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公开(公告)号：CN111139076A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811313605.0
申请日：2018-11-06
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种化学腐蚀液，属于硅片刻蚀技术领域；该化学腐蚀液的特征在于包含有MnO2颗粒的HNO3/HF/H2O溶液。将该腐蚀液用于硅片腐蚀时，MnO2颗粒沉降于硅片表面起到掩膜的作用，使HNO3/HF/H2O腐蚀硅片的反应主要在MnO2颗粒之间的区域发生，由此可以提高腐蚀坑的高宽比，降低硅片表面的光反射率；同时，MnO2颗粒与硅接触的位置将硅氧化成SiO2，生成的SiO2再被HF去除，露出的硅与MnO2接触并继续发生如上反应，逐渐消耗MnO2颗粒，反应的综合效果是改善了绒面的减反射性能，从而能够在多晶硅片表面得到反射率较低的高性能绒面，且具有工艺简单、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN111139076B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201811313605.0
申请日：2018-11-06
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种化学腐蚀液，属于硅片刻蚀技术领域；该化学腐蚀液的特征在于包含有MnO2颗粒的HNO3/HF/H2O溶液。将该腐蚀液用于硅片腐蚀时，MnO2颗粒沉降于硅片表面起到掩膜的作用，使HNO3/HF/H2O腐蚀硅片的反应主要在MnO2颗粒之间的区域发生，由此可以提高腐蚀坑的高宽比，降低硅片表面的光反射率；同时，MnO2颗粒与硅接触的位置将硅氧化成SiO2，生成的SiO2再被HF去除，露出的硅与MnO2接触并继续发生如上反应，逐渐消耗MnO2颗粒，反应的综合效果是改善了绒面的减反射性能，从而能够在多晶硅片表面得到反射率较低的高性能绒面，且具有工艺简单、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN110265296A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910554252.1
申请日：2019-06-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L21/306 , H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明提供了一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法，属于半导体刻蚀技术领域。本发明以固体MnO2作为氧化剂，而HF和其他非氧化性酸用于提供可增强固体MnO2氧化性的酸性环境，在酸性环境中，固体MnO2表现出氧化性，与硅片接触可以将硅氧化，生成的SiO2被HF酸刻蚀，露出新的硅表面与固体MnO2接触，继续被氧化，随着反应进行，在硅片与固体MnO2接触的位置形成刻蚀结构，固体MnO2最终被还原成可溶性的Mn2+离子。该方法可在硅片表面需要刻蚀的地方定点刻蚀，还可用于多晶硅片表面减反射绒面的制备，不需要使用贵金属，也不需要使用硝酸，即可得到反射率低的绒面。
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公开(公告)号：CN110265296B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201910554252.1
申请日：2019-06-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L21/306 , H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明提供了一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法，属于半导体刻蚀技术领域。本发明以固体MnO2作为氧化剂，而HF和其他非氧化性酸用于提供可增强固体MnO2氧化性的酸性环境，在酸性环境中，固体MnO2表现出氧化性，与硅片接触可以将硅氧化，生成的SiO2被HF酸刻蚀，露出新的硅表面与固体MnO2接触，继续被氧化，随着反应进行，在硅片与固体MnO2接触的位置形成刻蚀结构，固体MnO2最终被还原成可溶性的Mn2+离子。该方法可在硅片表面需要刻蚀的地方定点刻蚀，还可用于多晶硅片表面减反射绒面的制备，不需要使用贵金属，也不需要使用硝酸，即可得到反射率低的绒面。
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