公开(公告)号：CN115739121B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202211425240.7

申请日：2022-11-14

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 江凯斌 ,  郭国聪 ,  王明盛 ,  徐忠宁

IPC: B01J27/04 ,  H01L31/0264 ,  B01J27/057 ,  B01J23/06 ,  B01J23/08 ,  B01J23/66 ,  C01B3/04 ,  C09K3/00

Abstract: 本申请公开了一种金属包覆型的复合半导体材料及其制备方法和光电探测、光催化、吸波的应用，属于半导体材料领域。一种金属包覆型的复合半导体材料，所述复合半导体材料包括金属单质纳米颗粒、半导体；所述金属单质纳米颗粒包覆在所述半导体的表面和/或内部。通过金属‑半导体相互作用拓宽半导体材料光响应范围、提高电荷分离效率；包覆型半导体材料兼具宽光响应范围、高电荷分离的性能。在300W的AM1.5太阳光模拟氙灯辐照下产氢效率在48小时内基本维持不变；可对300W输出波长大于420纳米的氙灯光实现光电探测；吸收范围可至太赫兹波段。

公开(公告)号：CN115739121A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211425240.7

申请日：2022-11-14

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 江凯斌 ,  郭国聪 ,  王明盛 ,  徐忠宁

IPC: B01J27/04 ,  H01L31/0264 ,  B01J27/057 ,  B01J23/06 ,  B01J23/08 ,  B01J23/66 ,  C01B3/04 ,  C09K3/00

Abstract: 本申请公开了一种金属包覆型的复合半导体材料及其制备方法和应用，属于半导体材料领域。一种金属包覆型的复合半导体材料，所述复合半导体材料包括金属单质纳米颗粒、半导体；所述金属单质纳米颗粒包覆在所述半导体的表面和/或内部。通过金属‑半导体相互作用拓宽半导体材料光响应范围、提高电荷分离效率；包覆型半导体材料兼具宽光响应范围、高电荷分离的性能。在300W的AM1.5太阳光模拟氙灯辐照下产氢效率在48小时内基本维持不变；可对300W输出波长大于420纳米的氙灯光实现光电探测；吸收范围可至太赫兹波段。

公开(公告)号：CN115672397A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211426162.2

申请日：2022-11-14

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 江凯斌 ,  郭国聪 ,  王明盛 ,  徐忠宁

IPC: B01J31/02 ,  B01J31/22 ,  B01J31/26 ,  B01J31/38 ,  C01B3/04

Abstract: 本申请公开了一种有机包覆型的复合半导体材料及其制备方法和应用，属于半导体材料领域。一种有机包覆型的复合半导体材料，所述复合半导体材料包括有机小分子、半导体；所述有机小分子包覆在所述半导体的表面。与初始半导体相比，该包覆型半导体将有机小分子引入到初始半导体表面。通过电荷转移相互作用拓宽半导体光响应范围、提高电荷分离效率；该包覆型半导体材料兼具宽光响应范围、高电荷分离的性能：双端苯基紫精包裹的ZnS，在300W的AM1.5太阳光模拟氙灯辐照下产氢效率在48小时内基本维持不变；可对300W输出波长大于420纳米的氙灯光实现光电探测。