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公开(公告)号：CN108358189A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810003886.3
申请日：2018-01-03
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 一种制备石墨烯的方法，具体步骤为：(1)将一定碳浓度的镍源沉积到衬底表面；(2)对得到的掺碳镍膜采用电子束热处理，退火温度为900～1400℃，退火时间为1～60s，之后取出样品即可在镍膜表面得到石墨烯。本发明可制备出单层、双层或少层的石墨烯。
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公开(公告)号：CN104882533A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510213962.X
申请日：2015-04-29
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种电子束退火制备二硼化镁超导线材或带材的方法，该方法采用电子束在真空中对原位粉末套管法制备的未成相MgB2线材或带材前驱体进行退火，在几秒到几分钟的退火时间内使线材或带材前驱体中的镁硼混合粉末发生化学反应最终生成二硼化镁超导线材或带材。退火时电子束参数和退火时间依据不同的线材或带材前驱体厚度和退火温度要求来确定，通过精确控制电子束加速电压、束流和退火时间来完成不同直径线材或带材的退火。本发明制备的二硼化镁超导线材或带材性能稳定、晶粒细小均匀、成相均匀、转变温度高于37K。
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公开(公告)号：CN108149051B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201711259320.9
申请日：2017-12-04
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C22C1/10 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C13/00 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22C27/04 , C22C19/07 , C22C14/00 , C22C21/00 , C22C18/00 , C22C5/02 , C22C11/00 , C22C28/00 , C22C38/00 , C22C27/06 , C22C30/02
Abstract: 一种石墨烯/金属复合材料及其制备方法。所述方法包括：(1)按质量百分比称取金属棒与高纯碳棒，高纯碳棒所占质量百分比为1％‑30％；(2)将清洗后的金属棒装夹在悬浮区熔定向凝固炉抽拉系统的上夹头和下夹头上，将高纯碳棒装夹在抽拉系统旁侧的夹具上，且高纯碳棒的底端与金属棒的熔区接触；(3)将悬浮区熔定向凝固炉抽真空，对金属棒进行定向凝固，控制熔区长度在1～50mm，将金属棒以1～5000μm/s的速率从上至下移动，且沿着抽拉系统的轴线旋转；所述高纯碳棒的底端始终处于所述金属棒的熔区内。由此方法本发明得到的石墨烯/金属复合材料中，碳以石墨烯形式存在于金属的晶格之中，两相界面结合良好，有助于提高材料的电导率。
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公开(公告)号：CN108198935A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711470469.1
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种二硼化镁约瑟夫森结及其制备方法，为MgB2/势垒层/MgB2结构，上下两层MgB2超导层之间的势垒层由硼或镁的高硼化物组成。MgB2层为超导层，上下两层MgB2超导层之间的硼层的中央刻蚀有凹槽，凹槽底部为结区势垒层。20K时本发明MgB2约瑟夫森结的最大能隙达到1.17meV，工作频率达到500GHz。本发明采用电子束在真空中快速退火得到二硼化镁约瑟夫森结。通过电子束蒸发法和聚焦离子束刻蚀得到所述的二硼化镁约瑟夫森结前驱膜，在几秒量级的时间内对前驱膜退火，使前驱膜内的镁和硼发生反应即可获得约瑟夫森结。退火后得到的二硼化镁约瑟夫森结可以根据聚焦离子束刻蚀工艺的不同得到不同类型的约瑟夫森结。
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公开(公告)号：CN103904210A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410056684.7
申请日：2014-02-19
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L39/24
Abstract: 一种二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法，该方法采用电子束在真空中对夹层式（三明治型）二硼化镁约瑟夫森结先驱膜进行退火。所述的夹层式二硼化镁约瑟夫森结先驱膜为采用二次掩膜法制备的[Mg/B]-X-[Mg/B]结构先驱膜，X代表标准导体层N或绝缘层I，在秒数量级的退火时间内使先驱膜中的镁、硼单质发生化学反应，最终生成MgB2-X-MgB2结构的SNS型或SIS型二硼化镁超导约瑟夫森结，S代表超导层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107833649B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710957398.1
申请日：2017-10-16
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: G21K1/06
Abstract: 一种X射线波带片的制备方法，采用原子层沉积(ALD)方法在直径为微米级的金属丝表面交替沉积氧化铝/氧化铪，或者氧化铝/铱等两种密度不同、厚度不同的薄膜，即第一层沉积氧化铝薄膜，第二层沉积氧化铪薄膜或铱薄膜，如此交替循环，形成一系列同心圆环。镀膜完成后利用聚焦离子束对镀膜后金属丝进行切割、抛光，最终得到所需厚度和精度的波带片。本发明适合于多种波带片的制备。
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公开(公告)号：CN108149051A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711259320.9
申请日：2017-12-04
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C22C1/10 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C13/00 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22C27/04 , C22C19/07 , C22C14/00 , C22C21/00 , C22C18/00 , C22C5/02 , C22C11/00 , C22C28/00 , C22C38/00 , C22C27/06 , C22C30/02
Abstract: 一种石墨烯/金属复合材料及其制备方法。所述方法包括：(1)按质量百分比称取金属棒与高纯碳棒，高纯碳棒所占质量百分比为1％-30％；(2)将清洗后的金属棒装夹在悬浮区熔定向凝固炉抽拉系统的上夹头和下夹头上，将高纯碳棒装夹在抽拉系统旁侧的夹具上，且高纯碳棒的底端与金属棒的熔区接触；(3)将悬浮区熔定向凝固炉抽真空，对金属棒进行定向凝固，控制熔区长度在1～50mm，将金属棒以1～5000μm/s的速率从上至下移动，且沿着抽拉系统的轴线旋转；所述高纯碳棒的底端始终处于所述金属棒的熔区内。由此方法本发明得到的石墨烯/金属复合材料中，碳以石墨烯形式存在于金属的晶格之中，两相界面结合良好，有助于提高材料的电导率。
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公开(公告)号：CN107833649A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710957398.1
申请日：2017-10-16
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: G21K1/06
Abstract: 一种X射线波带片的制备方法，采用原子层沉积(ALD)方法在直径为微米级的金属丝表面交替沉积氧化铝/氧化铪，或者氧化铝/铱等两种密度不同、厚度不同的薄膜，即第一层沉积氧化铝薄膜，第二层沉积氧化铪薄膜或铱薄膜，如此交替循环，形成一系列同心圆环。镀膜完成后利用聚焦离子束对镀膜后金属丝进行切割、抛光，最终得到所需厚度和精度的波带片。本发明适合于多种波带片的制备。
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公开(公告)号：CN108059137B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201711260477.3
申请日：2017-12-04
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种黑磷纳米材料的制备方法，具体步骤为：(1)将红磷粉末与铋粉末混合；(2)将混合后的粉末放入高能球磨罐球磨，球料比为5:1～50:1，转速为100r/min～2000r/min，球磨时间为10min‑100h；(3)将球磨后的粉末放入热处理炉中，加热到400～600℃，保温1～24h，然后经过10h～60h缓慢冷却至100～300℃，之后随炉冷却至室温。本发明可制备出厚度范围为微米级别到纳米级的黑磷纳米带材。
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公开(公告)号：CN108358189B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810003886.3
申请日：2018-01-03
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 一种制备石墨烯的方法，具体步骤为：(1)将一定碳浓度的镍源沉积到衬底表面；(2)对得到的掺碳镍膜采用电子束热处理，退火温度为900～1400℃，退火时间为1～60s，之后取出样品即可在镍膜表面得到石墨烯。本发明可制备出单层、双层或少层的石墨烯。
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