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公开(公告)号：CN115064336B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202210844007.6
申请日：2022-07-18
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01F6/06 , H01F6/04 , H01F41/04 , H01F41/061
Abstract: 本发明公开了一种无接头高温超导磁体，涉及高温超导磁体制备领域，该无接头高温超导磁体包括：磁体骨架和至少一组超导线圈组；超导线圈组包括第一双饼线圈和第二双饼线圈；两个双饼线圈侧位放置；超导线圈组采用无接头绕制法绕制而成；无接头绕制法为：将目标带材的中部上分离带材、中部下分离带材均相切放置一个圆环骨架，将目标带材的左侧端部从中间孔隙穿过并回到原来的位置，使中部上分离带材缠绕在对应相切的圆环骨架上形成第一双饼线圈，使中部下分离带材缠绕在对应相切的另一个圆环骨架上形成第二双饼线圈，工作时，向第一双饼线圈和第二双饼线圈中的每个线圈以并联的方式通入励磁电流。本发明避免了超导磁体接头，能实现稳态运行。
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公开(公告)号：CN118919211A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411333169.9
申请日：2024-09-24
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开一种高温超导磁体装置及其装配方法，涉及高温超导磁体制备技术领域，包括：中心骨架、高温超导双饼线圈、夹持定位件以及电极，中心骨架的两端对称设置有夹持定位件，中心骨架对应两端夹持定位件之间套设有高温超导双饼线圈，夹持定位件包括第一夹板以及第二夹板，第一夹板与第二夹板可拆卸连接，第一夹板上设置有第一凹槽，第二夹板上设置有第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽拼合形成夹持孔；当设置有多个高温超导双饼线圈且存在安装公差时，可通过拆卸再安装第一夹板与第二夹板，实现夹持定位件位置的调节，进而调节中心骨架两侧夹持定位件之间的间距，实现对安装公差的补偿，提高对高温超导双饼线圈的保护效果，适用范围广。
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公开(公告)号：CN114220650B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111563000.9
申请日：2021-12-20
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01F41/04 , H01F41/076 , H01F41/12 , H01F6/06
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导带材闭合线圈及其制备方法，属于超导材料技术领域。本发明将绝缘材料包裹的第二代高温超导带材绕制成线圈后，裸露出待连接接头的超导层，通过熔融扩散焊接的方式把两端带材连接在一起，熔融扩散焊接过程中，超导层失去超导性；本发明在含氧气氛下，对具有焊接接头的线圈进行热处理，在热处理的过程中，超导层进行充氧，提高超导层成分的含氧量，恢复其超导电性，从而实现线圈两端第二代高温超导带材超导态的连接。本发明对所述初步闭合线圈的焊接接头处进行覆铜处理，能够提高接头的机械强度，将覆铜处理后的线圈浸渍环氧树脂，能够提高线圈整体的机械强度和稳定性能。
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公开(公告)号：CN117769343A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311807290.6
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/17 , B41M5/00
Abstract: 本发明提供了一种可编辑成分的梯度结构热电膜材料及其制备方法、一种面内热电器件，属于热电材料技术领域。本发明先制备多组成分不同的Bi2Te3基材料浆料，再在同一平面内对多组浆料依次进行喷墨打印，经热固化和退火后得到可编辑成分的梯度结构热电膜材料。本发明提供的制备方法可灵活改变膜材料梯度结构，有效调控每种Bi2Te3基材料的宽度和厚度；具有梯度结构的热电膜材料可充分利用不同成分材料的性能，使热电膜材料在较宽温度范围内具有高热电性能；并且材料制备过程简单高效，喷墨打印机针头具有高分辨率，可实现微米级宽度打印，灵活调控材料梯度结构。基于本发明具有梯度结构热电膜材料制备的热电器件具有高输出性能。
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公开(公告)号：CN117758223A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311806924.6
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C23C14/35 , H10N10/853 , C23C14/20 , C23C14/58 , C22C12/00
Abstract: 本发明提供了一种N型Mg3Sb2基热电薄膜的制备方法，属于热电材料技术领域。本发明将P型Mg3Sb2基热电薄膜与金属镁共同置于密闭环境中进行高温处理，所述金属镁蒸发出来的Mg元素进入P型Mg3Sb2基热电薄膜，将P型Mg3Sb2基热电薄膜转化为N型Mg3Sb2基热电薄膜；所述高温处理的温度为400～550℃，保温时间为5～30min。采用本发明的方法可以得到N型Mg3Sb2基热电薄膜，且方法简单，操作方便，为热电领域制备N型Mg3Sb2基热电薄膜提供了新思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117440744A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311317050.8
申请日：2023-10-12
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/853 , C23C14/35 , C23C14/20 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种Sb7Te/Te掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜及其制备方法，涉及热电薄膜技术领域。本发明采用射频溅射在聚酰亚胺衬底上实现了Sb7Te/Te掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜的制备，本发明调整磁控溅射过程的衬底温度和溅射功率，制得薄膜有很高的结晶性且有效掺杂第二相(指Te与Sb7Te)，界面散射效应明显，电导率有大幅提高，制备出了热电性能优异的碲化铋基薄膜。本发明以柔性聚酰亚胺为衬底，制备的Sb7Te/Te掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜具有良好的柔性，可以更好的应用于可穿戴器件。
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公开(公告)号：CN114360894B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210037037.6
申请日：2022-01-13
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明涉及一种闭环超导磁体的绕制方法及闭环超导磁体。所述方法包括：将主带盘中的超导带材缠绕在过渡带盘上；将过渡带盘上的超导带材缠绕在第1个双饼线圈骨架的一侧形成第1个双饼线圈中的第1个单饼；将主带盘上的超导带缠绕在第n个双饼线圈骨架的另一侧形成第n个双饼线圈中的第2个单饼；将第n个双饼线圈中的第2个单饼上的超导带材缠绕在第n+1个双饼线圈骨架的一侧形成第n+1个双饼线圈中的第1个单饼，至此完成第n个双饼线圈的绕制；将最后一个双饼线圈的超导带材抽头的端部与第一个双饼线圈的超导带材抽头的端部连接形成闭环超导磁体。本发明可以解决超导接头制备困难，机械性能差的缺点。
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公开(公告)号：CN116386978A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310517261.X
申请日：2023-05-10
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开了一种无接头闭环高温超导线圈及超导磁体，包括线圈骨架和四饼线圈；线圈骨架包括两个双饼圆环骨架，双饼圆环骨架包括内侧线圈缠绕圆环部和外侧线圈缠绕圆环部；四饼线圈采用无接头绕制法缠绕而成：将超导带材沿中心分割线分离，形成左、右两个未分离端部和两条分离超导带材；将两条分离超导带材的右部分以第一缠绕方向分别缠绕在两个外侧线圈缠绕圆环部上，将两条分离超导带材的左部分以第二缠绕方向分别缠绕在两个内侧线圈缠绕圆环部上，第一缠绕方向与第二缠绕方向相反；将其中一个双饼圆环骨架翻转180°，使其上缠绕的内侧线圈和外侧线圈交换位置，得到四饼线圈。本发明取消线圈接头，能够实现高温超导磁体零电阻闭环运行。
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公开(公告)号：CN116156989A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211207560.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/852 , H10N10/17 , H10N10/01
Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种复合热电柔性膜及其制备方法和应用。本发明提供了一种复合热电柔性膜，包括柔性基底和负载于所述柔性基底表面的热电功能膜，所述热电功能膜包括碳纳米管膜和附着于所述碳纳米管膜中的Bi2Se3纳米片；所述碳纳米管膜为由碳纳米管自由分布形成的网络结构；所述柔性基底为多孔有机膜。本发明提供的复合热电柔性膜以Bi2Se3纳米片和碳纳米管复合，通过碳纳米管形成的薄膜显著提高了复合热电柔性膜的导电性，同时碳纳米管的网络结构能够有效抵消外力带来的应力、应变，增强了膜材料的可变形能力，有利于实现本发明提供的复合热电柔性膜在柔性电子领域中的应用。
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公开(公告)号：CN115747565A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211263840.8
申请日：2022-10-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种Mg3Sb2基热电材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明通过在MgSbBiTe热电材料中共掺杂Co和Er元素，能够显著提高Mg3Sb2基热电材料的高温稳定性，这是由于阳离子元素Co和Er的加入，不仅可以保证材料的热电性能；还可以通过取代Mg元素，减少Mg元素含量，有效阻止高温Mg损失，且元素Co和Er的熔点显著高于Mg元素，它们的加入可以提高整个化合物的熔点，从而使得材料高温稳定性得以提高，所得Mg3Sb2基热电材料在673K下保持稳定。
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