-
公开(公告)号：CN110988618A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911131450.3
申请日：2019-11-19
申请人： 中国科学院电工研究所 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司 , 中国石化工程建设有限公司
摘要： 一种点热源安全性评估实验平台，为金属管状结构，金属管的内腔为实验腔(15)。第一电压引线(1)的一端连接高压发生器的正极，第一电压引线(1)的另一端连接金属棒电极(6)；第二电压引线(14)的一端连接高压发生器的负极，第二电压引线(14)另一端连接金属板电极(16)。输液口(7)、出液口(12)、安全阀(9)和爆破阀(10)、十个压力传感器(P1-P10)固定在实验腔(15)上并与实验腔(15)内部联通。金属棒电极(6)和金属板电极(16)组成放电系统，和高压发生器连接形成放电回路；通过调节金属棒电极(6)的长短调节金属棒电极(6)与金属板电极(16)的放电间隙长度，调整放电电压，控制放电能量。
-
公开(公告)号：CN110933780B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201911131456.0
申请日：2019-11-19
申请人： 中国科学院电工研究所 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 中国石化工程建设有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 一种线热源安全性评估实验平台，为金属管状结构，金属管的内腔为实验腔(15)。第一电流引线(1)的一端连接电源的正极，第一电流引线(1)的另一端连接金属电阻丝(6)的一端；第二电压引线(14)的一端连接电源的负极，第二电压引线(14)另一端连接金属电阻丝(16)的另一端。输液口(7)、出液口(12)、安全阀(9)和爆破阀(10)、十个压力传感器(P1‑P10)固定在实验腔(15)上，并与实验腔(15)内部联通。金属电阻丝(6)、第一电流引线(1)、第二电流引线(14)与电源形成闭合电路，通过调节电源的输出电压控制金属电阻丝(6)的发热量。
-
公开(公告)号：CN110988618B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201911131450.3
申请日：2019-11-19
申请人： 中国科学院电工研究所 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司 , 中国石化工程建设有限公司
摘要： 一种点热源安全性评估实验平台，为金属管状结构，金属管的内腔为实验腔(15)。第一电压引线(1)的一端连接高压发生器的正极，第一电压引线(1)的另一端连接金属棒电极(6)；第二电压引线(14)的一端连接高压发生器的负极，第二电压引线(14)另一端连接金属板电极(16)。输液口(7)、出液口(12)、安全阀(9)和爆破阀(10)、十个压力传感器(P1‑P10)固定在实验腔(15)上并与实验腔(15)内部联通。金属棒电极(6)和金属板电极(16)组成放电系统，和高压发生器连接形成放电回路；通过调节金属棒电极(6)的长短调节金属棒电极(6)与金属板电极(16)的放电间隙长度，调整放电电压，控制放电能量。
-
公开(公告)号：CN111044557A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911131440.X
申请日：2019-11-19
申请人： 中国科学院电工研究所 , 中国石化工程建设有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 一种超导电缆线热源安全性评估实验平台，模拟直流超导电缆失超下发热，使液体电介质气化，在液体电介质中产生的压力变化规律。实验平台为金属管，内腔为实验腔(16)，两端为法兰。第一电流引线(1)的一端连接电源正极，另一端连接金属电阻丝(15)的一端；第二电流引线(14)的一端连接电源负极，另一端连接金属电阻丝(15)的另一端。输液口(6)、出液口(17)、安全阀(8)、爆破阀(9)、压力传感器(P1-P10)固定在实验腔(16)上，与实验腔(16)内部联通。金属电阻丝(15)、第一电流引线(1)、第二电流引线(14)与电源形成闭合电路，调节电源的输出电压可调节金属电阻丝(15)的发热量。
-
公开(公告)号：CN110933780A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911131456.0
申请日：2019-11-19
申请人： 中国科学院电工研究所 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 中国石化工程建设有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 一种线热源安全性评估实验平台，为金属管状结构，金属管的内腔为实验腔(15)。第一电流引线(1)的一端连接电源的正极，第一电流引线(1)的另一端连接金属电阻丝(6)的一端；第二电压引线(14)的一端连接电源的负极，第二电压引线(14)另一端连接金属电阻丝(16)的另一端。输液口(7)、出液口(12)、安全阀(9)和爆破阀(10)、十个压力传感器(P1-P10)固定在实验腔(15)上，并与实验腔(15)内部联通。金属电阻丝(6)、第一电流引线(1)、第二电流引线(14)与电源形成闭合电路，通过调节电源的输出电压控制金属电阻丝(6)的发热量。
-
公开(公告)号：CN110912069A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911131459.4
申请日：2019-11-19
申请人： 中国科学院电工研究所 , 中国石化工程建设有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 一种超导直流输电/液化天然气一体化能源管道终端，为卧式结构。低温杜瓦(16)为圆柱形，水平放置；绝热支撑(7)垂直焊接在低温杜瓦(16)上；人行孔(14)安装于低温杜瓦(16)的左侧；真空插接口(17)焊接于低温杜瓦(16)的右端；屏蔽层电流引线出口(8)垂直焊接在低温杜瓦(16)上；燃料输入口(12)焊接在低温杜瓦(16)的左端。低温高压套管(2)通过法兰及其配套金属均压环(4)竖直安装在绝热支撑(7)上。燃料输入口(12)焊接有波纹管(13)。保护泄压系统(11)安装在绝热支撑(7)上。本发明可以实现液化天然气输入，以及超导直流电缆低温向室温、从超导到常导、从高压向低压过渡的重要功能。
-
公开(公告)号：CN112769347B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202011640912.7
申请日：2020-12-31
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H02M7/5387 , H02M7/5395
摘要： 本发明提出一种变流器延时补偿控制方法，所述延时补偿的补偿量由三部分相加而成，无损地采集原始信号，作为第一部分；还包括一阶延时补偿环节和二阶延时补偿环节。一阶延时补偿环节由一阶延时补偿时间常数、一阶微分环节和一阶或者二阶滤波环节组成，用于补偿变流器低频延时；而二阶延时补偿环节由二阶延时补偿时间常数、二阶微分环节和二阶或者四阶滤波环节组成，用于补偿变流器高频延时。一阶延时补偿环节和二阶延时补偿环节的延时补偿时间常数和滤波器时间常数均可以根据变流器的类型和参数进行调节以提高系统的整体性能。
-
公开(公告)号：CN112769347A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011640912.7
申请日：2020-12-31
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H02M7/5387 , H02M7/5395
摘要： 本发明提出一种变流器延时补偿控制方法，所述延时补偿的补偿量由三部分相加而成，无损地采集原始信号，作为第一部分；还包括一阶延时补偿环节和二阶延时补偿环节。一阶延时补偿环节由一阶延时补偿时间常数、一阶微分环节和一阶或者二阶滤波环节组成，用于补偿变流器低频延时；而二阶延时补偿环节由二阶延时补偿时间常数、二阶微分环节和二阶或者四阶滤波环节组成，用于补偿变流器高频延时。一阶延时补偿环节和二阶延时补偿环节的延时补偿时间常数和滤波器时间常数均可以根据变流器的类型和参数进行调节以提高系统的整体性能。
-
公开(公告)号：CN111123052A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010010810.0
申请日：2020-01-06
申请人： 中国科学院电工研究所
摘要： 本发明属于介质绝缘特性测试技术领域，具体涉及一种检测介质绝缘特性的装置及方法。该装置包括第一腔体，具有容纳介质的密封空间，用于测试待测介质的绝缘特性；内设有第一电极和第二电极；第二腔体，具有容纳介质的密封空间，用于控制所述第一腔体的温度；介质容纳器，通过管道与所述第一腔体连接；抽气泵，用于抽取所述装置内的气体以及调整所述装置的真空度。该装置可以同时满足在低温、高气压、高电压、高气密性的条件下测试介质的绝缘性，温度最低可至-269℃，最高可达300℃，压强最高可达30个大气压。
-
公开(公告)号：CN112834846A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011642334.0
申请日：2020-12-31
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明涉及一种有源加速半导体器件辐照失效的方法，包括如下步骤：步骤1、首先将半导体器件置于辐照腔内，所述的辐照腔外部连接有电场或磁场发生装置，所述电场或磁场发生装置通过开关连接到外接电源；步骤2、打开所述开关，启动电场或磁场发生装置，使得所述电场发生装置产生与半导体器件界面垂直的电场；或者，使得所述磁场发生装置产生平行于半导体界面的磁场，并且在半导体器件的部分引脚施加电压；步骤3、然后启动辐照装置，辐照高能粒子入射所述的半导体器件，产生多个的空穴‑电子对；半导体器件氧化层中的空穴一部分向衬底扩散，途中释放质子，垂直于界面的电场或平行于界面的磁场加速质子向界面的扩散运动，提高界面陷阱电荷密度，加速器件失效。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
10 条记录 (耗时 0.117 秒)
