氧化物薄膜生长用金属有机物化学气相沉积反应室

    公开(公告)号:CN102337517A

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN201110349622.1

    申请日:2011-11-08

    IPC分类号: C23C16/40

    摘要: 本发明公开一种氧化物薄膜生长用金属有机物化学气相沉积设备反应室。本反应室包括,反应室上法兰盘(1)、反应室下法兰盘(2)、反应室侧壁(3)、旋转轴(4)、电机(5)、磁流体密封轴承(6)、衬底托(7)、衬底加热器(8)、热电偶(9)、金属有机源进气口(10)、氧源进气口(11)、尾气排气口(12)、压力传感器(13)、下游压力控制阀(14)等部件。本发明的反应室实现反应气体从下往上垂直输运,能够有效抑制金属有机源与氧源的预反应对氧化物薄膜晶体质量的不利影响,有利于获得高质量的氧化物薄膜。

    可用于光电器件衬底的氧化锌单晶抛光技术

    公开(公告)号:CN102240967A

    公开(公告)日:2011-11-16

    申请号:CN201110175582.3

    申请日:2011-06-24

    IPC分类号: B24B37/04

    摘要: 本发明提供了一种满足光电器件外延生长的氧化锌单晶衬底的抛光技术,通过了单晶粗磨、粘片上盘、机械粗磨、机械精磨、机械粗抛,化学机械精抛、清洗和封装这些步骤获得了表面10μm×10μm范围内表面均方根粗糙度小于1nm的氧化锌单晶衬底。此发明涉及到氧化锌单晶衬底粘片过程中所使用的粘结剂、粘片技术和下盘技术,研磨和抛光过程中所使用的研磨液、抛光液和研磨厚度控制技术。利用此发明所获取的氧化锌单晶衬底可以用以外延生长半导体光电器件。