种利用三价钼产生自由基的方法及其处理有机废水的方法。所述利用三价钼产生自由基的方法包括如下步骤：a)将钼酸盐和硫源溶于去离子水中，搅拌反应得到前驱液；将所得前驱液置于高压反应釜中，水热反应后得黑色粉末，洗涤、干燥，得混合晶型二硫化钼纳米片；b)在光照条件下，将上述混合晶型二硫化钼纳米片在水溶液中与过氧键发生氧化还原反应，产生大量自由基。本发明主要应用于废水中去除有机污染物，该方法可持续产生三价钼以及自由基，在废水处理中催化氧化去除水中有机污染物，大幅提高了催化性能。同时实现了混合晶型二硫化钼纳米片的循环使用，无毒无害，具有环境友好性。

公开(公告)号：CN109553181A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811513387.5

申请日：2018-12-11

Applicant: 中国科学院生态环境研究中心 ,  清华大学

Inventor： 曲久辉 ,  陈瑀 ,  张弓 ,  刘会娟

IPC: C02F1/72 ,  C01G39/06 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明属于废水处理技术领域，提出了一种利用三价钼产生自由基的方法及其处理有机废水的方法。所述利用三价钼产生自由基的方法包括如下步骤：a)将钼酸盐和硫源溶于去离子水中，搅拌反应得到前驱液；将所得前驱液置于高压反应釜中，水热反应后得黑色粉末，洗涤、干燥，得混合晶型二硫化钼纳米片；b)在光照条件下，将上述混合晶型二硫化钼纳米片在水溶液中与过氧键发生氧化还原反应，产生大量自由基。本发明主要应用于废水中去除有机污染物，该方法可持续产生三价钼以及自由基，在废水处理中催化氧化去除水中有机污染物，大幅提高了催化性能。同时实现了混合晶型二硫化钼纳米片的循环使用，无毒无害，具有环境友好性。

公开(公告)号：CN110180564B

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201910530418.6

申请日：2019-06-19

Applicant: 清华大学

Inventor： 张弓 ,  陈瑀 ,  吉庆华 ,  刘会娟 ,  曲久辉

IPC: B01J27/051 ,  B01J35/02 ,  B01J35/06 ,  C02F1/72 ,  C02F1/50

Abstract: 本发明提供了一种二硫化钼催化膜，包括基底以及生长在基底上的二硫化钼阵列，所述二硫化钼阵列垂直于基底生长；垂直生长的二硫化钼厚度为5～8nm，边缘长度200～800nm，阵列生长密度为32～45个/μm2。所述基底选自碳纤维布、泡沫镍和碳纸中的一种或多种。所述二硫化钼垂直阵列的制备原料包括钼酸盐和硫源，制备方法为水热法使得二硫化钼生长在基底上，真空干燥后即得二硫化钼垂直阵列；水热生长法中钼酸盐与硫源的质量比为1‑5:3‑10。本发明采用的二硫化钼垂直阵列的原材料均为非管制药品，成本低廉，合成材料方便。本发明采用的二硫化钼垂直阵列可用数次，不影响杀菌效果。

公开(公告)号：CN109794266A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201910127104.1

申请日：2019-02-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 张弓 ,  陈瑀 ,  吉庆华 ,  曲久辉

IPC: B01J27/051 ,  B01J35/02 ,  C02F1/72 ,  C02F101/34

Abstract: 本申请公开了一种无机催化膜及其制备方法和应用。所述方法包括：将二硫化钼纳米片均匀分散在水中，得到二硫化钼分散液；以及对所述二硫化钼分散液进行抽滤，使二硫化钼纳米片沉积在基底上，得到所述无机催化膜。本申请的无机催化剂膜的催化活性较好，能够催化过硫酸盐产生大量的自由基，而且通过调控体系流场，使产生的自由基快速和目标污染物分子接触并发生反应，从而达到提高自由基利用率的目的，能够用于污水处理。

公开(公告)号：CN110180564A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910530418.6

申请日：2019-06-19

Applicant: 清华大学

Inventor： 张弓 ,  陈瑀 ,  吉庆华 ,  刘会娟 ,  曲久辉

IPC: B01J27/051 ,  B01J35/02 ,  B01J35/06 ,  C02F1/72 ,  C02F1/50

Abstract: 本发明提供了一种二硫化钼催化膜，包括基底以及生长在基底上的二硫化钼阵列，所述二硫化钼阵列垂直于基底生长；垂直生长的二硫化钼厚度为5～8nm，边缘长度200～800nm，阵列生长密度为32～45个/μm2。所述基底选自碳纤维布、泡沫镍和碳纸中的一种或多种。所述二硫化钼垂直阵列的制备原料包括钼酸盐和硫源，制备方法为水热法使得二硫化钼生长在基底上，真空干燥后即得二硫化钼垂直阵列；水热生长法中钼酸盐与硫源的质量比为1-5:3-10。本发明采用的二硫化钼垂直阵列的原材料均为非管制药品，成本低廉，合成材料方便。本发明采用的二硫化钼垂直阵列可用数次，不影响杀菌效果。